Способ изготовления тиристорных структур, включающий формирование в полупроводнике p+-n-p-n+ слоев, изготовление и пассивацию краевого контура, облучение структуры протонами со стороны управляющего электрода сквозь n+ эмиттерный слой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потерь мощности в проводящем состоянии при заданном уровне времени выключения, облучение проводят после формирования p+-n-p-n+ слоев, облучение ведут при интенсивности потока протонов не более 1010 прот 
см-2 с-1 и энергии протонов, обеспечивающей длину из пробега Х в структуре, удовлетворяющую соотношению Хj < Х < Хj + Wn - W'n, где Хj - глубина залегания коллекторного p-n-перехода; Wn - ширина n-базового слоя; W'n - расчетная ширина слоя объемного заряда в базе n-типа при максимальном блокируемом напряжении, затем осуществляют отжиг облученных структур при температуре 230 - 250oС в течение 3 - 5 ч, после чего проводят изготовление и пассивацию краевого контура.
Похожие патенты:
Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к изготовлению на основе SiC источников света с излучением в зеленой области спектра
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, а более конкретно к изготовлению МДП БИС
Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к изготовлению источников света в голубой и зеленой областях спектра
Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к технике, связанной с процессами легирования и диффузии примесей в полупроводники и металлы, а именно к способам диффузионного перераспределения примеси с поверхности по глубине полупроводниковых пластин путем обработки в потоке электронного пучка, и может быть использовано в пространстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Изобретение относится к устройствам для удаления нежелательных поверхностных примесей с плоской или имеющей нерегулярную форму поверхности подложки 12 высокоэнергетическим излучением
Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур с помощью потока заряженных частиц и может быть использовано в микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем, запоминающих устройств и оптических элементов
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки (геттерирования) исходных подложек и структур на основе монокристаллического кремния от фоновых примесей и дефектов
Изобретение относится к методам формирования твердотельных наноструктур, в частности полупроводниковых и оптических, и может быть использовано при создании приборов нового поколения в микроэлектронике, а также в оптическом приборостроении
