Способ получения низкоомных омических контактов к теллуриду цинка р-типа проводимости

 

Иэобретрние относится к попу г . о водниковому приборостроению, микроV ) оптоэпг к тропике , Цепь юбрет i пня - снижение сопротивления контактов к теллуриду цичкл р-типл п ппдимости при исгюльоопонии 1иирокого класгл контактных метгллов. Способ заключается в илшфовке поверхности т )стины теллурида цинка и нанрсении на нее метаплич скои пленки. Нопым в способе является то, что область контакта облучают со сторо ы полупргводнико ,ой пласти ы .«нп/льснь м лазерным излучением миллисекундмой длительности с ДЛИНОЙ ПОЛНЫ 1,Об МКМ ПРИ ППО5НОСТИ мощноеiи (.П-,й) 1П4Б-/см3. Яяя г(зразнэв тег луриди цинка с удельным сопротивлением 2 1 0 Ом см значения контактногч гопоотсвл ш-я дпя контактов из индия, Ямлминип 1 меди находились на уровне 7- 1 Ом см2 . (Л

(51) 5 Н О1 l 21/268

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

И А ОТОРСНОМУ СВИДЕТСПЬСПВУ

* т Ф, С ОЗ СОВЕТСНИХ

=-Г> „,(, - С01.1ИА ЛИСТИЧЕСНИХ . -.<Ф РЕСПУ БЛИН (<

OCYQAPCTBEHHblA КОМИТЕТ

П0 ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЬГ1ИРМ

ПРИ AEHT СССР (46) 07.0 1:,. Б . Г 13 (2 I ) 13213<">1 j?5 (22),0. 10, I3 7 (71) И>>ститут .физики >1Н БССР (72) B. I.l.oëòóío<, Н 1<. 1икеенко и В,A.Иванов (53) 621,382 (088.8) (56) Пихтин A.I .. и др. Омические контакты к пог>упроводникам, полученные с помощью лазера. - <1>ТП, 1969, т.3, в.11, с.1646-1648.

Грибковский В,П. и гр. Омические контакты к теллурипу 1>инка. - ПТЭ, 1981, Р 2, с. 244-2 . >. (54) СПОСОБ П(3ЛУцЕНИЯ 11ИЗКООМНЫХ Ол1>ИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ТЕЛЛУРИДУ ЦИНКА

Р-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ (57) Изобретение относится к пОпуг>р 3водниковому приборостроению, микроИзобретение относится к области полупроводникового приборостроения, конкретно - к получению омических контактов к полупроводниковым материалам, и может быть исполb3овано при создании приборов микро- и оптоэлектроники.

Цель изобретения - снижение сопротивления контактов при 11спользовании широкого класса контактных металлов к кристаллам теллурида цинка с высоким удельныи сопротивле»ием.

Сущность изобретения псясняется примерами его реализации, Образец телпурида цинка пригота»ливался в виде плоско-параллельной полиоованл>ой пластинь> толщ>иной от

b> Опто > пеl T ро>>и > >. I! l l ь > 1с бр>. т! »11я с»1>жение сопрпт >>яг>Г>>иг> ко»так тов к

-еллуриду ц1 нкэ р-типа пр >пг>дил>О1:ти пр1 исг>о >ьзова»1>и широк>-г класса контактных»eT«ллов. Способ зэкло Га— еТсВ в шг>ифовке поверхности пг .>стинь> теллурида ц«нка и »3»ес< HHè на н< е металли<1, ско . пленки. Новым в способе является то, что область контакт»

ОбЛуЧаЮт СО СтОрО»Ы П эпупр,.ВОд>>И>«. 1ОИ пластиl-; . мпуг>ьсным лазерным излучением миг>лисекунд> с и дпительн, сти с длиной г>ол>ь> 1, 06»км пр1> и по 1>ости мощнос 1.1 (1 „8-2, 0) 10 В -/с.м . Для

<бразцзв тег.лурид,> цинка с удельным сопротивлением- 2 10 О» см значения конта ктног-> сопроi1 .в>ленl fl д Г>я конта кв

ТоВ и3 индия, . . ">3Mè»ия л>еЛ11 H. ходились на уровне -7 10 О» см

С::

0,4 до 1 мм. Поверх>>ость пластины, на lбразивнь>м порошком с размером зерен 5 мкм, промывалась втэдой и обеэж>-ривалась. Иеталличес><ая пленка из индия, Образующего донорные центры в ЛПТ«, наносилась на шлифованную поверхность пластины либо напылением в вакууме, либо элект рс: .«-1чес> >м осаждением. Следует отметит, >,о способ > несения металла на полу>>ровоГ> >«ко.ую пластину не влияет . -3 конеч>.1<й>;.езультат, Толщ:ча H3»евсиной пле>-к..> составляла

-0>5 м<м, АнэпсГ ичл>,,>м oбразом HRHocèëècü на р-7111е н г>ленки из элюминия, который создает ро>«- .= >ентры и те.ввуриде цинка, или меЛ>4, образующей акцепторные центры, Образец закреплялся на держателе

5 и помещался на пути лаэерногс луча таким образсм, чтобы свет попадал на границу раздела металл-полупроводник со стороны полупроводниковой пластины. Облучение образца со сТарп- 10 ны металлической пленки Hp приводит к положительному результату. Исro >ником излучения служил лазер на неодимовом стекле, работаюций в импульс.ном режиме с длительностью импульса

0,5 мс и энергией кванта, меньше ширины запрещенной эоны теллурида цинка (1> =1,11 эВ, E (300K)

2,2 эБ}. Раэерное излучение фокусировалось на образце с помощью

1 линзы. Плотность мощности излучения изменялась от 1,8 до 2,8 10 Нт см

2 путем переме це>4ия линзы относительно образца.

8ыбор нижнего предела плотности мощности излучения обьясняется тем, что при меньших мощностях облучения положительньй результат не достигается. При эначен>лях плотности мощности больше 2,8 10 Вт/см наблюдалось

2 разpyшенiле передней поверхности образца.

Омичегкий контакт получался эа один лазерный >лмпульс, не требуя проведения каких-либо дополнительных

3" операций, Облученные лазером образцы р-,nTf с металяической пленкой давали гин". é1 ные, не проявляющие выпрямляющих свойств, сим>летричные вольт-ампернье

1>1 характеристики. Это озна»ает, что полученные предлагаемым способом контакты н теллурчду цинка являются омическими.

В пределах ошибки эксперимента, 1г, удельное сопротивление полученных предлагаемым способом с.мических к,"нтактов (7„ составляло для образцов теллурида цинка с удельным сог>ротивлением 17- 2 10 О>л с>л для индия

7,1 10 - 1 ° 10, а >юм>лн>ля 7,3 10

1,2-10, меди 7 10 -1,1 10- Ом см, -л -2 -л сновании полученных значений (1„ l .Ожнп СЛЕЛатЬ ВЬ>ВОЛ, >тО ВЕЛИЧИНа удельного сопротивления сформированно > лазером омического контакта врактмчески не зависит от используемого контактного металла.

Использование описываемого cr>особа получения ниэкоомных омических кс7>4тактов к теллуриду цинка р-типа прогодимости обеспечивает по сравнению с существующими способами следующие преимущества: воэможность полу" чения омических контактов к материалу с высоким удельным сопротивлением; воэможíîcть использования в качестве кс>«антного материала к р-ZnTe как металлов I группы (медь), создающих в теллуриде цинка акцепторные центры, -ак и металлов III группы (алюминий, индий), образующих донорные центры, то позволяет исключить применение двл получения омических контактов драгоценных металлов (золото, серебро): простота способа, не требующая

>,ðî>3åäåíèr> дополнительных технологических операций (например, подлегирова»ия приконтактной области); воэможнсiсть локально воздействовать íà ohРазеl! . с»ытания предлагаемого способа пс вучения низ коомных омических кон-аклов к р-ZnTe показали хорошую восро . 3>3одимость результатов.

Формула изобретения

Сп.)i.îá получения ниэкоомных о>лическ>лх контактов к теллуриду цинка ртип, проводимости, включающий шлифовку <поверхности пластины теллурида цинка и нанесение на нее металличес><0> пленки, о т л и 4 а ю щ и Й с я тем, что, с целью снижения сопротив»Ul4ил контактов при использовании широкого класса контактных металлов, область контакта облучают со стороны полупроводниковой пластины импульсным лаэерны; излучение>л миллисекундной длитег,ьности с длиной волны 1,06 мкм при Ill .OòHîñrè мощности (1,8-2,8)»

-10 Вт/cH л