Индикатор теплового пробоя полупроводникового прибора

 

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения режима теплового пробоя полупроводниковых приборов. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей индикатора за счет индикации теплового пробоя полупроводникового прибора, недопустимого для визуального наблюдения. Индикатор теплового пробоя полупроводникового прибора содержит термоиндикатор плавления из полихлорвинила, выполненный в виде герметичной оболочки, наполненной нашатырным спиртом. Расплавление оболочки при тепловом пробое прибора приводит к испарению нашатырного спирта, появление запаха которого является сигналом теплового пробоя. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (51) 5 Г О! R 31/26

5 и< д1.1Д. г

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГННТ СССР

К Д ВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4394035/24-21 (22) .1 8. 03. 88 (46) 23. 04. 90. Бюл. М- 15

{75) С.Б.Крутов и Л.В.Кривунь (53) 621.382 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 2677972, кл. G 01 R ll/06„ 1970.

Казакова С,М. и Скуиньш Л.M.

Термочувствительные краски для измерения температуры. — Лакокрасочные материалы и их применение, 1974, N - 3, с. 34 — 38. (54) ИНДИКАТОР ТЕПЛОВОГО ПРОБОЯ

ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА (57) Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения режима

Изобретение относится к полупро— водниковой технике, а именно к устройствам контроля режима работы отдельных полупроводниковых приборов, и может бить использовано для определения их теплового пробоя, Целью изобретения является расширение функциональных возможностей индикатора за счет индикации теплового пробоя полупроводникового прибрра, недоступного:для визуального наблюдения.

На чертеже представлен индикатор теплового пробоя.

Индикатор содержит герметичную оболочку ), выполненную из полихлорвинила и заполненную нашатырным спиртом 2.

„„SU„, 1559320 A 1 теплового пробоя полупроводниковых приборов ° Цель изобретения — расширение функциональных возможностей индикатора за счет индикации теплоеого пробоя полупроводникового прибора, недопустимого для визуального наблюдения. Индикатор теплового пробоя полупроводникового прибора содержит термоиндикатор плавления из полихлорвинила, выполненный В Виде герметичной оболочки, наполненной нашатырным спиртом. Расплавление

Ф оболочки при тепловом пробое прибо— ра приводит к испарению нашатырного спирта, появление запаха которого является сигналом теплового пробоя.

1 ил.

Устройство работает следующим образом.

Индикатор располагается на поверхности полупроводникового прибора 3. При тепловом пробое прибора герметичная оболочка 1 расплавляется и нашатырный спирт испаряется.

Появление запаха нашатырного спирта является сигналом теплового пробоя полупроводникового прибора.

Использование индикатора позволяет улучшить контролируемость режимов работы радиоаппаратуры и тем самым повысить ее эксплуатационную надежнос ть.

Формула изобретения

Индикатор теплового пробоя полупроводникового прибора, содержащий!

559320

Составитель А.Колодин.Корректор С,Шевкун

Заказ 837 Тираж 556 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и. открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская иаб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101 термоиндикатор плавления, выполненный из полихлорвинила с возможностью размещения на поверхности полупроводникового прибора, о т л и ч а ю— щ и и .с я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей

Редактор Н.Лазаренко Техред А Кравчук за счет индикации теплового пробоя полупроводникового прибора, недоступного для визуального наблюдения, термоиндикатор плавления выполнен в виде герметичной оболочки, наполненной нашатырным спиртом.

Индикатор теплового пробоя полупроводникового прибора Индикатор теплового пробоя полупроводникового прибора 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при контроле полупроводниковых диодов

Изобретение относится к электроизмерительной технике и предназначено для определения ширины коллектора высоковольтного транзистора

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для определения типа проводимости и исправности транзисторов

Изобретение относится к электронной технике и предназначено для опред

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для испытания изделий электронной техники

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых приборов с лавинным пробоем, в частности для ограничительных диодов

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения активной составляющей проводимости, емкости и добротности варикапов в параллельной схеме замещения, например, при технологическом контроле параметров полупроводниковых приборов и других как нелинейных, так и линейных объектов, а также в подсистемах технической диагностики радиотехнических элементов автоматизированных систем контроля различной радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для технологического контроля в широкой полосе частот полевых транзисторов непосредственно на пластине

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх