Устройство автоматического измерения области безопасной работы транзисторов

 

Устройство автоматического измерения области безопасной работы транзисторов, содержащее усилитель мощности, выход которого соединен с клеммой для подключения эмиттера испытуемого транзистора, клемма для подключения базы которого соединена с общей шиной устройства, а клемма для подключения коллектора испытуемого транзистора соединена с входом первого фильтра нижних частот, первым входом осциллографа и первым входом компаратора, второй вход которого подключен к выходу первого источника опорного напряжения, выход компаратора подключен к S-входу триггера, R-вход которого соединен с шиной запуска, выход триггера подключен к входу синхронизации генератора линейно нарастающего напряжения, выход которого соединен с первым входом сумматора, второй вход которого подключен к выходу первого генератора низкой частоты, выход сумматора соединен с вторым входом осциллографа и через токосъемный резистор - с клеммой для подключения коллектора испытуемого транзистора, последовательно соединенные первый выпрямитель и второй фильтр нижних частот, перемножитель, первый вход которого подключен к выходу первого фильтра нижних частот, а выход - к первому входу первого блока вычитания, второй вход которого соединен с выходом второго источника опорного напряжения, выход первого блока вычитания через пропорционально-интегральный регулятор соединен с входом усилителя мощности, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерений, оно снабжено двумя селективными усилителями, вторым генератором низкой частоты, вторым выпрямителем, третьим фильтром нижних частот и вторым блоком вычитания, при этом выход усилителя мощности через первый селективный усилитель соединен с входом первого выпрямителя, выход второго фильтра нижних частот подключен к первому входу второго блока вычитания, выход которого соединен с вторым входом перемножителя, выход усилителя мощности через последовательно соединенные второй селективный усилитель, второй выпрямитель и третий фильтр нижних частот соединен с вторым входом второго блока вычитания, выход второго генератора низкой частоты подключен к третьему входу сумматора.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для технологического контроля в широкой полосе частот полевых транзисторов непосредственно на пластине

Изобретение относится к электроизмерительной технике и предназначено для контроля транзисторов

Изобретение относится к области полупроводникового приборостроения и может быть использовано для измерения коэффициентов усиления высоковольтных транзисторов

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и направлено на контроль качества сборки силового полупроводникового прибора и охладителя

Изобретение относится к энергетической фотометрии и предназначено для повышения точности измерения потока излучения полупроводниковых излучателей

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх