Суспензия для химико-механического полирования полупроводниковых подложек
Изобретение относится к композиционным полировальным составам, применяемым для химико-механического полирования полупроводниковых подложек, в частности из монокристаллического кремния. Изобретение позволяет увеличить скорость полирования полупроводниковых подложек за счет использования состава, содержащего, мас.%: цеолит (алюмосиликат натрия) 9,0 - 11,0, моноэтаноламин 2,3 - 2,9, глицерин 5,0 - 10,0 и деионизованную воду - остальное. 1 табл.
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИН
„.SU, 1565867 А 1 щ) С 09 С 1/02
l !
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ и А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Суспензия для химико-механического полирования полупроводниковых подложек, содержащая абразив и деионизованную воду, о т л и ч à ю щ а я с я, тем, что с целью увеличения скорости полирования, она в качестве абразива содержит цеолит и дополнительно моноэтаноламин и глицерин при следующем соотношении компонентов, мас.3:
Цеолит 9,0-11,0
Моноэта нола ми н 2 3-2,9
Глицерин 5010,0
Деионизова нная вода Остальное
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
l1PH ГКНТ СССР (21) 4293740/23-05 (22) 03.08.87 (46) 23 .05.90.. Вюл ° 8 19 (72), И.М. Яцик, В.Ф. Марченко и Т.В. Дмитриева (53) 621.921(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР 636243, кл. С 09 G 1/02, 1978. (54) СУСПЕНЗИЯ ДЛЯ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕС- .
КОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
ПОДЛОЖЕК (57) Изобретение относится к компози° Изобретение относится к композиционным полировальным составам, применяемым для химико-механического по" лирова ния полупроводни ковых подложек, в частности, из монокристаллического кремния °
Цель изобретения - увеличение ско" рости полирования полупроводниковых подложе к.
П р и и е р 1. В емкость с 761 г деионизованной воды добавляют 110 r цеолита (алюмос или ката натрия ) и
100 г глицерина, перемеши ва ют. В полученную композицию порциями вносят
29 г моноэтаноламина и после тщательного перемешивания применяют для эффективного полирования кремниевых пластин после полирования алмазными пастами АСМ 3/2,. АСМ 2/1.
Пример 2. В емкость с 799 r деионизованной воды вносят 100 г цеолита и 75 r глицерина, перемешивают. К полученной композиции порци ями добавляют 26 г моноэтаноламина. ционным полировальным составам, применяемым для химико-механического полирования полупроводниковых подложек, в частности, из монокристаллического кремния. Изобретение позволяет увеличить скорость полирования полупроводниковых подложек за счет использования состава, содержащего, мас.4: цеолит (алюмосиликат натрия)
9, 0-11, 0 моноэта нола мин 2, 3-2, 9 глицерин 5, 0-10, О, и деи они зова.нная вода остальное. 1 табл.
Перемешивают и используют для оконе чательного полирования кремниевых пластин после полирования пастами
АСМ 2/1, АСМ 1/О.
Аналогично приготавливается суспензия по примеру .3 (таблица) . формула изобретения
1565867
Состав суспензии, мас.3 Пример рН суспензии
Скорость полирования, мкм/мин
Параметр шероховатости R, мкм
Ионоэтанолами н
Глице- Рода дерин ионизова нная
Цеолит
9,0
10,8
О, 032-0, 025
11 2
11,5
О, 032-0, 025
О, 032-0, 025
0,08"0,66
Сос raвитель И. Гинзбург
Техред Г1. Ходаншч Корректор 0 ° Кра вдова
Редактор Н. Яцола
За ка з 1198 Тираж 570 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР !
13035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", r.Ужгород, ул.Гагарина, 101
2 10,0
3 11,0
Извест ныйй
2,3
2,6 7,5
2 9 10,0
83,7
79,9
76,1
0,81
0,83
0 90