Способ изготовления полупроводниковых пластин

 

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии производства полупроводниковых приборов на основе арсенида индия. Способ позволяет повысить процент выхода годных пластин из арсенида индия за счет снижения количества дефектов кроя пластин на этапе резки. Предварительно слиток арсенида индия калибруется, т.е. механически обрабатывается вся его внешняя поверхность. Затем его обрабатывают маломощным лазерным излучением, при воздействии которого на поверхности слитка происходит локальный нагрев участков поверхности и рекристаллизация расплавленного материала, в результате которой происходит уничтожение поверхностных дефектов. Лазер имеет следующие характеристики: мощность излучения 3,40 - 3,90 Вт, длительность импульса 0,004 - 0,006 с, коэффициент перекрытия 0,4 - 0,5. После обработки всей поверхности слитка производится резка его на пластины. Выход годных пластин в результате предварительной лазерной обработки слитка существенно повышен. 1 табл.

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии производства полупроводниковых приборов на основе арсенида индия. Целью изобретения является повышение процента выхода годных пластин из арсенида индия за счет снижения количества дефектов кроя пластин на этапе резки. Пример 1. Пластины из слитка арсенида индия изготавливаются следующим образом. Сначала слиток (любой ориентации) предварительно калибруется, т.е. механически обрабатывается вся его внешняя поверхность. Затем он обрабатывается маломощным лазерным лучом на установке "Квант-15". Меняя напряжение накачки лазера, на контрольном образце подбирают мощность излучения, при которой происходит расплавление облучаемой зоны. Полученные рабочие характеристики лазера следующие: Мощность излучения, Вт - 3,40 Длительность импульса, с - 0,004 Коэффициент перекрытия луча - 0,5 Диаметр луча, мм - 0,8 При воздействии лазерного излучения на поверхность слитка происходит локальный нагрев участков поверхности и рекристаллизации расплавленного материала в зоне, равной диаметру луча, в результате которой происходит уничтожение поверхностных дефектов. Кроме того, испарение мышьяка приводит к обогащению перекристаллизованной зоны индием, что дополнительно снижает возможность образования новых трещин во время резки слитка. После обработки всей поверхности слитка производят резку его на пластины на установке "Алмаз-4". После операции резки получают 29 пластин, годных для последующих обработок (без дефектов края пластины) при теоретическом выходе пластин 30 шт. Пример 2. Режимы обработки в слитках и зависимость процента выхода годных пластин от них приведены в таблице. Как следует из таблицы, выход параметров лазерного излучения из интервалов, указанных в формуле, приводит к снижению процента выхода годных пластин, а обработка в заданных интервалах - к существенному повышению процента выхода годных пластин на этапе резки.

Формула изобретения

Способ изготовления полупроводниковых пластин, включающий механическую обработку слитка, обработку лазерным излучением и резку, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных пластин из арсенида индия за счет снижения количества дефектов кроя пластин, обработке излучением подвергают всю внешнюю поверхность слитка при следующих параметрах излучения: Мощность излучения, Вт - 3,40 - 3,90 Длительность импульса, с - 0,004 - 0,006 Коэффициент перекрытия луча - 0,4 - 0,5д

РИСУНКИ

Рисунок 1