Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений

Авторы патента:

C30B29/40 - соединения типа A_IIIB_V

C30B25/08 - реакционные камеры; выбор материалов для них

Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений методом газотранспортных реакций, включающее вертикально установленный кварцевый реактор с подложкодержателем внутри, снабженный патрубками для подачи реакционного газа сверху и поддува инертного газа снизу и патрубком для отвода продуктов реакции, отличающийся тем, что, с целью исключения осаждения продукта на стенках камеры и попадания поддуваемого газа в зону осаждения, улучшения за счет этого структурного совершенства и воспроизводимости электрофизических параметров получаемых слоев, реактор снабжен кварцевой рубашкой, соединенной с реактором через отверстия, выполненные в его стенке ниже размещения подложкодержателя, а патрубок для отвода продуктов реакции размещен на кварцевой рубашке выше подложкодержателя.

Способ выращивания монокристаллов фосфидабора // 185087

Способ получения монокристаллов фосфида бора // 167820

Способ создания электронно-дырочных переходов в дендритах полупроводникового антимонида индия // 146049

Способ получения полупроводниковых материалов, содержащих несколько летучих компонентов // 129338

Способ регулирования типа проводимости и электросопротивления антимоната алюминия // 126269

Устройство для обработки пластин в газовой фазе // 733135

Устройство для наращивания монокристаллических пленок из паровой фазы вещества // 146282

Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния и реактор для его осуществления // 2162117

Устройство для получения изделий и покрытий из нитрида бора // 2042751

Изобретение относится к высокотемпературному газофазному осаждению

Устройство для обработки подложекфотоактивированным газом // 802414

Устройство для осаждения слоевиз газовой фазы // 827621

Устройство для осаждения слоев из газовой фазы // 1089181

Реактор для осаждения слоев // 1321136

Изобретение относится к конструкции реактора для осаждения полупроводниковых и диэлектрических слоев из газовой фазы, полученной смешиванием двух и более разнородных газов

Устройство для эпитаксиального выращивания слоев // 1376633

Изобретение относится к устройствам для выращивания эпитаксиальных слоев соединений A3B5 хлоридно-гидридным методом и может быть использовано в полупроводниковой промышленности

Устройство для продувки камеры // 1380309

Устройство для выращивания многослойных эпитаксиальных полупроводниковых структур // 1462857

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и обеспечивает уменьшение толщины переходных слоев

Затвор реактора для газовой эпитаксии // 1663061

Устройство для подачи паров хлорида галлия при газофазном осаждении соединений а3в5 // 2311498

Изобретение относится к получению полупроводниковых соединений А3В5, используемых для изготовления подложек GaN, GaAs, GaP и др

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений типа а3b5 // 2327824

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации и может быть использовано в технологии выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений для получения объемных монокристаллов с высокой степенью совершенства структуры

Способ получения монокристаллов антимонида индия, легированного оловом // 2344209

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений АIIIВV