Баллистический транзистор

Авторы патента:

H01L29/80 - с полевым эффектом, создаваемым при помощи управляющего p-n-перехода или другого выпрямляющего перехода

Баллистический транзистор, содержащий последовательно расположенные эмиттер, металлическую базу, коллектор и затвор, расположенный между эмиттером и коллектором, отличающийся тем, что, с целью снижения рабочих напряжений, база выполнена из сверхчистого металлического кристалла, эмиттер и коллектор выполнены в виде микроконтактов к базе, а затвор - в виде проводящей микрошины, расположенной от эмиттера на расстоянии 0,1 - 5 мкм.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при обработке малых управляющих электрических сигналов в качестве усилительного или ключевого элемента

Полевой транзистор // 1221690

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и направлено на создание новых транзисторов с управляющим р-п -переходом

Полевой транзистор // 650132

Полевой транзистор с p-n переходом и способ его изготовления // 2102818

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к вертикальным полевым транзисторам с р-n переходом

Полевой транзистор // 2065230

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при создании элементной базы сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности полностью сверхпроводниковых интегральных схем

Истоковый повторитель // 2024111

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к конструкции интегральных схем на основе полевых транзисторов

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом // 2024996

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а более конкретно к полевым транзисторам с управляющим p-n-переходом (ПТУП)

Полевой вертикальный транзистор // 2045112

Изобретение относится к полевым транзисторам и предназначено для работы в преобразователях частоты миллиметрового диапазона длин волн

Способ включения полевого транзистора с управляющим p-n- переходом // 2046455

Инвертор // 1649973

Полевой полупроводниковый прибор // 1698919

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в усилителях и генераторах несинусоидальной формы

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом // 1812898

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к конструкции полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом (ПТУП)

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом // 1828339

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к конструкции полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом (ТПУП)