Способ определения времени релаксации неравновесных возбуждений

 

Изобретение касается исследования физических свойств материалов методом спектроскопии. Цель изобретения - обеспечение возможности определения времени релаксации высокоэнергетичных возбуждений . в проводниках и времени релаксации высокоэнергетических (дсбаевских) фононов, а также упрощение способа. Изобретение основано на явлении частотной зависимости проводимости микроконтакта (МК), обусловленном реляксацией квазичастиц . В исследуемой среде создают энергетическую неравновесность путем образования МК с определенными параметрами и приложением постоянного напряжения определенной величины V0 . Для определения времени перехода в равновесное состояние воздействуют зондирующим сигналом амплитудой V Vg путем облучения электромагнитным полем , частоту f которого измеряют в диапазоне определяемой частоты релаксации измеряемого процесса. Измеряют отклик контакта в виде сигнала ч, пропорционального второй производной вольт-амперной характеристики (ВАХ), на зондирующее излучение в функции частоты f этого излучения - ц(Ј), и аппроксимируют частотную зависимость функцией ц(5,Јр), конкретный вид которой определяется физической природой измеряемого процес9 са , л за время релаксации принимают f величину Cp 1/fn, где f - значение частоты, при которой достигается наилучшая аппроксимация. 4 з.п.ф-лы, 6 ил. сд 00 ОЭ 00

союз соаетсних социАлистичесних

РЕСПУб ЛИК

„„Я0 „„Ы811Ы

А1 (51) 5 Н 01 L 21/бб

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ а ц дв огсном снидетельствм

* I

QO дания приборов радиоэлектронной, измерительной и вычислительной техники.

Цель изобретения — обеспечение .возможности определения времени релаксации высокоэнергетически. воэГуж- дений в проводниках и врс ели рслаксапии вйсокоэнергетических (дебаевГООудАРстВенный нОмитет

ПО ИЗОЬРЕтЕнияМ И ОтирЫт щц

flPH ГНКТ СССР (46) 15.05. 91. Бюл. Р 18 (2i} 4428166/25 22) 20.05.88 (71) Физико-технический институт низких температур АН УССР (72) И.O..Кулик, И,К.Янсон, О.П.Балкашин, Ю.A.Пилипенко и И.И.Кулик (53) 621.382 (088.8) (56) Аксененко М.Д. и др. Фоторезисторы. М.: "Сор, радио™, 1973, с .8-11, 19-26.

Кулик И,О. Неравновесные токовые состояния в металлических микроконтактах. ФНТ, 1985, т.П н,9, с.937-950. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВРЕМЕНИ PEJIAKCAIQR НЕРАВНОВЕСНЫХ ВОЗБУ)КДЕНИИ

I (57) Изобретение касается исследования. физических свойстн материалов методом спектроскопии. Цель изобретения - обеспечение воэможности определения времени релаксации высокоэнерf гетичных возбуждений . в проводниках и времени релаксации высокоэнергетических (дебаевских) фононов, а также

" упрощение способа. Изобретение основано на явлении частотной зависимосИзобретение касается исследования физических свойств материалов. методом .спектроскопии квазичастичных возбуждений и может бить использовано для изучения кинетики неравновесных процессов в проводниках при исследовании ,новью.материалов, применяемых для созти проводимости микроконтакта (МК), обусловленном релаксацией квазичастиц. В исследуемой среде создают энергетическую неравновесность путем образования NK с определенными параметрами и приложением постоянного напряжения определенной величины V< .

Для опрсделения времени перехода в равнонесное состояние воздействуют

Зондирую!цим сигналом амплитудой V +

1581138 ских) фононов, а. также упрощение способа.

На фиг.! представлена схема устройства для осуществления способа, на фиг..2 - нормированные зависимости

5 сигнала детектирования Uy от напряжения смещения 7 на микроконтакте (ИК) при разных частотах f зондирую" щего сигнала для образца из меди; на фиг.3 - частотная зависимость сигнала отклика y для образца из меди; на фиг.4 - частотная зависимость сигнала отклика g для образца из золоР та;на фиг.5 иллюстрируется графический метод определения частоты релаксации

f фононов по экспериментальной часP тотной зависимости отклика ИК для образца из меди, на фиг,6 - то же,для оЬразца из золота.

Устройство содержит образец 1, источник 2 постоянного тока смещения, источник излучения 3, устройство 4 регистрации отклика ИК, гелиевый кри остат 5. Кривые 6-10 соответствуют 25 различным частотам возбужцающего

r электромагнитного излучения, Кривые

11, !2 соответствуют наилучшей аппроксимации функцией q(f,f.<) измеренной частотной зависимости сигнала отклика g(f) ИК. Кривые 13-16 аппроксимируют измеренную зависимость y(f) функции g(f, f p) при f =2 ° 10 з Гц, 10.10 Гц и f =03 10> Гц и 2 .109 Гц соответственно.

Пример 1. Образец 1 в виде

ИК двух. массивных электродов включают по четырехпроводной схеме в измерительное устройство. В токовой цепи (левая ветвь на фиг.1) размещен ис. точник 2 постоянного тока смещения, создающий напряжение смещения на MK. Для измерения тока и напряжения смеще- . ния в цепь включены амперметр и вольт- метр постоянного тока, Для подачи зондирующего сигнала на MK используют источник излучения 3 с перестраи: ваемой частотой. В потенциальной цепи имеется устройство 4 для регистрации отклика контакта .на зондирующий сигнал. Образец 1 размещен в гелиевом криостате 5.

Образец, удовлетворяющий условию

1 C(d A), где 1 „ - длина свободного. пробега квазичастиц, .Л вЂ” энергетическая длина рассеяния электрона в проводнике, d — диаметр ИК, изготавливают непосредс« венно в криостате 5. В жидком гелии с помощью специального устройства приводят в соприкосновение предварительно приготовленные и смонтированные электроды и получают

NK. Варьируя усилие прижима и/или место их касания, получают ИК, удовлетворяющий указанному соотношению.

Тестом на это условие является вид спектра MK. Спектр ИК, удовлетворяющий этому требованию, имеет спектральные особенности и фон (см. фиг.2).

Через отобранный МК образец l от источника 2 пропускают ток и создают напряжение смещения Ч = „jq, где Я максимальная энергия квазнчастиц, заряд электрона. Зтим самым обеспе" чивается образование системы неравновесных квазичастиц.

Одновременно от источника 3 на

MK подают зондирующий сигнал в виде непрерывного электромагнитного излучения, частоту f которого изменяют в диапазоне определяемой частоты релахсации f<, Падающее на контакт- излучение частотой f наводит в проводнике высокочастотный ток, который создает переменную во времени t добавку

f напряжения Vcos(--t) где Ч вЂ” ампли2 туда возбужденного сигнала напряжения, к напряжению смещения V и, следовательно, осциллирующую с частотой

f. добавку к неравновесной функции распределения электронов. Причем амплитуда зондирующего сигнала. электромагнитного напряжения такова, что

v c

В результате неунругого рассеяния электронов возникают переменные во времени дополнительные вклады в процессы как генерации квазичастиц, так и поглощения их, Переменная составляющая в числе неравновесных квазичастиц, рождаемых электронами, задается амплитудой Ч переменного напряжения и в диапазоне от низких частот .до

10 Гц .(оценка для фононов) не завиf3 снт от частоты f иэ-за быстрой релаксации электронной подсистемы (время релаксации электронной подсистемы

P < 10 с). Поэтому изменение чис- . ла генерируемых квазичастиц происходит в такт с изменением напряжения.

Следовательно, степень нелинейности вольт-.амперной характеристики (ВАХ),, обусловленная процессом генерации, изменяется при облучении.

Изйенение числа реабсорбнруемых квазичастиц, обусловленное добавкой

5 1581138 переиенного напряжения на ИК, зависит не только от амплитудь: Ч, но и от частоты f. Амплитуда переменно. о вклада в общее число поглощаемых квазичастиц зависит от соотношения между частотой f изменения неравновесной функции распределения электронов (задаваемой напряжением на контакте) и частотой релаксации fp (10 -1О " Гц для фононов) неравновесных квазичастиц и уменьшается, когда частота f начинает превышать частоту релаксации f . Непрерывный сигнал электромагнитного излучения малой амплитуды и перестраиваеиой частоты f ÿâëÿåòñ»» эффективнь»»: средством зондирования при исследовании релаксации системы неравновесных кваэичастиц в,области

ИК. е 20

При воздействии на МК зондирующим излучением измеряют отклик »1 на него в виде сигнала, пропорционального второй производной вольт-аиперной характеристики МК при смещении V p Я„/q, 25 где E — максимальная энергия квазичастицы, q — заряд электрона, и при изменении частоты f получают частот% ную зависимость отклика»1 (Е), если частота f больше частоты релаксации ЗО кваэичастнц, но существенно меньше частоты релаксации электронов. Экспериментально найденная зависимость

»1(Е) характеризует процесс релаксации системы неравновесных квазичастиц с некоторой собственной частотой релаксации fp т.е. (Е) »1(Е)/f где значение f неизвестно и подлеP жит определению. Значение f можно найти, если известна, например, из 40 теории зависимость 1(Е,ЕР).

Отклик контакта на зондирующее излучение регистрируют устройством

4 (см. фиг:t) в виде сигнала g, про- порционального второй производной

ВАХ, в функции частоты f этого изл,.чения »1(f). По частотной зависимости »1(%) определяют частоту релаксацИи квазичастиц используя аппрокси- мацию зависимостью « (Е,f ).. Явный вид этого выражения рассчйтывают теоретически для конкретной модели процесса релаксации квазичастиц. Например, на фиг.З и 4 точками пред. ставлеиь» экспериментальные значения (, отражающие зависимость »1(f), и аппроксимация этой зависимости функциК j(f;f>) при разных значениях f>.

Для определения частотной завис»»мости »1(Е) используют способ, обеспечивающий необходимую точность, достаточно простой и доступнь»й. Поскольку частота релаксации кваэичас" тиц может находиться в широком час.тотном диапазоне (10 -10 Гц), в ка9»7 честве источника излучения с иерестраиваемой частотой 3 используют набор генераторов сигналов (трноднь»х, KJlHcTpoHHblx и т.д.). Откликом g KoHтакта на зондирующий сигнал выбирают сигнал видеодетектирования U>(V ), измеряемый модуляционным способом.

Данный способ используется для повы:шения чувствительности, поскольку уровень высокочастотной мощности зон"= дирующего сигнала устанавлнгается малым, чтобы не размывать измеряемый спектр. В данном случае используют измерение вь»прямленного сигнала по» тому, что способ измерения амплитуды второй гармоники модулирующего сигнала на высоких частотах неприемлем нз-за уэкополосности приемников. Определение частотной зависимости осуществляют следующим образом. С помощью даухкоорди»»атного автоматического потейциоиетра регистрируйт семейство зависимостей,выпрямленного напряжения Б от постоянного напряже=ния смещения V на контакте U (V) при разных частотах f зондирующего сигнала. Полученные кривые нориируют на одинаковую интенсивность сигнала U в той области смещений V где сигнал

U не зависи- от частоты (см. фиг;2).

Необходимость такой нормировки обусловлена зависимостью от частоты коэффициентов согласования импедансов генераФора, линии передачи высокой частоты и ИК. Иэ-эа этого на разных частотах амплитуда зондирующего на4> пряжения V на контакте будет разная, что вызовет.и соответствующие изиенения сигнала отклика,. По каждой из нормированных зависимостей U (Ч) на5 ходят значение нормированного сигна0 ..ла U>(V ), представляющего отклик контакта.при соответствующей час тоте f зондирующего сигнала Ч. Найденные значения i1, представляют графиком частотной зависимости »1(f) например фиг.З, где значения »1, показаны точками.

Определение. времени релаксации вы-. сокоэнергетйческих (дебаевских) фоионов осуществляют следующим образом.

1581138

Создают контакт, удовлетворяющий условию 1 (d (Л (где 1 — упругая

Ф длина рассеяния фонона1, испольяуя ,описанную выше технику получения контактов, При этом спектр злектронфононного взаимодействия (ЭФВ) в NK, представленный на фиг.2, Имеет пики, обусловленные генерацией поперечных

ТЛ- и продольных LA-фононов, и фон, вследствие реабсорбции неравновесных фононов; Нормировку зависимостей

Ц (V), полученных при разных частотах f зондирующего излучения, осуществляют по максимуму сигнала,,соответствующего ТА-пику. Этот максимум хорошо выражен при различных уровнях фона (в отличие от LA-пика) и интенсивность его Не зависит от частоты в диапазоне частот релаксации фононов. Значение величины Q,измеряют при У=Я /q для Фононов Я = Я, где с у1- край спектра плотности состояний (дебаевская энергия). Совокупность значений Р1(,у показаннаЯ на фиг.3 25 точками, представляет экспериментальную зависимость g(f). Для определения частоты релаксации.дебаевских фононов экспериментальную завиаимость „(f) аппроксимируют теоретической 30

q(f,f )= f1+(f/й ) ), представленной кривой 11.

Другйм вариантом способа определения частоты релаксации высокоэнер-,. гетичных фононов, по частотной зави- 35 симости отклика. контакта на зондирующий сигнал является графический спо- соб. Он состоит в следующем. По графику экспериментальной зависимости

+(f) (см. Фиг.5) определяют значение 40

1 величины q = -((НЧ)-у„(ВЧ)), где . значения q.f (Hq) q f (Bq) измеряют в области низких и высоких частот, в которой функция. q(f) слабо зависит 45 от частоты. По тому же графику определяют частоту f., соответствующую .найденному значению «1 . Эту частоту прйнимают за частоту релаксации

Воэможность определения частоты релак-50 сацйи графическим способом следует из вида зависимости (f f ) для фононов и совпадения результатов определения частот релаксации предлагаемыми вариантами для различных проводников. Достоинство графического способа в его простоте.

Далее приведены примеры конкретного выполнения способа для случая определения времени релаксации дебаевских фононов в различных. проводниках.

П р и м е:р 2. Определение времени релаксации фононов в меди.

Для получения МК электродам придают форму иглы и плоскости (заостренная проволочка Ф О, 1 мм и торец проволочки Р 1 мм). Электроды обрабатывают.электрохимически в разбавленной ортофосфорной кислоте, монтируют в держатели и приводят в соприкосновение в криостате 5 (см. фиг.1) в жидком гелии по способу прижима или сдвига до образования MK.

Получаемые контакты подвергают тесту по виду спектра ЭФВ в ИК и отбирают для измерения тот контакт, спектр которого имеет слектральные особенности и фон (см. фиг.2, кривая 6)., В качестве источника 3 зондирующего сигнала с перестраиваемой частотой используют набор клистронных генераторов, перекрывающих. частотный диапазон (0,5-100) 10 Гц. Через контакт 1 (см. фиг.1) от источника 2 пропускают плавно возрастающий ток, создавая медленно изменяющееся напряжение смещения V в интервале 0-70 мВ, и регистрируют устройством 4 отклик на зондирующий сигнал Uy(V) при разных его частотах. На фиг.2 показано полученное таким образом семейство.

I зависимостей U (Ч), нормированных в максимуме.ТА-пика. Кривые 6-9 лежат в порядке возрастания частоты от

10 до 101 Гц. Для этих кривых определяют нормированныг значения отклика чр=U (V ) при 7 =35 мВ, которые представляют графиком (см. Фиг.3).

Экспериментальные точки аппроксимируют функцией g(f Е 1,)= D+(f/f ) ), варьируя fр. Наилучшая аппроксимация достигается при f =5 10З Гц, ей соP ответствует сплошная линия на фиг.3, кривая 11. Эту частоту принимают за частоту релаксации фононов в меди.

Для иллюстрации пунктиром нанесены кривые при близких значениях f =2 с х10 Гц (кривая 13) и 10 10 Гц (кривая 15). За время релаксации фононов в меди принимают время 7 =0,2>

«10 з с.

Пример 3. Графическое определение времейи релаксации в меди.

° По совокупности экспериментальных значений,я полученных по способу, е

1581138

10 описанному в примере 2, строят график зависимости q< (f) (см. Фиг.5).

По графику находят величину - (Ч (НЧ)- $ (ВЧ)J и соответствую1

° Ф щую ей частоту f которая равна 5 »

i10 Гц. За частоту релаксации нерав9 новесных фононов в меди принимают частоту.fр- 5 ° 109 Гц. За время репак1О сации фононов в меди принимают время

8 0,2 ° 10 с.

Пример 4. Определение времени релаксации фононов в золоте.

Электродам из золота придают такую 15 же форму, как и в случае с медью.

Электрохимическую обработку электродов проводят в разбавленной соляной кислоте. В качестве источника излучения 3 используют -клистронные генера20 торы сигналов, перекрывающие частотный диапазон (О, 1-10) 109 Гц, Через отобранный для измерения контакт в образце 1 от источника 2 подают плавно возрастающий ток, создавая плавно 25 изменяющееся напряжение смещения Ч в интервале 0"50 мВ, и регистрируют устройством 4 отклик на зондирующий сигнал U,V) при разньж его частотах . г. Кривые ь (Ч) нормйруют по максимуму ТА-пнкЬ и по ним определяют нормированное значение отклика q<=U>(V,) при V=25 мВ. Экспериментальные значения я, представленные точками на, координатной плоскости (1 ф Г) (см фиг.4 кривая,12) аппроксимируют функцией q (f, f„)= (1+(1/f ) 1 варьируя f p Лучшая аппроксимация достигается при f)=0,8 10 9 Гц, ей соответствует сплошная линия на графике. Эту частоту принимают за частоту релаксации фононов в золоте„

Для иллюстрации пунктиром приведены . кривые при близких значениях 2 р 0,3» ю109 Гц (кривая 14) и 2 109 Гц (кри- 45 вая 16). За .время релаксации фононов в золоте принимают время 2 =1,25»

ИО 9ñ.

Пример 5. Графическое опреде, ление времени релаксации фононов в SO .зблоте.

Но экспериментальным значениям строят кривую (f) (см. фиг.б).

По графику определяют величину - ((НЧ)- Q (ВЧЦ и соответствующую

1 . 55 у . ей частоту f которая равна 0,8 ..

×09 Гц. За частоту релаксации фононов в золоте принимают частоту f<

0,8 10 Гц. За время релаксации фо9 ионов в золоте принимают время n

1,25-10 с.

Применение предложенного способа позволяет определять время релаксации различных квазичастичных возбуж; дений в широком круге проводников (нормальные металлы и сверхпроводники, полуметаллы, полупронодники, сплавы).

Формула и э о б р е т е н и я

1. Способ определения времени релаксации неравновесных возбуждений, состоящий в создании энергетической перавновесности в исследуемой среде внешним источником энергии и определении времени перехода в равновесное состояние с помощью зондирующего сигнала, отличающийся .тем, что, с целью обеспечения возможности определения времени релаксации высокоэнергетических возбуждений в проводниках, из исследуемого проводника

Формируют микроконтакт диаметром Й, соизмеримым с энергетической длиной рассеяния электрона в проводнике A и длиной свободного пробега кваэичастиц, неравновесность создают путем приложения к микроконтакту постоянного напряжения смещения величиной

V =-gÄ/V, где „„- максимальная энер-. гия квазичастицы, q — заряд электрона, возбуждают в микроконтакте переменный во времени зондирующий сигнал амплитудой Ч ((V путем облучения электромагнитным излучением, частоту

f которого изменяют в диапазоне частоты релаксации неравновесных возбуждений, измеряют отклик микроконтакта и на зондирующее излучение в зависимости от частоты f этого излучения y(f), измеренную частотную зависимость аппроксимируют функцией

y(f,f ), а время релаксации определяют как величину 1/f1, где f р— значение частоты, при которой дости- 4 гается наилучшая аппроксимация, 2 ° Способ по п.1 о т л и ч а юшийся тем, что в качестве отклика я используют сигнал, пропорциональный второй производной вольт-амперной характеристики ьп1кроконтакта. I

З.,Способ по пп.1 и 2, .о т л ич а ю шийся тем, что зондирующий

158 сигнал детектируют, в качестве отклика и при,определении частоты зависимости: g (f) используют продетек тированный зондирующий сигнал U (Vp) .при напряжении смещения 1, при этом

0 регистрируют семейство Ug(V) зависимостей продетектированного зондирующего сигнала U . от .напряжения смещения

Ч при разных частотах f зондирующего сигнала, зависимости 0 (Ч) нормируют на одинаковую интенсивйость сигнала

U в той области смещений Ч, где сигнал t> не зависит от.частоты, на каждо до@ иэ,нормированных зависимостей находят значение величины нормирован» кого продетектированного зондирующего сигнала при напряжении смещения

V, представляющее нормированный сигнал отклика y, полученные при разных частотах зйачения я определяют .частотную зависимость j(f).

4. Способ по.пп.1,3, о т л и ч- аю шийся тем, что, с целью обес- печенйя возможности определений времени релаксации .высокоэнергетических (дебаевских) фононов, .создают микроконтакт, диаметр которого удовлетворяет условию 1 y

1138 12 ругая длина рассеяния фононов, прн определении часто гной зависимости

y(f) нормировку зависимости U (V) осуществляют по максимуму продетектированного зондирующего сигнала, соответствующему максимуму плотности состояний поперечных фононов, значения величины я измеряют при Vp

Ев

Г

10 — где g — край спектра плотносЭ g ти состояний фононов, полученную экспериментальную зависимость q(f) аппроксимируют кривой (,f1,) p +

15 +(/ р) 7 .

5, Способ по п.4, о т л н ч а юшийся тем, что, с целью упрощения, частоту релаксации неравновесных фононов определяют на графике экспе-:

20. риментальной эависимостА g(f) как частоту, при которой выполняется ус-; ловие равенства сигнала отклика ве» личине г = — ((НЧ)- 1 (ВЧ)), при1 (г "х

25 чем значения « (НЧ), (ВЧ) измеряют в области низких и высоких частот, где функция g(f) слабо зависит от частоты, 449. 1

1581 !Эй

00 чав

)58I138

° М у/Ц ю ю

Составитель И.Петрович

Техред М.Ходанич,- Корректор С.Шевкун

° ВЮ

Редактор Е. Кравцова

Заказ 2444 ." Тираж 380 : .. Подиисное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открьпини при ГКНТ CgCP .

113035, Москва, Ж-35, Раушскав наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патеит", r. Ужгород,,ул. Гагарина, !03

Способ определения времени релаксации неравновесных возбуждений Способ определения времени релаксации неравновесных возбуждений Способ определения времени релаксации неравновесных возбуждений Способ определения времени релаксации неравновесных возбуждений Способ определения времени релаксации неравновесных возбуждений Способ определения времени релаксации неравновесных возбуждений Способ определения времени релаксации неравновесных возбуждений Способ определения времени релаксации неравновесных возбуждений 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к производству изделий электронной техники и может быть использовано для размещения и транспортирования изделий в камерах климатических испытаний и в других технологических установках

Изобретение относится к неразрушающим методам контроля и может быть использовано для анализа полупроводниковых структур на ранних стадиях, техпроцесса

Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров твердых теп, а именно к способам определения энергии электронных состояний пленочных металлических покрытий

Изобретение относится к области производства изделий электронной техники и может быть использовано для размещения и транспортировки изделий в камерах климатических испытаний и в других технологических установках

Изобретение относится к измерениям электрофизических параметров полупроводников и может быть использовано для контроля дефектности ионно-легированных слоев полупроводника, и частности, при легировании малыми дозами

Изобретение относится к полупроводниковой технике

Изобретение относится к области метрологии электрофизических параметров твердого тела, а именно к способам определения энергии электронных состояний на поверхности металлов

Изобретение относится к электроизмерительной технике и предназначено для определения ширины коллектора высоковольтного транзистора

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх