Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках

 

Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках, включающее высокочастотный генератор, выход которого подключен к первым входам первого и второго синхронных детекторов и к первому входу первого сумматора, выход которого через первый регулируемый усилитель и второй фильтр соединен с первым входом второго сумматора, второй вход которого соединен с блоком смещения, выход которого соединен с первой выходной клеммой для подключения внешнего регистратора, первый выход второго сумматора соединен с первой клеммой для подключения исследуемой структуры и через первый фильтр с вторым входом первого синхронного детектора, выход которого соединен с второй выходной клеммой, второй выход второго сумматора через блок компенсации соединен с второй клеммой для подключения исследуемой структуры и с первым выводом первого колебательного контура, второй вывод которого соединен с общей шиной, входы первого и второго селективных усилителей подключены к первому выводу первого колебательного контура, выход первого селективного усилителя подключен к первому входу третьего синхронного детектора, выход которого через первый нуль-орган и первый RС-фильтр соединен с первым входом второго регулируемого усилителя, выход которого подключен к первому входу четвертого синхронного детектора и через аттенюатор соединен с вторым входом второго сумматора, второй вход второго синхронного детектора подключен к выходу второго селективного усилителя, а выход второго синхронного детектора соединен с первым входом схемы сравнения, второй вход которой подключен к первому источнику опорного напряжения, а выход схемы сравнения соединен с вторым входом первого регулируемого усилителя, выход фазовращателя соединен с вторым входом второго регулируемого усилителя и с вторым входом четвертого синхронного детектора, выход которого подключен к третьей выходной клемме, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения точности измерений за счет введения опорного канала, в него дополнительно введены преобразователь частоты в напряжение, блок формирования частот, блок управления, регулируемый фазовращатель, третий сумматор, второй источник опорного напряжения, второй RС-фильтр, второй нуль-орган, пятый синхронный детектор, третий селективный усилитель, четвертая выходная клемма, второй колебательный контур, первый вывод которого подключен к общей шине, а второй вывод которого соединен с первым выводом для подключения эталонного полупроводника и входом третьего селективного усилителя, выход которого через пятый синхронный детектор, второй нуль-орган, второй RС-фильтр соединен с первым входом регулируемого фазовращателя, выход которого подключен к вторым входам третьего и пятого синхронных детекторов и соединен с входом фазовращателя, второй источник опорного напряжения соединен с первым входом третьего сумматора, второй вход которого подключен к выходу второго фильтра, а выход третьего сумматора соединен с вторым выводом для подключения эталонного полупроводника, выход блока управления подключен к входу блока формирования частот, первый выход которого соединен с вторым входом регулируемого фазовращателя, второй выход блока формирования частот подключен к второму входу первого сумматора, а третий выход соединен с третьим входом первого сумматора и через преобразователь частоты в напряжение соединен с четвертой выходной клеммой.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерениям электрофизических параметров полупроводников и может быть использовано для контроля дефектности ионно-легированных слоев полупроводника, и частности, при легировании малыми дозами

Изобретение относится к полупроводниковой технике

Изобретение относится к области метрологии электрофизических параметров твердого тела, а именно к способам определения энергии электронных состояний на поверхности металлов

Изобретение относится к электроизмерительной технике и предназначено для определения ширины коллектора высоковольтного транзистора

Изобретение относится к электронной промышленности, в частности к устройствам контроля и исследования электрофизических параметров полупроводниковых структур

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения фотоэлектрических параметров примесных некомпенсированных полупроводников

Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров полупроводников и предназначено для контроля параметров полупроводниковых приборов и материалов в процессе их изготовления, а также при исследовании электрофизических параметров различных межфазовых границ с участием полупроводниковых и полуметаллических материалов

Изобретение относится к измерительным устройствам, применяемым в полупроводниковой промышленности, и может быть использовано для измерения удельного электрического сопротивления полупроводников

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх