Способ снижения воздействия деформаций земной поверхности на фундаменты зданий, сооружений при подработке
Изобретение относится к области строительства и касается способов снижения воздействия деформаций земной поверхности на фундаменты зданий, сооружений при подработке. Цель изобретения - повышение эффективности способа - обеспечивается за счет того, что траншею 2 отрывают переменной глубиной, ступенчато уменьшающейся от глубины заложения фундамента 1 до поверхности грунта. Ширину траншеи определяют в зависимости от глубины заложения фундамента 1, угла внутреннего трения и угла трения о фундамент материала засыпки. 1 ил.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИН
А1 (19) (И) (51)5 Е 02 I) 35/00
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К ASTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ
llO ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ П.(НТ СССР (21) 4650383/23-33 (22) 06,12.88 (46) 30. l1.90, Бюл, № 44 (71) Всесоюзный научно-исследовательский институт горной геомеханики и маркшейдерского дела (72) С.Г, Синопальников (53) 624.159(088.8) (56) Руководство по проектированию зданий и сооружений на подрабатываемых территориях: Промышленные и гражданские здания. Ч.II. M.: Стройиздат, 1986, с. 99-101. (54) СПОСОБ СНИЖЕНИЯ ВОЗДЕЙСТВИЯ
ДЕФОРМАЦИЙ ЗЕМНОЙ ПОВЕРХНОСТИ НА
ФУНДАМЕНТЫ ЗДАНИЙ, СООРУЖЕНИЙ ПРИ
ПОДРАБОТКЕ
2 (57) Изобретение относится к области . строительства и касается способов снижения воздействия деформаций земной поверхности на фундаменты зданий, сооружений при подработке. Цель изобретения — повышение эффективности способа — обеспечивается за счет того, что траншею 2 отрывают переменной глуби) ой, ступенчато уменьшающейся от глубины заложения фундамента 1 до поверхности грунта. Ширину траншеи определяют в зависимости от глубины заложения фундамента 1, угла внутреннего трения и угла трения о фундамент материала засыпки. 1 ил.
1609876
ctg а6 = tg (45 + p/2) ctgg;
q, — t.g (45 + g /2) „Чо ) Чо, (1/= arctg -, „5 + 2 ctg 2„1 ц + отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности способа, траншею отрывают переменной глубиной ступенчато уменьшающейся от глубины заложения фундамента до поверхности грунта, и шириной, определяемой из соотношения
aü h ctgg, 25
30 где а
ctg g=
Формула изобретения
Составитель Т. Пономарева
Редактор Т, Лазоренко Техред М,Дидык КоРРектоР Т. Малец
Заказ 3709 Тираж 532 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101 изобретение относится к строительству и касается способов снижения воздействия деформаций земной поверхности на фундаменты зданий, сооружений, при подработке.
Йелью изобретения является повышение эффективности способа. па чертеже схематично изображен фундамент (воздействие деформаций эем ой поверхности при подработке на кот рый снижается предлагаемым способрм), поперечный разрез. Способ осуществляют следующим образ ом.
Перед подработкой эксплуатируемых .! зданий, сооружений боковой поверхнос! — угол внутреннего трения материала засыпки; (— угол трения материала засыпки о о фундамент;
- I — безразмерный коэффициент для
Ф определения пассивного давления грунта.
Предлагаемый способ позволяет значительно уменьшить боковое давлениЬ грунта на фундаменты зданий, сооружений при подработке, что повышает эффективность снижения воздействия на них деформаций земной поверхности.
Способ снижения воздействия деформаций земной поверхности на фундаменты зданий, сооружений при подработке, включающий отрывку траншеи у боковой поверхности фундамента со стороны, обращенной к направлению действия горизонтальных деформаций земной поверхности, и засыпку траншеи материалом с малым сцеплением, ти фундаментов 1 со стороны, обращенной к направлению действия горизонтальных деформаций земной поверхности, отрывают траншеи 2 и производят засыпку траншеи материалом 3 с малым сцеплением. Траншеи 2 отрывают переменной глубиной, ступенчато уменьшающейся от глубины заложения фундамента до поверхности грунта, и шириной, определяемой иэ соотношения
a h . ctgg где а — ширина траншеи;
h — глубина заложения фундамента; ширина траншеи; глубина заложения фундамента; ф (45 + ф2)ctgg;
I qî tg> (45 + Ч/2)
+ tg (45 +g/2)
yctg — )
2 ) 2 угол внутреннего трения материала засыпки; угол трения материала засыпки о фундамент; безразмерный коэффициент для определения пассивного давления грунта.
