Импульсный излучающий модуль

 

Изобретение относится к импульсной техн ике и может быть использовано , например, в системах оптической локации. Целью изобретения является повышение помехозащищенности при одновременном снижении габаритов и массы. Устройство содержит лавинный транзистор lj резисторы 2 и 8, провода Зи 10линии связи, конденсаторы 4 и 6, клемму 5, излучающий диод 7, шину 9 питания. Повышение помехозащищенности достигается в результате уменьшения объема токового контура и тем, что применен один канал связи, выполненный в виде экранированной/ коаксиальной линии. 1 ил.

А1

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕС11УБЛИН (19) Ш) (51)5 Н 01 8 3/18, Н 03 К 4/08 . 1.. .;4Ы; "1, „, I ит-.::тк:-;.., .:;ъ с, .

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

H А ВТОРСКОМЪГ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4450388/21 (22) 27.06.88 (46) 28.02.91. Бюл.№ 8 (71) Белорусский государственный

: университет им.В.И.Ленина (72) В.Г.Пикулик (53) 621.373(088.8) (56) Дьяконов В.П. Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах. И.: 1973, с.151, рис,5 ° 2

Журнал ПТЭ ¹ 5, 1986, с.12,,рис.5 (54) ЮЖУЛЬСНЫЙ ИЗЛУЧАЮЩИЙ МОДУЛЬ (57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано, например. в системах оптической локации. Целью изобретения является повышение помехозащищенности при одновременном снижении габаритов и массы. Устройство содержит лавинный транзистор 1 резисторы 2 и 8, .провода 3 и 10линйи связи, конденсаторы

4 и 6, клемму 5, излучающий диод 7, шину 9 питания. Повышение помехозащищенности достигается в результате уменьшения объема токового контура и тем, что применен один канал связи, выполненный в виде .экранировайной, коаксиальной линии. 1 ил.

1631645

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использова- но, например, в системах оптической локации.

Цель изобретения - повышение помехозащищенности при одновременном снижении габаритов и массы.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема устройства.

Устройство содержит лавинный транзистор 1, база которого через первый резистор 2 соединена с эмиттером, через первый провод 3 линии связи с первой обкладкой конденсатора 4, вторая обкладка которого соединена с входной клеммой 5 устройства, накопительный элемент 6, излучающий диод 7, второй резистор 8, первый вывод которого соединен с шиной 9 питания, второй провод 10 линии связи, первый вывод накопительного элемента 6 соединен с эмиттером лавинного транзистора 1, второй вывод — со вторым проводом 10 линии связи и через,излучающий диод 7 — с коллектором лавинного транзистора 1, второй вывод второго резистора 8 соединен с первой обкладкой конденсатора 4, второй провод линии связи соединен с корпусом устройства.

Устройства работает следующим образом.

При включении источника питания (Е) происходит заряд накопительного элемента 6 до напряжения, близкого к напряжению пробоя коллекторного перехода лавинного транзистора 1.

Ток заряда протекает по цепи: шина

9 источника Е, — резистор 8 — первый, провод 3 линии связи — резистор 2— элемент 6 — второй провод 10 линии — заземленный полюс источника F..

Запуск устройства импульсами положительной полярности производится следующим. образом. Для отпирания лавинного транзистора импульс, амплитудой 1-3 В и длительностью около

10 нс, поступает на вход коаксильной линии через конденсатор 4. Пройдя по линии, импульс вьд6ляется на ее конце. Конец линии нагружен на коллекторный переход транзистора, а через накопительный элемент 6 к нему параллельно подключены согласующий резистор 2 и эмиттерный переход лавинного транзистора 1. Сопротивление обратно смещенного коллекторного перехода и сопротивление эмиттерного перехода

f5

t транзистора при нулевом смещении велики, поэтому линия практически нагружена на резистор 2, сопротивление которого выбирается несколько большим волнового сопротивления линии. Емкость накопительного элемента состав9 ляет величину порядка 2 10 Ф, поэтому за время протекания через него тока запускающего импульса напряжение на элементе 6 практически не изменяется (например, при токе в импульсе, равном 20 мА, за время 10 с изменение напряжения не превысит

0,1 В). Инжекция эмиттера начинается в момент, когда напряжение между.ним и базой достигает уровня 0,3-0,5.В.

При лавинном включении транзистора короткий токовый импульс амплитудой в десятки ампер формируется в контуре: накопительный элемент — лавинный транзистор - излучающий диод. Соединение линии связи с элементами устройства в соответствии с чертежом позволило разместить токозадаюший резистор 8 и входной разделительный конденсатор 4 вне корпуса модуля, совместить каналы питания устройства по постоянному току и сигналу управления в один канал. Низкий уровень мощности, необходимый для управления работой лавинного транзистора, позволил применить в устройстве коаксиальную линии с малыми геометрическими( размерами — микрокоаксиальную линию.

Полезнь|м результатом данного решения является уменьшение размеров модуля и улучшение его теплового режима.

В оптических импульсных портативных системах излучающий и приемный узлы располагаются в непосредственной близости. В этой связи положительный эффект, который реализуется в заявленном устройстве на основе применения коаксиальной линии связи, заключается в снижении уровня помехи, создаваемой мощным токовым импульсом накачки лазерного диода. Увеличение помехозащищенности модуля достигается за счет уменьшения объема токового контура и тем, что применен один канал связи, выполненный в виде экранированной, коаксиальной линии, имеющей одну точку соединения ее на-. ружного проводника с общей шиной внешних цепей, а все элементы модуля, находящиеся в его экраниэирующем корпусе, не имеют с ним гальванической связи;

1631645

Формула изобретения

Составитель А. Горбачев

Техред А. Кравчук Корректор Н. Король

Редактор В.Ковтун

Заказ 552 Тираж 303 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по.изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент" ° г.ужгород, ул. Гагарина,101

Импульсный излучающий модуль, содержащий лавинный транзистор, база которого через первый резистор соединена с эмиттером, через первый провод линии связи с первой обкладкой конденсатора, вторая обкладка которого соединена с входной клеммой устройства, накопительный элемент, излучающий диод, второй резистор, первый вывод которого соединен с шиной питания, отличающийся тем, что, с целью повышения помехозащищенности при одновременном снижении габаритов и массы, первый вывод накопи5 тельного элемента соединен с эмиттером лавинного транзистора; второй вывод — с вторым проводом линии связи и через излучающий диод — с коллектором лавинного транзистора, второй вывод второго резистора соединен с первой обкладкой конденсатора, вто-, рой провод линий связи соединен с корпусом устройства.