Устройство для выращивания кристаллов из растворов

 

Изобретение относится к технике получения искусственных кристаллов и обеспечивает повышение надежности работы устройства и упрощение его конструкции. Устройство содержит кристаллизационный сосуд со штоком, установленным с возможностью вращения. На штоке закреплена консоль, на конце которой установлена мешалка . Ось вращения мешалки расположена горизонтально перпендикулярно консоли. На концах лопастей мешалки установлены кристаллодержатели. Устройство обеспечивает спиральное перемещение кристаллов без использования привода вертикального перемещения штока. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (sx)s С 30 В 7/00

ГОСУДАPСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4651526/26 (22) 16.02.89 (46) 07.05.91. Бюл. М 17 (71) Витебское отделение Института физики твердого тела и полупроводников АН БССР (72) В.В.Клубович, Н.К.Толочко, В,M.Êîíäðàшов и Е.В.Семенович (53) 621.315.592 (088.8) (56) Современная кристаллография. Т, 3,—

М.: Наука, 1980, с. 287, рис. 147. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ

КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРОВ (57) Изобретение относится к технике получения искусственных кристаллов и обес. Изобретение относится к выращиванию кристаллов из раствора и может быть использовано для получения пьезоэлектрических, пироэлектрических, электрооптических и других технически важных кристаллов.

Целью изобретения является повышение надежности работы устройства и упрощение его конструкциии.

На чертеже изображено устройство, продольный разрез.

Устройство включает кристаллизационный сосуд 1 и кристаллодержатели 2.

Средство спирального перемещения кристаллодержателей 2. содержащее пропеллерную мешалку 3, установленную с возможностью свободного вращения относительно горизонтальной оси, которая закреплена на консоли 4, Консоль закреплена на штоке 5, установленном с возможностью вращения вокруг вертикальной оси. Затра- вочные кристаллы 6 установлены в кристал,, «Ы„„1б47043 А1 печивает повышение надежности работы устройства и упрощение его конструкции.

Устройство содержит кристаллизационный сосуд со штоком, установленным с возможностью вращения. На штоке закреплена консоль, на конце которой установлена мешалка..Ось вращения мешалки расположена горизонтально перпендикулярно консоли, На концах лопастей мешалки установлены кристаллодержатели. Устройство обеспечивает спиральное перемещение кристаллов без использования привода вертикального перемещения штока. 1 ил. лодержателях 2, которые размещены на концах лопастей мешалки 3.

Устройство работает следующим образом.

Затравочные кристаллы 6 закрепляют на кристаллодержателях 2. Заполняют кристаллизационный сосуд 1 раствором и создают условия пересыщения. Приводят во вращение шток 5, При этом мешалка 3, двигаясь по окружности в растворе, приходит во вращение вокруг собственной оси. В результате кристаллы 6 совершают спиральное движение, равномерно омываясь раствором. За счет вращения штока 5 и мешалки 3 с кристаллами 6 весь раствор интенсивно перемешивается, Пример. Использование устройствапри выращивании кристаллов дигидрофосфата калия (КДР).

Емкость кристаллизационного сосуда

10 л. Длина штока 15 см, консоли 6 см, Пропеллерная мешалка имеет четыре лопасти с размерами 4,5 2 см и углом наклона

1647043

Составитель В,Захаров-Черненко

Техред М,Моргентал Корректор В.Гирняк

Редактор H. Рогулич

Заказ 1380 Тираж 265 Подписное

БНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101

45 Кристаллодержатели имеют стержни длиной 1,5 см, диаметром 0,5 см, на которых с помощь,о полихлорвиниловой трубки закреплены затравочные кристаллы КДР с размерами вдоль оси Z 10 мм, вдоль оси

Х 10 мм, Ось Z параллельна оси вращения мешалки.

Температура насыщения раствора

48 С, температура роста 44,5 С, Длительность выращивания 24 ч. Скорость вращения штока 60 об/мин, мешалки 60 об/мин.

Герметичный ввод вращательного движения штока в кристаллизатор осуществляют с помощью гидрозатвора.

К концу цикла выращивания средний прирост кристаллов составляет вдоль оси

Z8,,0 мм, вдоль оси Х 3,2 мм. Плотности дислокаций на кристаллографически одинаковых гранях соответственно равны и составляют для граней пирамиды

6 10 см, призмы 7 10 cM . Запаразичивание раствора не наблюдалось.

Таким образом, устройство при сохранении условий омывания кристаллов раствором, достигаемых применением известного устройства, конструктивно упрощено эа счет устранения специального механизма для возвратно-поступательного вертикального движения и узла герметично5 го ввода указанного вида движения в кристаллизатор.

Формула изобретения

Устройство для выращивания кристал10 лов иэ растворов, содержащее кристаллизационный сосуд и средство спирального перемещения кристаллодержателей, включающее шток, установленный с воэможностью вращения вокруг вертикальной оси, 15 о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения надежности в работе устройства и упрощения его конструкции, средство спирального перемещения выполнено в виде горизонтальной консоли, закреплен20 ной на штоке, на конце которой размещена пропеллерная мешалка, установленная с возможностью свободного вращения отно. сительно горизонтальной оси, перпендикулярной к консоли, а кристаллодержатели

25 закреплены на концах лопастей мешалки.

Устройство для выращивания кристаллов из растворов Устройство для выращивания кристаллов из растворов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов оксидов сурьмы и может быть использовано в акустооптике и как композиционный материал для создания сверхпроводящих материалов

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов стибио-танталата калия и может быть использовано в пъезотехнике

Изобретение относится к технологии получения кристаллического , который может быть использован в неорганической химии, акустооптике , пьезотехнике

Изобретение относится к технологии выращивания молекулярных кристаллов , которые могут быть использованы в квантовой электронике, нелинейной оптике

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов и может быть использовано для скоростного выращивания водно-растворимых кристаллов для нелинейной оптики

Изобретение относится к способу выращивания монокристаллов йодата лития гексагональной модификации и позволяет повысить однородность оптических элементов, изготовляемых из монокристаллов

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов на основе сегнетоэлектрического соединения ортотанталата сурьмы Sb(SbxTa1-x)O4 (x=0,25 моль) и может быть использовано в пироэлектрической, пьезоэлектрической области, а также в химической технологии для создания родственных композиционных материалов

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов (Sb1-xBix)NbO4 (x = 0,4 моль) и может быть использовано в пьезоэлектрической, пироэлектрической области, а также в химической технологии для создания композиционных материалов различного назначения

Изобретение относится к скоростному выращиваниюнию водорастворимых кристаллов, например, типа KH2PO4 (КДР)

Изобретение относится к кристаллогидрату полисиликата натрия и способу его получения, который может быть использован в качестве гелеобразующего компонента, например, при изготовлении теплоизоляционных материалов, при создании высококачественных минеральных уплотнительных слоев из связанных грунтов, в нефтедобывающей промышленности при гидроизоляции

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов, в частности к способам получения синтетических монокристаллов кварца гидротермальным методом на затравку

Изобретение относится к способам получения кристаллических люминофоров

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов и сростков кристаллов в домашних условиях для декоративных целей

Изобретение относится к выращиванию кристаллов из водных растворов и может быть использовано для скоростного выращивания монокристаллов заданной формы и кристаллографической ориентации, например, кристаллов группы КДР
Наверх