Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью

 

Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью, содержащее регистр, n фотоэлектрических преобразователей, каждый из которых состоит из последовательно соединенных фотоприемника и прибора с зарядовой связью, входы фотоприемников соединены с шиной смещения, первые и вторые входные затворы каждого прибора с зарядовой связью соединены соответственно с первой и второй шинами управления считыванием, выходы приборов с зарядовой связью соединены с выходом ключа сброса и входом усилителя, выход которого является выходом устройства, управляющий вход ключа сброса является входом СБРОС устройства, а коммутационный вход - с шиной питания, отличающееся тем, что, с целью повышения точности и скорости считывания информации, оно содержит две группы ключей, выходы соответствующих ключей каждой группы соединены с выходными затворами соответствующих приборов с зарядовой связью, коммутационные входы ключей первой группы соединены с шиной напряжения считывания, а коммутационные входы ключей второй группы соединены с шиной нулевого потенциала, входы регистра являются входами управления считыванием устройства, а последний выход - синхронизирующим входом устройства, каждый m-ый выход регистра соединен с управляющим входом соответствующего ключа первой группы ключей и управляющим входом предыдущего ключа второй группы ключей.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к приборам с переносом заряда

Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано в системах обработки оптической информации
Изобретение относится к технической физике, в частности к приборам с зарядовой связью (ПЗС), к их считывающим устройствам, служащим для преобразования зарядового сигнала в выходной сигнал электрического напряжения

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Изобретение относится к электронной технике и микроэлектронике, а именно к линиям передачи

Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к интегральным транзисторным структурам типа MOS

Изобретение относится к наноэлектронике

Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к технике изготовления твердотельных приборов и интегральных схем с использованием СВЧ плазменного стимулирования в условиях электронного циклотронного резонанса (ЭЦР), а также к технологии плазменной обработки в процессе изготовления различных полупроводниковых структур

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно - к интегральным логическим элементам СБИС

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным логическим элементам СБИС

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой микроэлектроники
Наверх