Способ изготовления контактных растров

 

Изобретение относится к способу изготовления контактных растров. Цель-расширить технологические возможности способа за счет изменения градационной характеристики и линиатуры растра. Для этого используют два проекционных растра 2,3. Экспонирование осуществляют одновременно через оба растра. Устанавливают растры последовательно с возрастающей линиатурой по направлению распространения экспонирующего излучения. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

союз советских

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)ю G 03 F 5/00

ГОСУДАРСТВЕН1ЫИ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4680900/12 (22) 18.04.89 (46) 23.06.91. Бюл. hk 23 (71) Украинский политехнический институт им. Ив.Федорова и Украинский научно-исследовательский институт полиграфической промышленности с экспериментальным производством и вычислительным центром (72) М.В.Шовгенюк, Г,Г.Лебедь, P.P.Мервинский, И.Д.Чуприна и Н.И.Кмить (53) 655.36 (088,8) (56) Контактные растры. — М.: ВНИИПП, 1961, с, 71-83..Я2 „1658120 А1 (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТАКТНЫХ РАСТРОВ (57) Изобретение относится к способу изготовления контактных растров. Цель-расширить технологические воэможности способа за счет изменения градационной характеристики и линиатуры растра. Для этого используют два проекционных растра 2,3.

Экспонирование осуществляют одновременно через оба растра. Устанавливают растры последовательно с возрастающей линиатурой по направлению распространения экспонирующего излучения. 1 э.п. ф-лы, ил.

1(Я)

ЬЭ

1658120

Изобретение относится к области полиграфии, в частности к технологии растровых процессов, и обеспечивает воэможность использования оптических методов управления линиатурой растрового поля для получения контактного растра с линиатурой, которая меньше линиатуры используемого проекционного растра, изобретение может быть использовано также при решении ряда задач оптической обработки информации на основе применения растровых систем, Цель изобретения — расширение технологических возможностей способа за счет изменения градационной характеристики и линиатуры контактного растра, На чертеже дана оптическая схема двойной растровой системы.

В качестве источника освещения служит экспонирующая диафрагма 1, которая характеризуется линейными размерами го, а ее конфигурация задает распределение освещенности в плоскости диафрагмы. На расстоянии р от экспонирующей диафрагмы расположен проекционный растр 2 с линиатурой vi и на расстоянии q> от проекционного растра 2 проекционный растр 3 с линиатурой тг, На расстоянии Ог от проекционного растра 3 формируют дифрагированное растровое поле, которое регистрируют фотографической пленкой

4 для получения контактного растра. R = р+

+ q< + q2 — базовое расстояние двойной растровой проекционной системы.

Способ изготовления контактного растра, линиатура которого меньше, чем линиатура проекционного растра, основан на явлении дифракции в двойной растровой системе. Как показывает теоретический анализ, формирование дифрагированного растрового поля происходит в результате взаимодействия двух пространственно-периодических волновых полей. При этом результирующая частота мр растрового поля формируется по правилу свертки двух фурье-спектров. Согласно этому правилу каждая пространственная частота, формируемая вторым растром, одновременно служит вторичным центром пространственных частот, формируемых первым растром.

Таким образом, образовываются новые комбинационные частоты, кратные частоте т р =! u> -nI, которыеэадаютчастотуформируемого растрового поля в плоскости 4, Этим объясняется возможность использования проекционных растров стандартных линиатур 2,4 — 6,0 мм 1 для получения контактных растров с линиатурой меньше 2;4 мм

-1

Для получения контактного растра необходимо, чтобы при заданной его базовой

15 линиатуре vp соседние элементарные ячейки были строго одинаковы. так как незначительные отклонения в симметрии ячеек неизбежно приводят к возникновению полос муара, Для этого проекционные растры располагают в строго определенном положении. Выполнение этого условия достигают тем, что в зависимости от исходных линиатур проекционных растров их взаимное положение удовлетворяет следующему соотношению

F> v> = Fzvz (1) где F> и Гг = являются

Ра1 Р1чг

p+ql q +Ог приведенным растровыми расстояниями проекционных растров 2 и 3. Линиатура растра 2 меньше линиатуры растра 3.

Использование двойной растровой системы позволяет также оптическим путем формировать требуемый профиль распределения освещенности элементарной ячейки растрового поля в плоскости 4 фотографической пленки и тем самым достигнуть оптимальной градационной характеристики контактного растра.

Определение оптиМального растрового расстояния задают масштабом дифракции

Френеля, P =AFv, (2) где А — средняя длина волны излучения источника освещения.

Установлено. что для изготовления контактного растра существенное значение имеет дифракция на РастРе 3, которая характеризуется определенным значением масштаба дифракции /4 . Очевидно, что величина масштаба /4 задается величиной приведенного растрового расстояния Рг

40 растра 3. Фокусирующие свойства двойной растровой системы соответствуют значениям масштаба дифракции /3z в пределах

0,1 — 0,2 (принимается значение Х, соответствующее максимуму спектральной чувст45 вительности фотографической пленки).

При малых расстояниях цфг < 0,1) проявляется эффект дробления элементарной ячейки и, таким образом, невозможно сформировать требуемый профиль элемента

5р контактного растра. При больших расстояниях цг(Д > 0,2) резко падает контраст формируемого растрового поля. Следовательно, только в определенном интервале изменения расстояния Ог можно получить контактный растр с заданным профилем элементарной ячейки.

Вторым важным параметром. характеризующим условия изготовления контактного растра с заданной градационной характеристикОЙ, являются размеры экспо1658120 нирующей диафрагмы. Для предложенной двойной растровой системы влияние диафрагмы учитывается параметром характеризующим величину проекции диафрагмы размеров rp в плоскости фотографической пленки относительно периода контактного растра. Размеры экспонирующей диафрагмы ro выбирают иэ условия, что величина параметра К находится в пределах

0,2 — 0,9.

Экспонирование с помощью диафрагмы малых размеров обеспечивает формирование ядра элементарной ячейки контактного растра, Уменьшение размеров экспонирующей диафрагмы, что соответствует значениям параметра К < 0,2, не дает желаемых результатов, так как фокусирующие свойства системы в большей степени определяются условиями дифракции.

Увеличение величины диафрагмы, что соответствует значениям параметра К > 0,9„ приводит к сильному смыканию ячеек контактногоо растра и резкому падению контраста, что приводит к уменьшению интервала оптических плотностей контактного растра.

Для формирования заданного профиля элементарной ячейки контактного растра и, следовательно, оптимальной градационной характеристики контактного растра экспонирование производят за двумя и более диафрагмами. Причем, изменяя конфигурацию экспонирующей диафрагмы, получают различную форму изоденс контактного растра и, следовательно, различную структуру растровых элементов.

Особенностью использования двойной растровой системы является то, что формирование высокого контраста растрового поля, необходимого для получения контактного растра с интервалом оптических плотностей в пределах 0,9 — 1,5, достигают при больших значениях расстояния

q2, причем q2 > q1. что невозможно реализовать в простой растровой системе с одним растром, Пример 1 (по известному способу).

Выбирают проекционный растр с частотой

-1 т 3,0 мм . Изготовление контактного растра производят на установке с базовым расстоянием от источника (диафрагмы) до плоскости .фотопленки R = 1062 мм. Для изготовления контактного растра применяют фототехническую пленку ФТ-31. Для заданного проекционного растра величину растрового расстояния определяют расчетным путем при значении р -3,0: с1-(4 х 3 х х 3 х 0,00045) = 20,6 мм. что согласно формуле (1) соответствует масштабу дифракции P - 0,08. Экспонирование производят с помощью круглой диафрагмы.

Размеры экспонирующей диафрагмы определяют расчетным путем: малая диафрагма при значении K = 0,17 и большая диафрагма при значении К = 0,66, что для заданной растровой установки соответствует следующим значениям диаметра диафрагмы: 3 и

11 мм, Устанавливают проекционный растр на заданное растровое расстояние от плоскости фотопленки и производят экспонирование за двумя диафрагмами: за малой диафрагмой время экспонирования 3 мин, эа большой диафрагмой 1 мин.

После химико-фотографической обработки фотопленки получают контактный растр с частотой 3.0 мм . По известной методике

-1 определяют градационную характеристику полученного контактного растра.

Пример 2. Выбирают два проекционных растра следующих линиатур: первый растр v> = 2.4 мм, второй растр12

-1

-1

= 3,0 мм, Изготовление контактного растра производят на установке с базовым расстоянием R = 1062 мм. Расчетным путем находят, что для выбранных линиатур проекционных растров соотношение (1) выполняется при следующих значениях расстояний: q> = 63 мм и q2 =

182 мм. Эти данные соответствуют масштабу дифракции на втором растре:

jb =0.00045 Х Х 3 =0,19 . Экс63 Х 182 понирование производят с помощью круглой диафрагмы. Размеры экспонирующей диафрагмы рассчитывают по формуле (3): малая диафрагма при К = 0,24. что соответствует диаметру диафрагмы 6 мм; большая диафрагма при К = 0,87, что соответствует диаметру диафрагмы 22 мм. После установки проекционных растров на расстояниях q> и о2 от плоскости фотопленки производят экспонирование эа двумя диафрагмами: за малой диафрагмой время экспонирования

10 мин. за большой диафрагмой 3 мин. После химико-фотографической обработки экспонированной фотопленки получают контактный растр с частотой 0,6 мм . По известной методике определяют градационную характеристику полученного контактного растра. В описанном режиме получают S-образную градационную характеристику контактного растра с круглой формой растровых элементов, интервал оптических плотностей контактного растра равен 1.1.

1658120 с цепеобраэной структурой элементов (типа

Градар).

Формула изобретения

1. Способ изготовления контактных

5 растров, заключающийся в экспонировании фотографической пленки через экспонирующую диафрагму и проекционный растр, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможно10 стей способа за счет изменения градационной характеристики и линиатуры контактного растра, дополнительно используют второй проекционный растр, при этом экспонирование осуществляют одновре15 менно через оба растра, которые устанавливают последовательно с возрастающей линиатурой по направлению распространения экспонирующего излучения, причем расстояние между плоскостями растров и

20 расстояние от плоскости растра до плоскости фотографической пленки определяют из следующего соотношения;

РФ 4щ2

P +01 01+%

У1

25 где v1, э — линиатуры растров соответственно; р — расстояние между плоскостью диафрагмы и плоскостью растра с меньшей линиатурой; р > — расстояние между плоскостями растров;

qz — расстояние от плоскости растра до плоскости фотографической пленки;

2. Способ по п1, от л и ч а ю шийся

35 тем, что линейный размер экспонирующей диафрагмы выбирают из соотношения где го — размер диафрагмы, 40

Сравнение с примером 1 показывает что для проекционного растра vi - 3,0 мм использование двойной растровой системы дает воэможность оптическим путем уменьшить его линиатуру в 5 раэ. Более того, условия изготовления контактного растра обеспечиваются при растровом расстоянии

qz, величина которого примерно на один порядок больше, чем для простой растровой системы.

Пример 3. Выбирают два проекционных растра следующих линиатур: первый растр И - 2,4 мм, второй растр мг 4.0 мм, Используют ту же установку, что в примере

2. Для выбранных растров соотношение (1) выполняют при следующих значениях расстояний: qg - 43 мм, qz - 58 мм. Согласно (2) получают, что масштаб дифракции на втором растре равен Pz - 0,18. После установки проекционных растров на заданные расстояния qi u qz экспонирование фотопленки

ФТ-31 производят за одной круглой диафрагмой диаметра r< - 46 мм, что согласно (3) соответствует значению К - 0,45. После химико-фотографической обработки по примеру 2 получают контактный растр с линиатурой 1,6 мм . Градационная характеристика полученного растра приближается к линейной зависимости. Интервал оптических плотностей растра 1,4.

fl р и м е р 4. Условия изготовления контактного растра соответствуют данным примера 3 эа исключением диафрагмы, которую выбирают в форме прямоугольника размером 50 х 25 мм параллельно направлению линий проекционных растров. Получают контактный растр с частотой 1,6 мм

Составитель Л.Носырева

Техред г1.Моргентал Корректор Т,Палий

Редактор Е.Пвпп

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 1712 Тираж 293 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5