Контактное устройство для контроля параметров сильноточных полупроводниковых приборов

 

Изобретение относится к области контроля электрических параметров полупроводниковых приборов, в частности р-п-структур, работающих при больших инжекциях носителей заряда в области лавинного пробоя, преимущественно структур большой площади. Цель изобретения - повышение достоверности контроля приборов с плоскими хрупкими контактными поверхностями . Для исследования, например, переходных характеристик лавинных полупроводниковых структур токовый провод 13 подключают к стержню 6 с помощью гаек 14, а потенциальный измерительный провод 15 подключают одним концом к стержню 6 в местах крепления чаши 7, а другим концом к высокочастотному разъему 16 для соединения с испытательной установкой . Усилие, приложенное к ручке 17, перемещает стержень 6 вверх вместе с контактирующим элементом 8, который смещается от поверхности основания 4 на расстояние Н, достаточное для свободного размещения контролируемого прибора 5 в гнезде основания. После размещения прибора медленным опусканием стержня 6 до упора 11 приводят в соприкосновение кромки контактирующих элементов 8 с поверхностью испытуемого прибора 5. Замену контролируемого прибора осуществляют путем поднятия, а затем медленного опускания стержня 6. 2 з.п. ф-лы, 3 ил. f« fe о о о о ю о 1

СОЮЗ СО8ЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

llO ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4682966/21 (22) 24.04,89 (46) 07.11.91. Бюл. N. 41 (71) Отделение Всесоюзного научно-исследовательского. проектно-конструкторского и технологического института источников токе Научно-производственного объединения "Квант," г. Кишинев (72) С.И.Баранов, В.B.Håãðåñêóë, В.А.Фокин и Б.С.Чиник (53) 621.317.4(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

t4 902109, êë. Н 01 1 21/66, 1980.

Патент США РЬ 3764944, кл. 335/2, 1973. (54) КОНТАКТНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ СИЛЬНОТОЧНЫХ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ (57) Изобретение относится к области контроля электрических параметров полупроводниковых приборов, в частности р-п-структур, работающих при больших инжекциях носителей заряда в области лавинного пробоя, преимущественно структур большой площади. Цель изобретения — по Ы,, 1690026 А1

16 для соединения с испытательной установкой. Усилие, приложенное к ручке 17, перемещает стержень 6 вверх вместе с контактирующим элементом 8, который смещается от поверхности основания 4 на расстояние l), достаточное для снободного размещения контролируемого прибора 5 в гнезде основания. После размещения прибора медленным опусканием стержня 6 до упора 11 приводят в соприкосновение кромки контактирующих элементов 8 с поверхностью испытуемого прибора 5. Замену контролируемого прибора осуществляют путем поднятия, а затем медленного опускания стержня 6. 2 з.п. ф-лы, 3 ил, 1690026

25

35

50

Изобретение относится к области контроля электрических параметров полупроводниковых приборов, в частности р-п-структур, работающих при больших инжекциях носителей заряда в области лавинного пробоя, преимущественно структур большой площади.

Цель изобретения — повышение достоверности контроля приборов с плоскими хрупкими контактными поверхностями, На фиг.1 изображено устройство для контроля параметров полупроводниковых приборов в рабочем. положении; на фиг.2— подпружиненный торцевой контакт в момент времени, когда стержень находится в положении, размыкающим токопроводящую цепь; на фиг.3 — то же, в положении, замыкающем токопроводящую цепь.

Контактное устройство содержит корпус 1 из диэлектрического материала с направляющими в виде втулок 2 и 3 с цилиндрическими отверстиями, электропроводящее основание 4 с гнездом для контролируемого прибора 5, размещенного в нижней части корпуса с возможностью перемещения вдоль одной иэ осей, перпендикулярной оси корпуса. В направляющих корпуса смонтирован подпружиненный токопроводящий стержень 6 с выступом в торцевой части и с упругим контактом в виде тонкостенной осесимметричной чаши 7, а на дне чаши прикреплен перевернутый стакан 8 с закругленной кромкой стенок, соприкасающейся с полупроводниковой структурой 5. Перемещение стержня вниз ограничивается устройством ограничения, состоящим, например, из сегмента 9. жестко закрепленного на стержне, и регулируется микрометрическими винтами 10, упирающимися на опоры 11. Устойчивость исходного положения стержня 8 обеспечивает механизм прижима в виде витой пружины 12, установленный на стержне.

Электрический ток подводится к стержню проводом 13, который прикрепляется гайками 14, а потенциальный регистрирующий сигнал снимается с помощью провода 15.и розетки 16. Стержень приводят в движение, например, вручную с помощью ручки 17 или с помощью линейного двигателя. Первоначальное усилие упругого контакта на контролируемый прибор 5 регулируют с помощью винта 18.

Конструктивно упругий контакт выполнен в виде тонкостенной осесимметричной чаши, жестко прикрепленной кромкой к выступу стержня в торце, а контактирующий элемент — в виде перевернутого стакана с закругленной кромкой стенок и закрепленного жестко к внешней поверхности дна чаши. Такое исполнение упругого контакта увеличивает площадь контактирования с контролируемым прибором, уменьшает массу контакта, что в свою очередь расширяет диапазон регулирования в сторону меньших усилий на контролируемый прибор и уменьшает динамические усилия, действующие на контакт во время опускания стержня, а также обеспечивает симметричность электрического поля в испытуемом приборе, что является необходимым, например, при исследовании переходной характеристики прибора.

Устоойство работает следующим образом.

Для исследования, например, переходных характеристик лавинных полупроводниковых структур токовый провод 13 подключают к стержню 6 с помощью гаек 14, а потенциальный измерительный провод 15 подключают одним концом к стержню 6 в местах крепления чаши, а другим концом— к высокочастотному разьему 16 для соединения с испытательной установкой. Усилие, приложенное к ручке 17, перемещает стержень 6 вверх вместе с контакти рующим элементом 8, который смещается от поверхности основания 4 на расстояние I>, достаточное для свободного размещения контролируемого прибора 5 в гнезде основания, После размещения прибора медленным опусканием стержня 6 до упора 11 приводят в соприкосновение кромки контактирующего элемента 8 с поверхностью испытуемого прибора 5. Проводят измерения. Калибровку устройства производят путем установления винтами 10 расстояния I между кромкой контактирующего элемента

8 и дном гнезда основания 4, Расстояние I устанавливают либо непосредственно измерением, либо с помощью калибровочных пластин путем вращения микрометрических винтов 10. Величину I устанавливают для каждой партии контролируемых приборов, имеющих одинаковую толщину h, Замену контролируемого прибора осуществляют путем поднятия, а затем медленного опускания стержня 6.

Формула изобретения

1. Контактное устройство для контроля параметров сильноточных полупроводниковых приборов, содержащее корпус с направляющими, основание с токопроводящим гнездом для контролируемого прибора и механизм прижима, в направляющих к;.рпуса смонтирован подпружиненный токопроводящий стер. жень с упругим контактом, размещенным с возможностью контактирования с контролируемым прибором, о т л и ч а ю щ е е с я

1690026

Составитель Н.Шмелев

Техред М,Моргентал Корректор С. Шевкун

Редактор В. Данко

Заказ 3818 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета.по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101 тем, что, с целью повышения достоверности контроля приборов с плоскими хрупкими контактными поверхностями, упругий контакт выполнен в виде тонкостенной осесимметричной чаши, обращенной дном в сторону гнезда для контролируемого прибора, при этом на дне закреплен контактирующий элемент в форме перевернутого стакана с закругленной кромкой стенок, 2. Устройство по п,1, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что подпружиненный токопроводящий стержень снабжен односторонним ограничителем его перемещения с возможностью регулирования величины перемещения.

3. Устройство по п.1, о т л и ч а ю щ е е5 с я тем, что упругий контакт выполнен с центральным отверстием и снабжен ограничителем перемещения упругого контакта, например, в виде винта с торцевым выступом, установленного через отверстие упру10 гого контакта в торец подпружиненного стержня.

Контактное устройство для контроля параметров сильноточных полупроводниковых приборов Контактное устройство для контроля параметров сильноточных полупроводниковых приборов Контактное устройство для контроля параметров сильноточных полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых структур при производстве интегральных микросхем

Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров полупроводников

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в технологическом цикле изготовления МДП - транзисторов и интегральных схем на их основе

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, и частности к способу контроля пористости диэлектрических пленок, может быть использовано для контроля дефектности пленок SiOЈ в процессе изготовления полупроводниковых приборов и ИС по планарной технологии

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при контроле параметров полупроводниковых пластин и структур

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх