Регулируемая линия задержки на поверхностных акустических волнах

 

Изобретение относится к акустоэлектронике и может быть использовано в системах связи, в устройствах обработки сигнальной информации. Целью изобретения является расширение относительного - диапазона регулирования времени задержки без увеличения габаритов звукопровода. Регулируемая линия задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ) содержит бидоменную пластину-звукопровод, выполненную из монокристалла сегнетоэластика - сегнетоэлектрика редкоземельного молибдата гадолиния, тербия или других Изобретение относится к акустоэлектронике и может быть использовано в качестве регулируемой линии задержки (РЛЗ) на поверхностных акустических волнах (ПАВ) в различных радиоэлектронных устройствах обработки сигнальной информации. Целью изобретения является расширение относительного диапазона регулирования времени задержки без увеличения габаритов звукопровода. На чертеже схематично изображена РЛЗ на ПАВ. изоморфных редкоземельных молибдатов, два домена которой разделены плоской доменной , границей, а две нлоские базовые грани параллельны полярным граням монокристалла , имеющим кристаллографические индексы (001). Базовая грань бидоменной пластины-звукопровода выполнена в форме фрагмента круговой цилиндрической поверхности радиуса R. сопряженной с плоскими базовыми гранями звукопровода. Величина R выбрана из соотношения: R 8 АО, где До длина волны ПАВ на частоте акустического синхронизма встречно-штыревых преобразователей (ВШП)ПАВ. Входной и выходной ВШП ПАВ выполнены идентичными друг другу и ориентированными своими штыревыми электродами под углом относительно плоскости доменной границы. Акустические оси ВШП параллельны кристаллографическому направлению 010. На плоских базовых гра; нях расположены управляющие электроды, подсоединенные к регулируемому источнику постоянного электрического напряжения . 1 ил. Регулируемая линия задержки на ПАВ содержит бидоменную пластину-звукопровод 1, выполненную из монокристалла сегнетоэластика - сегнетоэлектрика редкоземельного молибдата гадолиния, тербия или других изоморфных им редкоземельных молибдэтов, два домена которой разделены плоской доменной границей 2. а две плоские базовые грани 3 и 4 параллельны полярным граням монокристалла, имеющим кристаллофизические индексы ). С о ю ю 00

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 Н 03 Н 9/30

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

1 о

О, О

QQ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4174291/63 (22) 05.01.87 (46) 15.11.91. Бюл. й. 42 (72) А.Н.Алексеев, Г.В.Вере1цагин, Н.А.Дугина, А.С,Королев и А.Л.Проклов (53) 621.374.5; Ь 621.8.034.3(088,8) (56) Патент США М 4117424; кл. 333-30, опублик, 1980. (54) РЕГУЛИРУЕМАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ

НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ

ВОЛНАХ (57) Изобретение относится к акустоэлектронике и может быть использовано в системах связи, в устройствах обработки сигнальной информации. Целью изобретения является расширение относительногодиапазона регулирования времени задержки без увеличения габаритов звукопровода.

Регулируемая линия задержки на поверхностных акустических волнах (flAB) содержит бидоменную пластину-звукопровод, выполненную из монокристалла сегнетоэластик — сегнетоэлектрика редкоземельного молибдата гадолиния, тербия или других

Изобретение относится к акустоэлектронике и может быть использовано в качестве регулируемой линии задержки(РЛЗ) на поверхностных акустических волнах (IlAB) в различных радиоэлектронных устройствах обработки сигнальной информации.

Целью изобретения является расшире- ние относительного диапазона регулирования времени задержки без увеличения габаритов звукоп ровода.

На чертеже схематично изображена

РЛЗ на ПАВ.

Я2,, 1691928 А I изоморфных редкоземельных молибдатов, два домена которой разделены плоской доменной. границей, а две плоские базовые грани параллельны полярным граням монокристалла, имеющим кристаллографические индексы (001). Базовая грань бидоменной пластины-звукопровода выполнена в форме фрагмента круговой цилиндрической поверхности радиуса R, сопряженной с плоскими базовыми гранями звукопровода. Величина R выбрана из соотношения: R 84, где.4 длина волны ПАВ на частоте акустического синхронизма встречно-штыревых преобразователей (ВШП) ПАВ. Входной и выходной ВШП ПАВ выполнены идентичными друг другу и ориентированнйми своими штыревыми электродами под углом относительно плоскости, доменной границы. Акустические оси ВШП параллельны кристаллографическому направлению (010). На плоских базовых гранях расположены управляющие электроды, подсоединенные к регулируемому источнику постоянного электрического напряжения. 1 ил.

Регулируемая линия задержки на ПАВ содержитбидоменную пластину — звукопровод 1, выполненную из монокристалла сегнетоэластика — сегнетоэлектрика редкоземельного молибдата гадолиния, тербия или других изоморфных им редкоземельных молибдатов, два домена которой разделены плоской доменной границей 2, а две плоские базовые грани 3 и 4 парал- лельны полярным граням монокристалла, имеющим кристаллофизические индексы (001).

t 691928

4 °

Боковая грань 5 бидоменной пластины звукопровода 1 выполнена в форме круговой цилиндрической поверхности радиуса

R, сопряженной с плоскими базовыми гранями 3 и 4 звукопровода 1. Величина R выбрана из соотношения R > 8 ß, гдето-длина волны ПАВ на частоте акустического синхронизма встречно-штыревых преобразователей (ВШП) 6 и 7 ПАВ. Входной и выходной

ВШП 6 и 7 выполнены идентичными друг другу и ориентированными своими штыревыми электродами под углом л/4 относительно плоскости доменной границы 2.

Акустические оси ВШП 6 и 7 параллельны кристаллографическому направлению {010).

На плоских базовых гранях 3 и 4 расположены управляющие электроды 8 и 9, подсоединенные к регулируемому источнику 10 постоянного электрического напряжения.

Регулируемая линия задержки на ПАВ работает следующим образом.

При приложении радиочастотного сигнала к входному ВШП 6 встречно-штыревого типа в силу обратного пьезоэффекта возбуждается поверхностная акустическая волна, распространяющаяся llO поверхности плоской базовой грани 3 домена в направлении его доменной границы 2, по достижении которой ПАВ отражается от нее и распространяется по поверхности плсской базовой грани 3 домена в направлении боковой грани 5, выполненной в виде фрагмента круговой цилиндрической поверхности, сопряженной с плоскими базовыми гранями 3 и 4. Пройдя по боковой грани 5, отраженная от доменной границы 2 ПАВ попадает на противоположную плоскую базовую грань 4 и распространяется по ее поверхности внаправле,нии доменной греницы 2, а по достижении ее вновь отражается от доменной . границы 2 и распространяется далее в направлении выходного ВШП 7 встречно-штыревого типа, на злек гродах которого в силу прямого пьезоэффекта детектируется в виде выходного радиочастотного сигнала, задержанного относительно входного. При этом время задержки выходного сигнала относительно входного определяется длиной акустического канала: ВШП будоменная граница 2-Фбоковая грань 5-удоменная граница 2- ВШП 7.

При приложении от регулируемого источника 10 к управляющим электродам 8 и

9 постоянного электрического напряжения, превышающего соответствующее коэрцетивное значение для данного монокристалпического материала, доменная граница 2 смещается по звукопроводу 1 в ту или иную сторону в зависимости от знака приложения постоянного электрического напряжения, в результате чего изменяется длина участка:

ВШП 6- доменная граница 2 и доменная граница 2-.эВШП 7 акустического канала и, как следствие, время задержки выходного радиочастотного электрического сигнала относительно входного.

Формула изобретения

Регулируемая линия задержки на поверхностных акустических волнах, содержащая звукопровод, выполненный из монокристалла в ниде бидоменной пластиу = arCsin VÃ2/2(— ");

R «83,, ны с двумя плоскими базовыми гранями, параллельными полярным граням монокристалла, входной и выходной встречно-штыревые преобразователи поверхностных акустических волн, причем входной преобразователь расположен под углом л/4 относительно плоскости доменной границы бидоменной пластины, отличающаяся тем, что, с целью расширения относительного диапазона регулирования времени задержки без увеличения габаритов звукопровода, боковая грань бидоменной пластины выполнена s форме фрагмента круговой цилиндрической поверхности, сопряженной с плоскими базовыми гранями, входной и выходной встречно-штыревы преобразователи расположены друг под другом, а радиус кривизны круговой цилин дрической поверхности R и угол умеждуоб разующей этой поверности и йлоскостью доменной границы удовлетворяют соотношению где V 1 и Vi — скорости распространения поверхностных акустических волн по плоским базовым граням звукопровода в направлениях, соответственно параллельном и перпендикулярном акустическим осям встречно-штыревых преобразователей:

Яо — длина поверхностной акустической волны.

Составитель Н.Гусева

Техред M.Ìîðãåèòàë

Корректор М.Шароши

Редактор А.Лежнина

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101

Заказ 3933 Тираж Подписное

8НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5