Кл i

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

179819

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетсльства №

Кл, 21с, 54о1

Заявлено 02.1.1964 (№ 874049/24-7) с присоединением заявки ¹

Приоритет

МПК Н 01с

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.316.842 — 181.4 (088.8) Опубликовано 28.111966. Бюллетень № 6

Дата опубликования описания 14.й .1966

Авторы изобретения

А. А. Жаринов, Е. Г. Никандров и Н. П. Стафеева

Заявитель

СПОСОБ ПОДГОНКИ СОПРОТИВЛЕНИЙ

Предмет изобретения

Способ подгонки сопротивлений, выполненных в впдс катушек из микропровода в стеклянной изоляции, путем терглического старения жилы, отличающийся тем, что нагрев жилы микропровода осуществляют пропусканием через нее кратковременных импульсов электрического тока после процесса спекания катушек.

Известный способ подгонки сопротивлений, изготовленных на основе микропровода в стеклянной изоляции, основанный на изменении сопротивления в процессе искусственной стабилизации при нагреве жилы микропровода, неприемлем для подгонки спеченных катушек сопротивления, так как изменение величины сопротивления может происходигь при более высоких температурах, чем температура спекания, что приводит к разрушению контактного узла сопротивления.

Предлагаемый способ заключается в том, что, с целью осуществления подгонки сопротивлений, выполненных в виде спеченных катушек, нагрев жилы микропровода осуществляют пропусканием через нее кратковременных импульсов электрического тока большой плотности.

Наиболее просто импульсную подгонку можно осуществить посредством разряда через катушку сопротивления электрического конденсатора. Меняя разность потенциалов на обкладках конденсатора и величину его емкости, можно легко управлять режимом импульсной подгонки и осуществлять точный контроль за изменением сопротивления. Для подгонки сопротивления к номиналу требуется 8 — 12 циклов. Подгонку осуществляют при температуре 900 С. Во время прохождения импульса тока жила микропровода нагревается до более высокой температуры, чем температура спекания микропровода. При этом происходит дальнейшее искусственное состаривание жилы и изменяется величина электрического сопротивления. За время импульса стеклоизоляция не успевает нагреться до высоких температур и разрушиться.

При импульсной подгонке кристаллическая структура жилы не меняется, однако, устраняется текстура и происходит незначительное изменение параметров кристаллической решетки. Новый способ дает возможность изменять величину сопротивления на 5 — 10% и обеспечивает точность подгонки сопротивлений к номинальному значению -0,020/с.