Способ изготовления изделий из иттрий-бариевого высокотемпературного сверхпроводника
Способ изготовления изделий из иттрий-бариевого высокотемпературного сверхпроводника, включающий формование изделия, нагрев его до 950oC, термообработку при данной температуре и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения критических параметров сверхпроводника и сокращения длительности процесса, термообработку проводят в течение 50-60 мин, в процессе охлаждения изделия проводят дополнительную термообработку при 400-450oC в течение 50-60 мин, при этом нагревание изделия, термообработку и дополнительную термообработку осуществляют путем электронного облучения, причем энергию электронов выбирают исходя из соотношения R > d, где R - пробег электронов в сверхпроводнике, d - толщина изделия.
Похожие патенты:
Изобретение относится к способу нанесения тонкослойных покрытий из сверхпроводящих материалов на подложку
Изобретение относится к электронике, а именно к получению на поликоровых (поликристаллический Al2О3) подложках токопроводящих элементов и покрытий в виде толстых пленок на основе соединений системы Bi-Sr-Ca-Cu-O, обладающих сверхпроводимостью при температурах выше температуры кипения жидкого азота (высокотемпературная сверхпроводимость ВТСП)
Изобретение относится к способам получения сверхпроводящего тонкого слоя из оксидного материала
Изобретение относится к сверхпроводимости Цель изобретения - повышение величины критического тока за счет создания текстурированных пленок
Сверхпроводящая планарная структура // 1639364
Изобретение относится к области получения магнитных полей заданной величины с использованием явления высокотемпературной сверхпроводимости
Способ изготовления полых стержней из высокотемпературной сверхпроводящей металлокерамики // 1625300
Изобретение относится к технологии изготовления изделий из высоко температурных сверхпроводящих металлокерамик
Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении электронных приборов и устройств, работа которых основана на сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 K
Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано для изготовления электронных приборов и устройств, работающих в сверхвысокочастотном диапазоне частот, с уровнем собственных шумов, приближающимся к квантовому порогу, работа которых основана на явлении высокотемпературной сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 К
Изобретение относится к области измерительной техники, а точнее к способам измерения параметров сверхпроводящих материалов, в частности силы пиннинга
Изобретение относится к области получения сверхпроводников, сверхпроводящих композиций и проводников на их основе
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных схем и гибридных интегральных схемах для изготовления сверхпроводящих квантовых интерференционных детекторов и других высокотемпературных сверхпроводящих толстопленочных элементов
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов сверхпроводниковых соединений для производства устройств сверхпроводниковой электроники
Изобретение относится к сверхпроводниковой технике, в частности к формированию структуры типа SIS
