Способ изготовления полых стержней из высокотемпературной сверхпроводящей металлокерамики

 

Изобретение относится к технологии изготовления изделий из высоко температурных сверхпроводящих металлокерамик. Целый изобретения является упрощение технологии итготовления при получении изделий заданной конфигурации и состава. Способ изготовления полых стержней из высокотемпературной сверхпроводящей металлокерамики , включающий погружение формы открытым концом и расплав металлокерамики и создание пониженного давления в форме, заключается в том, что расплав получают при температуре

СООЗ СОЕЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕС1ТУБЛИН

А1

„„Я0„„1625300 (51) 5 01 L> 39/24

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ь© . ©4 погружение формы открьиым,концом в расплав мвталлокерамнки и создание пониженного давления в форме, заключается в том, что расплвв получа» вт при температуре (1100- 150)):С ив Ф смеси порошков, соответствующих клас.-. су иеталлокерамики Bi-Sr-Са-Си-g,,в качестве формы используют трубку из материала, легко сиачиваемого рвспла-. вом, наприиер кварца, величину поки-aemaro давления и. диаметр трубки

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НбМИТЕТ

fig ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЬП ИЯМ

ПРИ ПСНТ СССР (46) 23,06,92. Бюл, У 23 (21) 4665052/25 (22) 22,03,89 (71) Ин титут физики твердого тела и полупроводников АН БССР. (72) F.,È.Ãoëoëoáoâ, Н,A.Ïðûòêoâà, Ж.И.Томило и Н.M.IIIHìàíñêaÿ (53) 32 1, 313.(088.8) (56) Jun Akimitsu, Akira Jamazaki, Pirosy Sava et а1, Superconductivity

in the Bi-Si-Cu-О System. Jap. Journ.

of Appl. Phys. 1987, 26, М 12, j» 2080-2081.

Авторское свидетельство СССР

В 1296294, кл. В 22 С 18/06, 1984. (54) СПОСОБ ИЭГОТОВЛЕ!!ИЯ ПОЛЫХ СТЕРЖ)IEA ИЗ ВЫСОКОТЕ!1ПЕГАТУРИОЙ СВГPXHPOВОДЯП1ЕИ ИЕТАЛЛОКЕРАИИ(И (57) Изобретение относится к технологии изготовления иэделий из высоко. температурных сверхпроводящих метлл- . локерамик. Целью изобретения явля-. ется упрощение техньлагки изготовле- ния при получении иэделий заданной конфигурации и состава. Способ изготовления полых стержней из высокоИзобретение относится к области технологи и изготовления иэделий из вггсокотемператуных сверхпроводящих ггэталлокерамик.

Целью изобретения является упро пение технологии изготовления при получении иэделий заданной конфнгу. ргщни н состава.

Способ изготовления полых стерзвей из высокотемпературной сверхпро

si дяагей метаплокерамики включающий температурной сверхпроводящей металлокерамики, включзющий погружение формы открытым концом в расплав металлокерамики и .создание пониженного давления в форме, заключается в там, что расплав получают при температуре (I 100-I 1S0 C) из смеси порошков, соответствующих классу иетащгокерамики Bi-Sg-Са-Си-О, в качестве формы используют трубку иэ материала, net- ко смачиваемого расплавом, например кварца, величину пониженного давления и диаметр трубки выбирают тцким, чтобы расплав эа счет сил сцеплениЯ

r внутренней поверхностью трубки поднимался вдоль стенок вертикально установленной трубки, затем трубку с расплавом охлаждают со скоростью. (400-500) С/мин до комнатной температуры и проводят отжиг изделия при С температуре (820-850) С в течение (! 5-2 5) ч. Данная технология позволяет сохранить у получаемых изде-, лий заданные сверхпроводящие проч- ностные характеристики.

Способ изготовления полых стержней из высокотемпературной сверхпроводящей металлокерамики Способ изготовления полых стержней из высокотемпературной сверхпроводящей металлокерамики 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для создания сквидов и измерительных приборов на их основе

Изобретение относится к получению материалов , обладающих сверхпроводимостью

Изобретение относится к технике СВЧ-измерений и может быть использовано для контроля параметров сверхпроводящих СВЧ-резонаторов путем импульсного теплового воздействия на внутреннюю поверхность резонатора и измерением временной зависимости температуры внешней поверхности с последующей обработкой амплитудно-временных характеристик полученных сигналов

Изобретение относится к технологии изготовления цилиндрического сверх проводящего резонатора для метрологии и ускорительной техники

Изобретение относится к технике измерения при исследовании свойств сверхпроводников

Изобретение относится к области исследования материалов, а именно к технике спектроскопии квазичастичных возбуждений в твердых телах

Изобретение относится к области изготовления сверхпроводящих СВЧ- устройств

Изобретение относится к изготовлению сверхпроводяпр х материалов Целью изобретения является расплтрение технических возможностей за счет увеличения твердости и прочности на сжатие сверхпроводящего материала

Изобретение относится к СВЧ- технике

Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении электронных приборов и устройств, работа которых основана на сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 K

Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано для изготовления электронных приборов и устройств, работающих в сверхвысокочастотном диапазоне частот, с уровнем собственных шумов, приближающимся к квантовому порогу, работа которых основана на явлении высокотемпературной сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 К

Изобретение относится к области измерительной техники, а точнее к способам измерения параметров сверхпроводящих материалов, в частности силы пиннинга
Изобретение относится к области получения сверхпроводников, сверхпроводящих композиций и проводников на их основе

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных схем и гибридных интегральных схемах для изготовления сверхпроводящих квантовых интерференционных детекторов и других высокотемпературных сверхпроводящих толстопленочных элементов
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов сверхпроводниковых соединений для производства устройств сверхпроводниковой электроники
Изобретение относится к сверхпроводниковой технике, в частности к формированию структуры типа SIS
Наверх