Способ обработки иттрий-бариевых высокотемпературных сверхпроводников

Авторы патента:

H01L39/24 - способы и устройства для изготовления или обработки предусмотренных в H01L 39/00 приборов или их частей (не предназначенные специально для этой цели H01L 21/00; магнитное разделение сверхпроводящих материалов от других материалов, например с использованием эффекта Мейснера, B03C 1/00)[2]

Способ обработки иттрий-бариевых высокотемпературных сверхпроводников, заключающийся в облучении сверхпроводника потоком электронов, отличающийся тем, что, с целью повышения значений плотности критического тока и температуры перехода в сверхпроводящее состояние, облучением потоком электронов нагревают сверхпроводник до 400-620^oC и выдерживают его при этой температуре в течение 40-60 мин, причем энергию электронов выбирают исходя из соотношения R > d, где R - пробег электронов в сверхпроводнике, d - толщина сверхпроводника.

Способ изготовления изделий из иттрий-бариевого высокотемпературного сверхпроводника // 1752153

Способ получения фазы bi2sr2cacuocuo8- путем кристаллизации из расплава // 1748587

Способ изготовления сверхпроводящего устройства планарного типа // 1738104

Изобретение относится к способу нанесения тонкослойных покрытий из сверхпроводящих материалов на подложку

Способ получения толстых пленок, обладающих высокотемпературной сверхпроводимостью // 1736312

Изобретение относится к электронике, а именно к получению на поликоровых (поликристаллический Al2О3) подложках токопроводящих элементов и покрытий в виде толстых пленок на основе соединений системы Bi-Sr-Ca-Cu-O, обладающих сверхпроводимостью при температурах выше температуры кипения жидкого азота (высокотемпературная сверхпроводимость ВТСП)

Способ изготовления сверхпроводящих пленок // 1715152

Изобретение относится к сверхпроводимости

Способ получения сверхпроводящего тонкого слоя оксидного материала // 1678219

Изобретение относится к способам получения сверхпроводящего тонкого слоя из оксидного материала

Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников // 1651704

Изобретение относится к сверхпроводимости Цель изобретения - повышение величины критического тока за счет создания текстурированных пленок

Сверхпроводящая планарная структура // 1639364

Способ получения магнитного поля заданной величины внутри магнитного экрана // 1639363

Изобретение относится к области получения магнитных полей заданной величины с использованием явления высокотемпературной сверхпроводимости

Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводящего перехода джозефсона // 2105390

Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении электронных приборов и устройств, работа которых основана на сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 K

Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводящего перехода джозефсона // 2107358

Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано для изготовления электронных приборов и устройств, работающих в сверхвысокочастотном диапазоне частот, с уровнем собственных шумов, приближающимся к квантовому порогу, работа которых основана на явлении высокотемпературной сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 К

Способ формирования многослойных структур с разными электрофизическими свойствами // 2107973

Сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик и способ его изготовления // 2133525

Способ получения структуры металл/диэлектрик/высокотемпературный сверхпроводник // 2156016

Способ бесконтактного определения эффективности центров пиннинга в сверхпроводниках // 2160485

Изобретение относится к области измерительной техники, а точнее к способам измерения параметров сверхпроводящих материалов, в частности силы пиннинга

Способ повышения критического тока сверхпроводника // 2172043

Изобретение относится к области получения сверхпроводников, сверхпроводящих композиций и проводников на их основе

Способ изготовления интегральных схем со сверхпроводящими компонентами // 2181222

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных схем и гибридных интегральных схемах для изготовления сверхпроводящих квантовых интерференционных детекторов и других высокотемпературных сверхпроводящих толстопленочных элементов

Способ получения высокотемпературных сверхпроводниковых соединений // 2182194

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов сверхпроводниковых соединений для производства устройств сверхпроводниковой электроники

Способ формирования многослойных структур из материала yвaсuо с двух сторон подложки // 2189090

Изобретение относится к сверхпроводниковой технике, в частности к формированию структуры типа SIS