Способ отбраковки резистивной структуры с нелинейной рабочей характеристикой

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)з G 01 R 31/02

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР .

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4802727/21 .(22) 26.12.89 (46) 23.09.92. Бюл, N. 35 (71) Киевский политехнический институт им.

50-летия Великой Октябрьской социалистической революции (72) С.Ф.Панов и Л.H,Ùåðáàê . (56) Сборник тезисов докладов научно-технической конференции "Проблемы качества и надежйости иэделий электронной техники, радиоэлектронной аппаратуры и средств управления", — Минск, 1-2 декабря

1988 r., с. 129-130; статья Сердюка Г.Б. и др.

Флуктуации йелинейности как информативный параметр при электрофизическом диагностировании обьектов. (54) СПОСОБ ОТБРАКОВКИ РЕЗИСТИВНОЙ СТРУКТУРЫ С НЕЛИНЕЙНОЙ PAGOЧЕЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ (57) Изобретение относится к контрольноизмерительной технике и может быть использовано для получения диагностической информации при определении технического,, SU„„1764001 А1 состояния элемейтов на входном контроле, а также различных участках технологического процесса изготовления электронной техники. Целью изобретения является повышение достоверности результатов отбраковки. Способ заключается в одновременной подаче на контактные площадки резистивной структуры испытательного напряжения в виде суммы двух переменных напряжений с частотами со 1 и в 2, а также постоянного напряжения смещения. Амплитуды укаэанных переменных напряжений устанавливают одинаковыми, частоты в i è вз выбирают из интервала f20„.200) кГц, соотношение этих частот устанавливают как (402 — N 1)/ 1 < N, где N изменяют в пределах от 0,002 до 0,05; соотношение между амплитудой Ч- переменных напряжений и З постоянным напряжением смещения Ч устанавливают равным Ч < 0,02 Vmax выделяют и измеряют на резистивной структуре с нелинейной рабочей характеристикой напряжения разностной частоты, а о годности

1764001

10

35 резистивной структуры судят по величине отклонения от эталонного значения отношения напряжения раэностной частоты к постоянному напряжению смещения Ч

Устройство, реализуюшее способ, содержит источник 1 переменного двухчастотного напряжения, источник 2 постоянного напряжения, фильтр 3, селективный микровольтметр

4 и двухкоординатный самописец 5. Изобретение повышает достоверность отбраковки

Изобретение относится к контрольноизмерительной теМнике и может быть использовано для получения первичной диагностической информации при определении технического состояния элементов на входном контроле, а также в процессе изготовления.

Цель изобретения — повышение достоверности результатов отбраковки за счет выявления скрытых дефектов в процессе их изготовления.

Поставленная цель достигается тем, что в известном способе отбраковки резистивных структур с нелинейной рабочей характеристикой, включающем подачу на их контактные площадки иСпытательного пе. ременного напряжения в виде суммы двух напряжений и постоянного напряжения смещения, измерения напряжения на разностной частоте, на контактные площадки подают переменное напряжение суммы двух частот с одинаковыми амплитудами и устанавливают их соотношение (N2 ц>>)/N1< N где >ч изменяется в пределах от 0,0025 до

0,05, причем соотношение между постоянным и переменным напряжениями устанавливается Ч., < 0,02 V . .л, частоты в1 и Nz выбирают из интервала (20„.200) кГц, а о годности резистивной структуры судят по величине отклонения от эталонного значения отношения напряжения разностной частоты к по стоянному напряжению смещения.

На чертеже представлена структурная схема устройства, реализующая предложенной способ отбраковки резистивных структур с нелинейной рабочей характеристикой.

Устройство содержит двухчастотный источник 1 переменного-напряжения, исрезистивных структур, при этом упрощается анализ и оценка качества контроля этих структур, снижаются ресурсные затраты при проведении испытаний на надежность.

Изобретение обеспечивает оперативность получения первичной диагностической информации, высокую чувствительность и может быть использовано в автоматизированных системах производства резистивных структур. 1 ил. точник 2 постоянного напряжения, например генератор пилообразного напряжения, фильтр 3, селективный микровольтметр 4 и двухкоординатный самописец 5. Выходы источника 1 переменного и постоянного 2 напряжений соединены с входом фильтра 3 и первым входом самописца 5, а также с первым выводом объекта 6 контроля, второй вывод которого соединен с общим выводом.

Выход" фильтра 3 через микровольтметр 4 соединен с вторым входом самописца 5.

Устройство работает следующим образом, Электрический двухчастотный сигнал с

15. близкими частотами 6О1и N Q, находящимися в диапазоне(20;..200) кГц, и одинаковыми амплитудами с выхода источника 1 переменного напряжения подают на контактные площадки резистивной структуры б. Второй

20 составляющей стимулирующего сигнала является постоянное напряжение, подаваемое на структуру от источника 2 постоянного напря>кения, которое служит для вь>бора рабочих исходных точек выб ран25 ного интервала измерения параметров не. линейности рабочей характеристики резистивной структуры. На укаэанной структуре происходит преобразование переменного двухчастотного сигнала, что про30 является в расширении дискретного спектра переменного сигнала с образованием ряда новых составля>ощих, Самой большой по мощности является спектральная составляющая на наименьшей разностной частоте Nz — N 1. Поэтому. в качестве информационного сигнала выбирают напряжение на наименьшей раэностной частоте.

Предварительную фильтрацию производят с помощью фильтра 3, а затем с помощью селективного микровольтметра 4. Такой порядок операций определяет последователь° ность получения первичной диагностической

1764001

Составитель Е.Березов

Редактор М.Кузнецова Техред М.Моргентал Корректор Н.Бучок

Заказ 3455 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101 информации в виде отношения напряжения разностной частоты Vp к постоянному напряжению смещения Ч- и получения окончательной информации на двухкоординатном самописце 5 в виде Чр/V-, На чувствительность результатов измерений оказывает влияние амплитуда переменногО двухчастотного сигнала. Чем меньше V тем более тонкие эффекты динамической вольт-амперной характеристики резистивной структуры могут быть выявлены с помощью предлагаемого способа, В связи с этим необходимо при реализации способа выполнение условия V < 0,02V-,<. Соотношение интервала частот(в2 — а) 1}/ в 1< N, где и изменяют в пределах от 0,0025 до 0,05, устанавливается экспериментальным путем, выход за границы (20...200} кГц не приводит к получению положительного эффекта по предлагаемому способу.

Изобретение повышает достоверность резистивных структур, при этом упрощаетсА анализ и оценка качества KOHTpotlsl этих структур, снижаются ресурсные затраты при проведении испытаний на надежность.

Изобретение. обеспечивает оперативность получения первичной диагностической информации, высокую чувствительность и может быть использовано в автоматизированных системах производства резистивн ых структур.

Формула изобретения

Способ отбраковки резистивной структуры с нелинейной рабочей характеристикой, включающий одновременную подачу

5 на контактные площадки резистивной структуры с нелинейной рабочей характеристикой испытательного переменного напряжения в виде суммы двух переменных напряжений соответствующих частот to 1, 10 в2 и постоянного напряжения смещения, измерение на резистивной структуре с нелинейной рабочей характеристикой напряжения на разностной частоте, о т л и ч а юшийся тем, что, с Целью повышения

15 достоверности результатов отбраковки, амплитуды указанных переменных напряжений устанавливают одинаковыми, частоты со1 и аког укаэанных напряжений выбирают из интервала 20-200 кГц, а их со20 отношение устанавливают как (вр о 1)/в1 < N, где N изменяют в пределах

0,002-0,05, причем соотношение между амплитудами переменных напряжений Ч„и постоянным напряжением смещения Ч

25 устанавливают равным Ч,< 0,02 Ч max, а:о годности резистивной структуры судят f10 величине отклонения от эталонного значения отношения напряжения на разностной частоте к постбянному напряжению смеще30 ния V,