Накопитель для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах. Целью изобретения является упрощение конструкции накопителя. Накопитель содержит магнитоодноосную пленку, на которой расположены один над другим первый 2, второй 3 и третий 4 токопроводящие слои, разделенные диэлектриком. Накопитель включает резисторы хранения информации, которые информационно связаны с регистром ввода-выводг. Регистр ввода вывода концом подключен к генератору доменов , а другим - к узлу считывания. Регистры хранения информации выполнены в виде отверстий 9 в токопроаодящем слое 2, отверстий 10 а слое 3 и отверстий 11 в слое 4. В слоях 2,3 и 4 выполнены зазоры 12,13 и 14. Зазоры 12 и 13 имеют зигзагообразную ферму и смещены друг относительно друга на 180°, а зазор 14 имеет ширину, равную периоду регистра продвижения. Слои 2 и 3 через слой 4 подключены к источникам тока. Пленка расположена в магнитном токе смещения . Выполнение зазора в слое 4 шириной , равной периоду регистра продвижения, а зазоров в слоях 2 и 3 зигзагообразной формы, сдвинутых на 180°, позволяет организовать встречное движение в регистрах хранения, и отпадает необходимость в дополнительном четвертом токопрояодящем слое, что упрощает конструкцию накопителя. 1 з.п. ф-лы, 3 ил. LO XI XS К-2

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (s>)s G 11 С 11/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

K АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ I

Ь (21) 4459102 !24 (22) 12,07.88 (46) 23.10.92, Бюл. М 39 (71) Специальное конструкторско-технологическое бюро Донецкого Физико-технического института АН УССР (72) Г.Ф.Темерти, H3,А.Службин и B,È.Êóрочкин (56) Заявка Японии f4 58-56180, кл. G 11 С 11/14, опублик. 1983.

Заявка Японии М 58-56191, кл. 6 11 С 11/14, опублик. 1983. (54) НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрИческих магнитных доменах. Целью изобретения является упрощение конструкции накопителя. Накопитель содержит магнитоодноосную плен ку, на которой расположены один над другим первый 2, второй 3 и третий 4 токопроводящие слои, „„. Ж„„17 /Ю87 А1 разделенные диэлектриком, Накопитель включает резисторы хранения информации, которые информационна связаны с регистром ввода-вывода, Регистр ввода вывода одним концом подключен к генератору доменов, а другим — к узлу считывания. Регистры хранения информации выполнены в виде QTBGpcTNA 9 в токопроводящем слое 2, отверстий 10 в слое 3 и отверстий 11 в слое

4. В слоях 2,3 и 4 выполнены зазоры 12,13 и

";4. Зазоры 12 и 13 имеют зигзагообразную форму и смещены друг относительно друга на 180, а зазор 14 имеет ширину, равную периоду регистра продвижения, Слои 2 и 3 через слой 4 подключены к источникам тока.

Пленка расположена в магнитном токе смещения. Выполнение зазора в слое 4 шириной, равной периоду регистра продвижения, а зазоров в слоях 2 и 3 зигзагообразной формы, сдвинутых на 180 ; позволяет организовать встречное движение в регистрах хранения, и отпадает необходимость в дополнительном четвертом токопроводящем слое, что упрощает конструкцию накопителя. 1 з,п. ф-лы, 3 ил, 1770987

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использованоо при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Целью изобретения является упрощение конструкции накопителя.

На фиг.1 показана структурная схема предлагаемого накопителя; на фиг.2 — конструкция накопителя в области зазоров между зонами в регистрах; на фиг,3 представлена диаграмма токов упрэвления регистрами хранения информации.

Накопитель для запоминающего устройства на ЦМД содержит магнитооднаосну(а пленку 1, на.которай расположены один над другим первый 2, второй 3 и третий 4 такапроводящие слои, разделенные диэлектриком.

Накопитель (фиг,1) включает регистры хранения информации 5, которые представляют собой замкнутые в кольцо регистры продвижения. Регистры хранения накопителя информационна связаны с регистром ввода-вывода 6, который одним концом подключен к генератору доменов 7, а другим — к узлу считывания 8, Регистры хранения информации (фиг,21 выполнены в виде отверстий 9 в такапровадя(цем слое 2 и отверстий 10 в токапровадящем слое 3, смещенных друг относительно друга в направлении продвижения ЦМД на половину пространственного периода, и отверстий 11 в токаправодящем слое 4, смещенных па отношению K отверстиям 9 и 10 нв четверть пространственного периода регистра продвижения в направлении перемещения ЦМД. Для образования встречного движения ЦМД в соседних канала.". регистров 5 чередование отверстий 9 и 10 изменена на обратное. В токаправодящих слоях

2,3,4 выполнены зазоры 12, 13, 14, При этом в такапровадящих слоях 2 и 3 зазоры 12, 13 выполнены зигзагообразной формы и смещены друг относительно друга на 180", в зазор 14 в такоправодящем слое 4 выполнен шириной, равной периоду регистра продвижения, Токаправодящие слои 2 и 3 кзкопителя чер з таколроводящий слой 4 падкл(ачены к источникам переменного така 15 и 16, токи которых сдвинуты па фазе друг относительна друга на четверть периода. Магнитаадноасный материал расположен в пОстОяннОм мягнитнам поле смещения, саэдвваемам узлом 17, Работа накопителя основана на перемещение ЦМД путем взаимодействия их с переменным ва времени и пространстве магнитным полем, саэдэваемым протекающими по такаправадящим-слоям 2,3,4 с отверстиями 9,10,11 токами ат источников переменного тока 15 и 16, Токи в слоях 2 и

3 выбираютсч из условия создания на краях отверстий 9,10 магнитостатических ловушек (МСЛ) равной глубины, обеспечивающей перемещение ЦМД. В связи с тем, что слой 3 расположен дальше от магнитоодноасного материала, чем слой 2, ток в нем больше (практически на 20 — 30 процентов). Ток в слое 4 равен сумме токов в слоях 2,3 и противоположен по знаку. ЦМД зарождаются в генераторе 7 (фиг.1) и продвигаются по каналу ввода-вывода 6 к регистрам хранения информации 5. Когда канал ввода-вывода 6 заполнится ЦМД, включаются регистры хранения информации 5 и ЦМД из канвла ввода-вывода поступают в регистры 5, а ЦМД из регистров 5 поступают в канал ввода-вывода 6. Далее по каналу ввода-вывода 6

ЦМД поступают в узел считывания 8, Рассмотрим более подробно продвижение

ЦМД через зазор в регистрах 5 хранения информации. Нвправление поля смещения выбрана таким, что при положительных токах I>, 4 ЦМД фиксируется в МСЛ, образу(ошейся у нижнего края отверстий 9,10, В исходном состоянии ЦМД. 18 и 19 (фиг.2) находятся в положении I, определяемом положительным током I1 и отрицательным такам (э. При этом МСЛ образована нижним кроем отверстия 9 и верхним краем отверстия 11 для ЦМД 18 и верхним краем отверстия 9 и нижним краем зазора "4 для ЦМД

19 (так квк направление токов в нижней зоне противоположно верхней, фиг.2), В тэкте (( (фиг.3) протекает отрицательный так Ip и палажительный так (э. ЦМД 18 перемещается в пазици(а II, образованную верхним краем отверстия 10, и нижним краем отверстия 11, а ЦМД 19 в позицию II, образаванну(а верхним и нижним краем зазора 13. В такте ill протекает отрицательный ток I1 и положительный ток (э. ЦМД 18 занимает позицию

ill образованную верхним краем отверстия

9 и нижним краем отверстия 11, в ЦМД 19 занимает позицию ll! образованную верхним и нижним краем зазора 12. Б такте IV праге(<аюттаки; положительный Iz и отрицательный (э, ЦМД 18 занимает позицию (Ч, образованную нижним краем отверстия 10 и верхним краем зазора 14, а ЦМД 19 аналогичную позицию IV. образованную нижним краем отверстия 10 и верхним краем зазора 14.

В тактах V,VI,VII,В! ЦХ направление таков повторяет такты !,Il,ill,IV,V, При зтам

ЦМД 18 занимает последовательно позици(а Ч, обраэоввнную нижним краем отверстия 9 и верхним креем зазора (4, позицию

Vl, образованную верхним и нижним краями зазора 13, позицию И!, образованную

1770987 верхним и нижним краями зазора 12, позицию Vill, образованную верхним краем отверстия 10 и нижним краем зазора 14, позицию 1Х, образованную верхним краем отверстия 9 и нижним краем зазора 14. ЦМД 5

19 последовательно заним ет позицию Ч, образованную нижним краем отверстия 9 и верхним краем зазора 14, позицию Vi, образованную верхним краем отверстия 10 и нижним краем отверстия 11, позицию Vii, 10 образованную верхним краем отверстия 9 и нижним краем отверстия 11, позицию Vill, образованную нижним краем отверстия 10 и верхним краем отверстия 11.

С целью стабилизации положения до- 15 мена в регистрах хранения 5 зазор 14 может быть выполнен с переменной шириной от четверти до одного периода размещения отверстий.

Выполнение зазора в третьем токопро- 20 водящем слое шириной равной периоду размещения отверстий, а зазоров в первых двух слоях зигзагообразной формы, повернутых на 180 градусов, позволяет организовать встречное движение ЦУД в регистрах 25 хранения информации при подаче в два первых токопроводящих слоя переменных токов, сдвинутых по фазе друг относительно друга на четверть временного периода. Пои этом отпадает потребность в дополнитель- 30 ном четвертом слое, что упрощает конструкцию устройства, Формула изобретения

1. Накопитель для загоминающего уст- 35 ройства на цилиндрических магнитных доменах, содержащий магнитоодноосную пленку с расположенными на ней один над другим первым, вторым и третьим токопроводящими слоями, злектроизолирванными 40 друг от друга, в первом и втором токопроводящих слоях выполнены регистры продвижения доменов в виде периодически расположенных отверстий, а сами регистры разделены сквозными зазорами шириной в четверть периода регистра продвижения в первом и втором токопроводящих слоях на несколько эон, причем токопроводящие слои всех эон электрически соединены последовательно так, что вытекающий ток токопроводящего слоя одной зоны является втекающим током соседней зоны этого же слоя, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции накопителя, в третьем токопроводящем слое выполнены отверстия, причем отверстия в flepBQM, втором и третьем токопроводящих слоях размещены с периодом, равным периоду регистра продвижения, отверстия в первом и втором токопроводящих слоях чередуются между собой, а отверстия в третьем токопроводящем слое смещены относительно отверстий в первом и втором токопроводящих слоях на четверть периода регистра продвижения, зазоры в первом и втором токопроводящих слоях выполнены зигзагообразной формы, их оси симметрии совмеще»ы, а зазоры сдвинуты относительнодруг друга на 180О, зазор в третьем слое в месте его наложения на отверстия в первом и втором токопроводящих слоях выполнен шириной, равной навстречу периоду регистра продвижения, а его ось симметрии совпадает с осью симметрии зазоров в первом и втором токопроводящих слоях.

2. Накопитель по п.1, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что зазор в третьем токопроводящем слое в области между отверстиями в первом л втором токопроводящих слоях выг:олнен шириной от четверти до одного периода регистра продвижения.

1770987

5 и 1 Й . Щ B

Составитель Г. Аникеев

Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор А. Яорович

Редактор T. Орлова

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 3744 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5