Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является повышение надежности устройства. Устройство для считывания ЦМД содержит магнитооднооснную доменосодержащую пленку 1, на поверхности которой методом напыления и фотолитографии через слой 2 диэлектрика установлен первый проводник 3 элемента растяжения ЦМД, одна из продольных боковых сторон которого выполнена с вырезом 4, например, прямоугольной формы, причем длина выреза не менее диаметра ЦМД. Параллельно и сверху над проводником 3 через диэлектрик 5 расположен второй проводник 6 элемента растяжения ЦМД с вырезом 7 аналогичной формы Далее снова Ё 2 XI О XI (Л СО
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
ГОСУДАРСТВ ЕННЫ Й КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ s (21) 4362853/24 (22) 11.01.87 (46) 07.10.92. Бюл. N 37 (71) Специальное конструкторско-технологическое бюро Донецкого физико-технического института АН УССР (72) Г.Ф,Темерти и Ю,A,Ñëóæáèí (56) Заявка Японии ¹ 60 — 40112, кл; G 11 С 11/14,опублик, 1985, Патент США N 4412307, кл. G 11 С 19/08, опублик, 1984, (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ СЧИТЫВАНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при „„Я2„„1767531 А1 разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является повышение надежности устройства. Устройство для считывания ЦМД содержит магнитооднооснную доменосодержащую пленку 1, на поверхности котброй методом напыления и фотолитографии через слой 2 диэлектрика установлен первый проводник 3 элемента растяжения ЦМД, одна из продольных боковых сторон которого выполнена с вырезом 4, например, прямоугольной формы, причем длина выреза не менее диаметра ЦМД. Параллельно и сверху над проводником 3 через диэлектрик 5 расположен второй проводник 6 элемента растяжения ЦМД с вырезом 7 аналогичной формы, Далее снова Ч о Ql 6д ) иь 1767531 45 располагается слой 8 диэлектрика и магниторезисторный считывающий элемент 9. Вырезы 4 и 7 выполнены одинаковой формы, симметричными относительно своих осей 10 и 11 симметрии. Вырезы 4 и 7 расположены по разные стороны от продольной оси 12 проводников, оси 10 и 11 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является повышение надежности устройства. На фиг,1 изображена конструкция предложенного устройства; на фиг.2 и 3 представлено распределение магнитного поля вокруг токопроводящих проводников. Устройство для считывания ЦМД содержит магнитоодноосную доменосодержащую пленку 1 (фиг.1), на поверхности которой методом напыления и фотолитографии через слой 2 диэлектрика установлен первый проводник 3 элемента растяжения ЦМД, одна из продольных боковых сторон которого выполнена с вырезом 4, например прямоугольной формы, причем длина выреза не менее диаметра ЦМД, Параллельно и сверху над проводником 3 через диэлектрик 5 расположен второй проводник 6 элемента растяжения ЦМД с вырезом 7:аналогичной формы. Далее снова располагается слой 8 диэлектрика и магниторезисторный считывающий элемент 9. Вырезы 4 и 7 выполнены одинаковой формы симметричными относительно своих осей 10 и 11 симметрии. Вырезы 4 и 7 расположены по разные стороны от продольной оси 12 проводников, оси 10 и 11 симметрии вырезов совмещены, а точки пересечения границы выреза с его осью 13 и 14 симметрии лежат на продольной оси 12 проводников (находятся в одной плоскости). Устройство находится в постоянном магнитном поле смещения Н и подключено к источникам тока (на фигурах не показан ьi). В качестве диэлектрика может использоваться диоксид кремния, проводники могут быть выполнены из алюминия методами микроэлектроники (напыление сплошного слоя, фотолитография, травление), а магниторезисторный элемент — из пермаллоя, Устройство для считывания ЦМД работает следующим образом. ЦМД любым известным способом, например, двумя проводниками в форме меандра, продвигается в область вырезов 4 и 7 к 30 симметрии вырезов совмещены, а точки пересечения границы выреза с его осью 13,14 симметрии лежат на продольной оси 12 проводников (находятся в одной плоскости). Устройство находится в постоянном магнитном поле смещения Н и подключено к источникам тока, 3 ил. продольной оси 12 симметрии устройства, Затем в проводник 6 подается ток 11 такой полярности, чтобы со стороны выреза 7 создалось магнитное поле, вычитающееся из поля смещения. Одновременно в проводник 3 подается ток Iz противоположной полярности, при этом со стороны выреза 4 также создается магнитное поле, уменьшающее поле смещения. Соотношение между токами 11 и Iz выбирается таким, при котором вне вырезов 4 и 7 происходит полная компенсация магнитного поля, создаваемого проводниками 3 и 6 (фиг.2), При этом в области вырезов происходит сложение магнитных полей, создаваемых проводниками 3,6 и направленных против поля смещения (фиг,3). В результате действия суммы этих полей ЦМД растягивается вдоль тех сторон вырезов, которые совпадают с продольной осью 12 симметрии проводников 3,6. Растянутый домен полем рассеяния перемагничивает магниторезисторный элемент 9, вызывая уменьшение его сопротивления. Так как магниторезисторная ловушка, в которой находится растянутый домен, создана замкнутым контуром тока, то она локализована в пространстве у вырезов 4,7 и ни увеличение времени действия токов l>,lz, ни увеличение их амплитуды не приводит к неконтролируемому расширению домена за пределами вырезов 4,7, Формула изобретения Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов, содержащее магнитоодноосную доменосодержащую пленку, на которой расположены магниторезисторный считывающий элемент и элемент растяжения цилиндрических магнитных доменов в виде двух изолированных друг от друга проводников, о т л и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью повышения надежности устройства, проводники выполнены прямоугольной формы и расположены один над другим, причем проекции их осей симметрии на пленку совпадают, в обоих проводниках выполнены вырезы, расположенные на противоположных боковых сторонах каждого проводника, причем оси 1767531 Составитель Ю.Розенталь Техред М.Моргентал Корректор 3.Салко Редактор Заказ 3550 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГККТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101 симметрии вырезов расположены в одной вертикальной плоскости, внутренние границы вырезов расположены на продольной оси проводников, а длина вырезов составляет не менее диаметра цилиндрического магнитного домена.
