Импульсный усилитель
Изобретение предназначено для использования в устройствах усиления электрических сигналов. Целью изобретения является увеличение выходного тока усилителя. С целью исключения шунтирующего влияния на переход база-эмиттер второго выходного транзистора 4 в устройство, содержащее первый транзистор 3, два резистора 1 и 2, входную шину 5, второй транзистор 4. введены элемент И 8, и элемент 9 коммутации, тем самым увеличен выходной ток усилителя. 1 ил.V4 00оел ел>&
СОЮЭ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4865606/21 (22) 10.09.90 (46) 07.12,92. Бюл. М 45 (71) Калужский научно-исследовательский институт телемеханических устройств (72) В. И. Жуков (56) Гольденберг Л, М. Импульсные устройства. Учебник для Вузов, M.: Радио и связь, 1981, с. 224, рис. 3.6, с. 71. Авторское свидетельство СССР М 450333, кл. Н 03 К 5/01, 1973. (54) ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ „„5lJ 1780155 А1 (57) Изобретение предназначено для использования в устройствах усиления электрических сигналов. Целью изобретения является. увеличение выходного тока усилителя. С целью исключения шунтирующего влияния на переход база-эмиттер второго выходного транзистора 4 в устройство, содержащее первый транзистор 3, два резистора 1 и 2, входную шину 5, второй транзистор 4, введены элемент И 8, и элемент 9 коммутации, тем самым увеличен выходной ток усилителя, 1 ил. 1780155 gД 50 л г -, ) /1 5 Известен импульсный усилитель, содерл<ащий первый транзистор, база котороГо подключена к входной шине. эмиттер — к базе второго транзистора и первому контакту первого резистора, второй контакт перБОГО резистора подкл20чен к Общему проводу, коллектор первого транзистора подкл!очен к коллектору второго транзистора и первому контакту второго резистора. Второй контакт второго резистора подключен к положительной шине питания. Недостаток данного устройства состоит Б тОм, что Б OTKpblTQM состоянии часть выходного тока, генерируемая первым транзистором по эмиттерной цепи, расходуется бесполезно в виде тепла, выделяющегося на первом резисторе. Это снижает значение выходного тока им пул ьсно го усилителя., IpM закрывании усилителя амплитуда запира2ощего тока базы, зависящая от значения третьего резистора, недостаточна для быстpQf o рассасывания обьемного заряда в области базы и уменьшения длительности фронта выходного импульса, что снижает быстродействие устройства. Известен также импульсный усиллтель, выбранный в качестве прототипа, содержащлй первый транзистор, база которого подкл!Очена к входной шине, коллектор — к первому контакту первого резистора, Ког;лектор второго транзистора подключен к nBpt2o i iy контакту второго резистора, змиттер — к первому контакту третьего резистора и базе второго транзистора. Второй контакт первого резистора подключен к второму контакту второго резистора и положительной шинс питания. Второй конта,.T TpBTьего резистора подключе! I к эмиттеру второго тра нзлстора и общему проводу. Недостаток данного устройства coc I o гг и том, что определенная часть выходного тока, го!!ерируемая пеовым транзистором ПО BIM 1TTBpl!0é цепи Б баЗу вто(20ГО T pB H3Mt стара Б открытом состоянии усилителя, pBc" хоруВТс! бесполезно Б виде тепла, выделя!ощегося на третьем резисторе. Это снижает значение выходного тока усилителя, l Цель изобретения — увеличение выходного тока усилителя и повышение быстродействия усилителя. Эта цель достигается тем, что в импульсный усилитель, содер>кащий первый транзистор, база которого подключена к входной шине, коллектор — к первому контакту первого резистора, эмиттер — к базе второго транзистора, коллектор второго транзистора подключен к первому контакту второго резистора, второй контакт первого резистора подкл!очен к второму контакту ВтарОГО рЕЗИСтсра И ПОЛОХ<ИтЕЛьНОй ШИН3 и и Га Н Ия, 314 t f TTB p БТО р О 0 T p B H3 M CTO pB n Qp,lD 0 IBH K общему проводу, plon021HMTB/lbHQ введены элемент И и элемент коммутации, первый контакт которого подключен к базе второго транзистора, второй контах! — к OL>щему проводу, управляющий вход к ыха;;у элемента И, первый вход которого подкл10чен к входной шине, а второй вход — к коллектору псрвого транзистора. На чертеже предст-влена структурная схема устройства, содержащая первый и второй резисторы 1 и 2, первый и второл -! paH3McTopbI Э и 4, входную шину 5, положите21ь2!у10 UJMH 2 5 пи Гания, обьций nровод 7, элемент И 8, зг!емент 9 коммутации. Структурная схема содержит первый резистор I, первый контакт которого подкгночен к базе первого транзистора 4, первому входу элемента И и входной шине 5. (<1211BKTQp первог0 транзистора подключен к первому контакту второго резистора 2 и nTo pony входу элемента И. Эмиттер первого ТрВН3МсТара 3 nogvnfO BH к базе второго тра!!зистора 4 и первому контакту элемента 9 коммутацли, Второй! KÎнтакт злеviBHTB 9 коммутацил подключен к эмиттеру второго транзистора 4 и к общему проводу 7, а управля!Ощий вход — к выходу элемента И <2. ЬтоРЬ18 KoitTGI И !tftepcttb!Mq, Элемент 9 коммутации разомкнут, сопротивление ме>кд„его KO,ITBKTBми беско!!Очно велико. Г2< 3 го,1у .:ыходHQI ток весь <283 Скл!О IBHMp п2гступает на второй TpBH3MCTор 4. DC228 1СТВМВ 3TQf Q 3 !GAB" ние выходного тока усилителя максимально Бозмо>кно, Г1ри Гоступлении на вход усиляT8ftЯ cM1" H IflB логM IBcKGPQ "О" tlPQMc "<:PMT крывание первого транзистора 3, Уровень напряжения !1а коллекторе пВр8010 ГранзлСТО!г,. . ОВЫШаетСЯ До ЭНБЧБНИЯ 11ОГИЧBCI "1",;ыхо,qB эле.- !вита И 8 также формируется сигнал уровнем логической "1", Данный сигнал nucTynvBT -Ia управлях>щий вход элемента 9 коммутации, Происходи. замыкание цепи первого и второго контактов, TBK как сопротивлениB,"BìêèóTQM цепи г р<. дел ь ! о м а л О, 3 и а ч B I I M B 11 м Г! 21 I l Г ч д ы 3 а и и 10 щего тока базы в оро . 1р; 3",;,1780155 Составитель В. Жуков Техред M.Моргентал Редактор Корректор А, Казариэ Заказ 4440 Тираж Подписное ВНИИПИ Гасударственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский камб,н;;; "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101 достигает максимального значения. За счет зтага ускоряется рассасывание иэбыточнага заряда в области базы втораготранзистора и уменьшается длительность фронта выходного сигнала усилителя. 5 Таким образом,эа счет исключения в открытом состоянии шунтирования перехода база — змиттер второго транзистора увеличен выходной так более чем на 107. Вследствие увеличения амплитуды запира- 10 ющего тока базы второго транзистора быстродействие устройства увеличивается не менее чем на 50 $. Формула изобретения 15 Импульсный усилитель, содержащий первый и второй транзисторы соответственна первого и второго каскада, причем база первого транзистора подключена к входной шине, коллектор — к первому контакту первого резистора, змиттер — к базе второго транзистара, коллектор второго транзистора подключен к первому контакту второго резистора, второй контакт первого резистора подключен к второму контакту второго резистора и положительной шине питания, змиттер второго транзистора подключен к общему проводу. отличающийся тем, чта. с целью увеличения выходного тока, в него введены элемент И и элемент коммутации, первый контакт которого подключен к базе второго транзистора, второй контакт— к общему проводу, управляющий вход — к выходу элемента И, первый вход которого подключен к входной шине, а второй вход— к коллектору первого транзистора.
