Установка для присоединения выводов к полупроводниковым приборам

Авторы патента:

H01L21/66 - испытания или измерения в процессе изготовления или обработки (после изготовления G01R 31/26)

Сущность изобретения: установка предназначена не только для припарки проволочных выводов к полупроводниковым при борам, но и для измерения электрических параметров этих приборов с целью контроля , что стало возможно благодаря тому, что установка снабжена рабочим столом, выполняющим , кроме функции опоры для привариваемых выводов, еще и функцию измерительного электрода. При этом сварочный электрод, кроме сварки, выполняет функцию второго измерительного электрода . Совмещение операций сварки и контроля электрических параметров позволяет расширить функциональные возможности. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)з Н 01 1 21/66

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) г

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Ца&6ЯИ- ИВ7 балт

БМБЛИОТ@и

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 (21) 4792922/21 (22) 25.12.89 (46) 30.12.92, Бюл. N 48 (71) Особое конструкторское бюро машиностроения при Саратовском заводе "Тантал" (72) Л.Д.Рабинович, Б.С.Славин и В.А.Помендюков (56) Модернизированная установка "Контакт-3A" с подачей проволоки. Паспорт

СГМ2.332,011 ПС, 1984. (54) УСТАНОВКА ДЛЯ ПРИСОЕДИНЕНИЯ

ВЫВОДОВ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ

ПРИБОРАМ (5?) Сущность изобретения; установка предназначена не только для приварки провоИзобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано, в частности. для присоединения проволочных выводов и контроля параметров диодов в бескорпус«ам исполнении.

Цель изобретения вЂ” расширение функциональных возможностей.

:На фиг. 1 представлена схема установки рля йрисоединения выводов к полупроводниковым приборам; на фиг. 2 вЂ” рабочий тол.

Установка для присоединения выводов к полупроводниковым приборам содержит подвижный диск 1, оптический узел 2 контроля сварки, механизма 3 подачи и обрезки проволоки, рабочий электрод 4, блок 5.управления, узел 6 управления яркостью осветителя, схему ИЛИ 7, реле 8 времени, узел 9 измерения электрических параметров полупроводниковых приборов, подпружиненный стержень 10, корпус 11, узел 12 сварки, „„5U„„1785051 А1 лочных выводов к полупроводниковым приборам, но и для измерения электрических параметров этих приборов с целью контроля, что стало возможно благодаря тому, что установка снабжена рабочим столом, выполняющим, кроме функции опоры для привариваемых выводов, еще и функцию измерительного электрода. При этом сварочный электрод, кроме сварки;- выполняет функцию второго измерительного электрода. Совмещение операций сварки и контроля электрических параметров позволяет расширить функциональные возможности.

2 ил. электрический блок 13 контактной сварки, Я счетчик 14 сварок, диэлектрическую втулку

15, кольцо 16 диэлектрическое.

Перед началом работы оператор насыпает кристаллы полупроводниковых приборов на подвижный диск 1, устанавливает его Op под оптический узел 2 контроля сварки, Проволока заправляется в механизм 3 подачи и обрезки проволоки. Оператор вращает подвижный диск 1 так, чтобы перекрестье оптического узла 2 контроля сварки совпало с первой точкой сварки выбранного кристалла и осуществляет подачу проволокй йод рабочий электрод 4, который опускается и прижимает проволоку к кристаллу. Сварочный импульс тока подается с помощьюблока 5 управления на рабочий электрод 4, при этом узел 6 управления яркостью осветителя оптического узла контроля сварки уменьшает яркость егб"освещения.

После окончания сварки и восстановления яркости осветителя оптического узла 1

1785051

30 ла 2 контроля сварки остается тусклым, что предупреждает оператора о наличии брака- 35 нажимает кнопку "Сброс" на блоке 5 управ- 40

Шмитта серии К-561, счетчик сварок и схе- 45 мы ИЛИ выполнены на микросхемах-серии ратный ток светодиода при контрольном :. напряжении; отсутствие скачков на воль- 55 тамперной характеристике. контроля сварки первый приваренный вывод обрезается и рабочий электрод 4 поднимается, освобождая кристалл. Обрезка вывода осуществляется автоматически после окончания сварки и остывания кристалла по сигналу с выхода схемы ИЛИ 7.

Оператор переворачивает кристалл и укладывает его другой стороной под рабочий электрод 4. После совмещения второй точки прйварки кристалла с оптическим перекрестьем оператор снова проводит сварку, после чего сигнал об окончании сварки поступает в реле 8 времени и задерживается на время, необходимое для остывания кристалла до температуры рабочего электрода 4 и подвижного диска 1. После выдержки времени включается узел 9 измерения электрических параметров полупроводниковых приборов и с его помощью по цепи: рабочий электрод 4 вЂ” кристалл с выводами вЂ” подвижный .диск 1 вЂ” подпружиненный стержень 10 определяется. полярностью включения и электрические параметры кристалла.

После oicîé÷àíèÿ контроля сигнал на выходе схемы ИЛИ 7 отсутствует и механизм 3 подачи и обрезки проволоки возвращается назад и обрезает проволоку."

Если кристалл по своим параметрам оказывается годным, то он освобождается оператором. Если кристалл оказался бракованным, то после подъема рычага и обрезкй второго вывода, освещение оптического узванного кристалла. Кроме того, на блоке 5 управления загорается лампочка с соответствующей индикацией вида брака. Оператор кладет прибор в тару с браком, ления и продолжает работу.

Пример конкретнрго выполнения предлагаемого изобретенйя.

Реле времени выполнено на триггере

К-561.

Узел измерения электрических параметров полупроводниковых приборов выполнен на микросхемах К-561, К-140 и предназначен для выполнения следующих контрольных операций: min u max напряжения на диоде при токе контроля 10 мА; обЭлектрический блок контактной сварки представляет собой блок контактной сварки

БКС-100 Я2М 3.559.308 TY от установки контактной сварки ЭМ-4092 Я2М 2.332.044. Из блока дополнительно выведен сигнал, несущий информацию об окончании сварочного им пуль.са.

Время, необходимое для остывания прибора, равно 0,1 с. Подвижный дисквЂ” изготовлен из материала сплав Д16Т, покрытие поверхностей вЂ” Н12.М6.Ср9.

Кольцо из диэлектрического материала вЂ” выполнено из ПА6 блочный. Подпружиненный стержень изготовлен из материала вЂ” латунь Л-63, покрытие вЂ” О-ВИ (99,8)6.

Втулка, выполненная из диэлектрического материала, изготовлена из RA6 блочный.

Технико-экономические преимущества изобретения: установка предназначена не только для приварки проволочных выводов к полупроводниковым приборам. но и для контроля электрических параметров этих приборов, при этом, рабочий электрод,кроме сварки выполняет функцию первого из)1 мерительного электрода, функцию другого измерительного электрода выполняет рабочий стол с диском; расширение функциональных возможностей путем совмещения операций приварки выводов и контроля электрических параметров позволяет исключить технологические операции покры; тия компаундом" и сушки, после которыи контролируются электрические параметры, готовых приборов; совмещение операций сварки и контроля электрических параметров позволяет повысить производительность и снизить трудоемкость изготовления приборов; автоматизация операции обрезки проволоки позволяет снизить брак по отры ву вы водо в.

Формула изобретения

Установка для присоединения выводов к полупроводнйковым приборам, преиму- щественно к бескорпусным диодам, содержащая корпус, йа котором установлены узел сварки с рабочим электродом, механизмы подачи и обрезки проволоки, рабочий стол, выполненный в виде подвижного диска, оптический узел контроля сварки, электрический блок контактной сварки и блок управления с узлом управления яркостью осветителя оптического узла контроля свар0 ки, отличающаяся тем. что, с целью расширения функциональных возможностей, введены подпружиненный токопроводящйй стержень;"диэлектрйческая втулка; последовательно соединенные реле времени, счетчик чйсла сварок и узел измерения электрических параметров полупроводниковых приборов, при этом вход реле времен и соединен с выходом электрического блока контактной сварки, а первый выход узла измерения электрических параметров

1785051. fO

Фл. 2

Составитель C.Màíÿêèí

Техред М.Моргентал Корректор И.Шулла

Редактор

Заказ 4369, . Тираж Подписное

ВНИИПИ:Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 полупроводниковых приборов соединен с блоком управления, причем к нйжней поверхности подвижного диска подведен подпружиненный токопроводящий стержень, установленный внутри диэлектрической . втулки и соединенный с входом узла измерения электрических параметров полупро6 водниковых приборов. при этом введена схема ИЛИ, входы которой соединены с выходом реле времени и вторым выходом узла измерения электрических параметров полу5 проводниковых приборов, а выход соединен с блоком управления.

Установка для присоединения выводов к полупроводниковым приборам

Способ обнаружения дефектов в поверхности диэлектрических и полупроводниковых материалов // 1784878

Способ оценки качества анодного окисла в процессе его выращивания // 1783934

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано при электрохимическом окислении полупроводников

Способ оптического контроля однородности состава твердого раствора на основе полупроводников // 1783933

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению, в частности к способам определения параметров материалов, используемых в полупроводниковых светофильтрах, лазерных электронно-лучевых трубках, фотодиодах и полупроводниковых лазерах

Измерительный зонд // 1783597

Способ бесконтактного измерения времени жизни неравновесных носителей тока в полупроводниках // 1778821

Способ исследования поверхности твердого тела туннельным микроскопом // 1778820

Способ измерения объемного времени жизни неравновесных носителей заряда в примесных полупроводниках // 1778819

Способ контроля профиля примеси во встроенном канале мдп - транзистора // 1777189

Способ определения профиля подвижности носителей заряда в полупроводниковых слоях // 1775753

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано как неразрушающий способ определения профилей подвижности носителей тока в полупродниковых слоях на полуизолирующих или диэлектрических подложках

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Устройство для измерения толщины плоского изделия и способ его реализации // 2107257

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке // 2107356

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2110116

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Способ регулирования величины напряжения в открытом состоянии тиристоров и диодов // 2119211

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Способ контроля однородности слоев пористого кремния на монокристаллическом кремнии // 2119694

Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2120683

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Способ контроля дефектности пленок диоксида кремния на кремниевых подложках // 2127927

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349