Способ переноса заряда
Использование в микроэлектронике дня преобразования световы сигналов в зарядовые пакеты а тэк- + е для ч ранения и направленной передачи информант, представленной зарядовыми пакетами. Сущность изобретения дпя создания возможности незпектродного управления зарядовыми пакетами без фиксации полосы частот и задержек накопление и перенос заряда осуществляют с помощью .электромагнитного излучения, которое создает на поверхности полупроводника диполышй спой в результате резонансной фотоионизации адсорбпрованны частиц
СОНЭ« СOBETI !1» со1.и пи,тичесн ll »
РЕ1ЭП т Б П!1»!
1!1 Н 01 (29!816
ГОСУДПРСТВЕННОЕ IIILTEHTHOI-:
ВЕД! OIUII TBll С! СР (го1эп!1тент i:I:I BI
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
ПАТЕНТУ (-»1 ) )-т88Щ8/»vq (22) 23.11 89 (}б) 30 ) «92 Бноп Ц 48 (71) 11нститут теппофи «и! и СО A.H СССР (7l) Ñ.Â.(,«ëLvílví, Г 1) Смирнов и Г Г Тепегин (73) С В I «ïtiíLIH, Г 11 Смирнов и Г Г Тепегин
58) Носов }О Р, Шипин EI.Я. Основы физини приборов с .эарчдовои свчзь!о M . Нау»а, : 587
GvalenLta 5 D., Sh»I!BrT R I., бипэЬэг Р ( — IIi,ppI PhigsIcB (е!Тег 1975, v 29 I,I 2, р 8"! (54) СПОСОБ П вЂ” ÐÅÍÎÑß ЗЯРЯДЯ
11э обретение относитсч к r IIII ро«пентрони»:е и t10+ еТ быть!11 пользовано дпч преобраэованич световы» сигHBlloB B тарчдовые панеты, R та! не дпч раненич I I направленной передачи информации представпен ной э эрчд01«ыми пан етам11
Дпч управпен11ч прибора!!и с эарчдопой свчзью (ПЗС) испопьзунэтсч обычно периодичесн ие поспедоватепьности та1товы» импупьсов напрч »енич имеющи:= гин;рони эированнуно временную диагра иму Основным способом фун» ционированич та»и ПЗ! чвпчетсч передача понапиэованного зарчда путем иэ»1ененич:эп! »тр11чес1.и «потенциапов на управпчнощи эпен трода реLUerh и фоточувс1витепьHbl
«nerIelITOB П3 С
11э в естен та»! е способ у и ров п е и и ч и ерен01«ol v эарчда при t oTopol I д11еl ретные фотоде1е1.торы реш»-.Thl,l и1-le»«T»1Н11 и яство
11етапп1.14ecl и эпе1тродов I: помсш1=ю I-оТоры Оп о!1=сt эч и11фс !. !"1,1ltll тра11сформи„„,. 0 „„1785582 АЗ (57} 1(спопьэование: в мин розпентронине дпч преобрэзоеанич световы с IIHBrloB в эарчдовые панеты а тан 4 е дпч»раненич и направпенной передачи информации, представпенн эй эарчдовыми па»етэми. Сущность изобретенич дпч созданич воз»11« н ности неэпен.тродногQ управпенич зарчдовыми па»етами бе«финсации попосы частот и «,«дерн.ен: накоппение и перенос зарчдл осуществччют с помощью «пентромагнитного изпучен11ч, которое создает на повер:ности попупроводнина д!.1Попь14ый спой в результате ре онансной фотоионизацнв1 адсорбированны ча! тиц ровапась в эпентричесн ие сигналы, пропорционапьHые интенсивности регис рируемоIo инфра»рэсного изпученич В результате те нопоп1чес»ого воэдействиl на базовый попупроводнин Овы!1» pl1or «пи, испОпьзует thill дпч иэготовпенич фоточувствитепьной
peLUeTt llpLI llplvt реппении н не11у системы эпе» Tpoqoe в нем Обраэуетсч r»Ho.н .ество и! 1енэш! I-- периодичесt LIlv -ара» тер статичесни* неоднородностей что приводит н неоднородностчм процессов фото- и теprloreнерации а та» 4е»ара»теристин передачи носитепей зарчда ЭТ11 фа»торы су щественно Ограни 4ив эlот эффентивность регистрации изобра+ений посредством
ПЗ! при нlапы сигнапа II низ!и уровнч
Освещенн Ост!1
Б О ll e e u p o ñ T Il L v с и о сОб и ll B н а р í 0 и т е H oпогии иэгoTQellel- П С 1111ееТ этОт 1 е недосTBToh обусповпенный напичием пери одичес» и с татичесl и ° неоднородно1785582
Составитель Г Телегин
Те ред М.Моргентэл l appeI;Top П Гереши
Редактор A.Бер
«3I 33 4379 Тирам, Подписное
БН17ИПИ Государственного амитета по изобретенич1 и UTL рытичм при П НТ I:CI Р
313635
Производственно-издэтепьо ий комбинат "Патент", г V Lгород, ул Гагарина "III сти Возбу+дение атаман натрия в состояние 3Р производится резонансным .пазерньн1иипу IeHIIeI« I-pnLIHoI« волны « =589 нм
ЭлектрОны с возбуди денны««этОмОв натрия туннелирутот в зону проводимости крек1нич, вблизи повер ности которого вследствие этого образуетсч дипопьный слой и происодит накопление носителей заряда При перемещении области резонансного обпуЧен!1ч ПО МОНОслою 3pCop13Llp063HHblII а ГОГ«он натрия происходит перенос заряда вблизи поверхности кремниевого образца по требуемой траектории и в требуемой последовательностии, регулируемы посредством резонансньг облучателей
При изобра ении энергетичесн LT> уровней дпч упрощения не у азэны возмо:кные сдвиги и уширенич уровней атомов натрия, э T31 . Фе 113гибы зон кремния, поскольку ии; наличие не менчет основного эффекта I. poи«е тато, возмущения уровней адчастиц
Обычно велиьи в случае ик Осаждения на повер HocTL металлов, тОГда как при Оса Фденни нэ полупроводниеэж воэмущенич уровней гравнительно невелики из-33 пониткенич концентрации снободньь зпентроНОН
Длч создэнич приемн11 а инфракрасноГО 1чзпучеки«ч 110+ нО внедрить н 1 ремн11Й примесь с уровнем Е„, совпадающим с основным состоянием эдчастиц Инфра;p3I=ное излучение переводит электроны из вапентной зоны Н3 gðîâåíb примеси, Отвуда
Они туннепирунзт в Основное cocTORHL1E ада5 тома 35, оторое затем освобоэдаетсч резонансным и зп«IIчениеM.. Попучаетсч дну ступенчатый пере од через 35-3Р в зону проводимости Такой пере од возМожен и в L3I IOI«полупроводниковом образце Од)О на о использование адсорбированного моноспач позволяет осуществлять накоплениЕ и перенос зарчда с помощью резонансного излучения l5 Формyë3 изобретения
Способ переноса зарчда, заключающийся в перемещении покализованныI зарчдовыи: n3t åòàå вдоль повер ностй поп««проводникового образца путем послеГО донатепьного лонэльного изменения поверно тноГО потенциалЗ, 0 т Il L1 v 3 ю щ I",÷ Й с.ll
Ter чга, с целью рэсширенич диапазона частот переноса, дополнительно на поверхность попупронодникового образца наносят
25 11онослoи эдсорбированны частиц, а по эпьное изменение поверхностного потенциала осуществляют путем сканирования потер насти пучком электромагнитного излучения, частота отораго равна частоте фо3О тоионизэции адсорбированнн:. частиц
