Способ определения термоэлектрической эффективности полупроводников

Авторы патента:

H01L21/66 - испытания или измерения в процессе изготовления или обработки (после изготовления G01R 31/26)

0 Il И С А Н И Е I86538

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 23. т 11!.1965 (№ 1023776/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано ОЗ.Х.1966. Бюллетень № 19

Дата опубликования описания 26.Х.1966

Кл. 21b, 27/01

21е, 36/10

МПК Н Olm

G 0lr

УДК 621.362.1:536.2,08 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ

ЭФФЕКТИВНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Предмет изобретения

Известные способы определения термоэлектрической эффективности полупроводников раздельным измерением параметров а, Х и о либо по методу Хармана сопряжены с большой затратой времени и требуют строгого соблюдения условий эксперимента.

Предлагаемый способ отличается от известных тем, что последовательно измеряют теплопроводность образца, подвергнутого воздействию теплового потока, при нулевом токе и при коротком замыкании образца, причем о величине термоэлектрической эффективности судят по разности полученных значений теплопроводности, отнесенной к величине теплопроводности, измеренной при нулевом токе, Таким образом, термоэлектрическую эффективность определяют по измерению одного физического парамегра и»а одной экспериментальной установке, что упрощает процесс измерения.

Величину теплопроводности узнают любым из известных способов. Теплопроводность Х, измеренная в условиях тока короткого замыка»ия, всегда больше теплопроводности Хо, которую измеряют при нулевом токе. Физически это обусловлено появлением дополнительного теплового потока вследствие теплоты Пельтье на торцах образца, возникающей при прохождении через последний тока короткого замыкания.

Термоэлектрическую эффективность Z определяют по следующей формуле: о

Т л град.

15 Способ определения термоэлектрической эффективности полупроводников, отличаюи ийся тем, что, с целью упрощения процесса измерения, измеряют теплопроводность образца, подвергнутого воздействию теплового

20 потока при нулевом токе и при коротком замыкании образца, причем о величине термоэлектрической эффективности судят по разности полученных значений теплопроводности, отнесенной к величине теплопроводности, 25 измеренной при нулевом токе.

Ударно-вибрационный стенд // 179387

Способ измерения дрейфа обратного тока р—п-переходов // 174277

Способ стробоскопического наблюдения // 172406

Измеритель физических свойств материалов на сеч // 166763

Устройство для измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов // 164068

Патент 163291 // 163291

Патент 157015 // 157015

Патент 155565 // 155565

Патент 155198 // 155198

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Устройство для измерения толщины плоского изделия и способ его реализации // 2107257

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке // 2107356

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2110116

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Способ регулирования величины напряжения в открытом состоянии тиристоров и диодов // 2119211

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Способ контроля однородности слоев пористого кремния на монокристаллическом кремнии // 2119694

Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2120683

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Способ контроля дефектности пленок диоксида кремния на кремниевых подложках // 2127927

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349