Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких металлов

 

Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких металлов, включающее камеру роста, поддон с затравкой, установленный в камере с возможностью вертикального перемещения, плазменный источник нагрева, размещенный над поддоном, высокочастотный индуктор с токоподводами, прикрепленный к стенкам камеры соосно поддону и снабженный охлаждаемыми металлическими секциями, имеющими торцы в виде сопряженных криволинейных поверхностей, установленными последовательно с зазором в полости индуктора по контуру его внутренней поверхности и закрепленными на нем через электрический изолятор, отличающееся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов и повышения их качества за счет регулирования подвода тепла по высоте кристалла, индуктор выполнен из параллельно соединенных катушек, верхняя из которых имеет минимальное число витков, а охлаждаемые секции выполнены высотой не менее высоты индуктора.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к производству монокристаллов корунда и других тугоплавких веществ по методу Вернейля, в частности кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма, которые иначе называются звездчатыми

Изобретение относится к кристаллографии, конкретнее к устройствам для выращивания монокристаллов из расплава, и может быть использовано, в частности, для получения монокристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации в вакууме

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов корунда сине-фиолетовой гаммы окраски и может быть использовано в ювелирной промышленности

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов тугоплавких соединений, используемых в лазерной технике, микроэлектронике , оптике, медицине, точном приборостроении
Наверх