Способ получения кристаллов теллурида кадмия

 

Использование: получение кристаллов для инфракрасной оптики. Сущность изобретения: кристаллы выращивают из расплава и отжимают при 930-950°С в течение 60-70 ч. Получают кристаллы со светопропусканием на длине волны 10,6 мкм не менее 65%. 1 табл.

союз советских

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 С 30 В 33/02, 29/48

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4947024/26 (22) 20.06.91 (46) 30,05.93. Бюл. ¹ 20 (71) Институт физики твердого тела АН

СССР (72) Н.Н.Колесников (56) Shin S.Í. et. ai. Characterization of

Те-precipitates in CdTe crystats. Арр!. Phys.

Lett. 1983, ч,42, ¹ 1, р.68-70.

Изобретение относится к технологии получения кристаллов CdTe для ИК-оптики.

Цель изобретения — получение кристаллов для инфракрасной оптики со светопропусканием на длине волны 10,6 мкм не менее 65 /см.

Поставленная цель достигается тем, что в известном способе-прототипе, включающем выращивание кристаллов CdTe из расплава и. последующую термообработку в парах кадмия, послеростовую термообработку в парах кадмия ведут при температуре обрабатываемого кристалла 930-950 С в течение 60 — 70 ч.

Светопропускание полученных таким образом образцов на длине волны

10,6 мкм 65 /см, т,е, выше, чем у кристаллов, выращенных по способу-прототипу. Высокое светопропускание позволяет применять такие кристаллы в инфракрасной оптике.

Этот эффект достигается компенсацией собственных примесных уровней в СбТе при проведении такой послеростовой термообработки.. Ж, 1818364 А1 (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ

ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ. (57) Использование: получение кристаллов для инфракрасной оптики. Сущность изобретения: кристаллы выращивают из расплава и отжимают при 930 — 950 С в течение

60 — 70 ч, Получают кристаллы со светопропусканием на длине волны 10,6 мкм не менее

65, 1 табл, Температура обрабатываемого кристалла CdTe 930 — 950 С выбрана экспериментально (см.таблицу), Из таблицы (строки 1 — 2) видно, что при температурах ниже 930 С значение Tip.в остается низким. Использование температур выше 950 С нецелесообразно, т.к. при этом начинается интенсивная сублимация CdTe, происходит термическое стравливание поверхности обрабатываемого кристалла (см. таблицу, строка 8).

Снижение продолжительности отжига (менее 60 ч) приводит к получению кристаллов с недостаточно высоким светопропусканием (см.таблицу, строка 3), а увеличение (свыше 70 ч) нецелесообразно, т,к. не приводит к росту величину Т1о 6(см. таблицу, строка 4).

Известных технических решений, имеющих признаки, сходные с признаками, отличающими заявленное решение от прототипа, не обнаружено. Следовательно заявленное решение обладает существенными отличиями.

1818364

Составитель Н.Колесников

Техред М.Моргентал Корректор Н,Ревская

Редактор

Заказ 1927 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101

Пример: Кристалл CdTe выращивают из расплава. Полученный кристалл помещают в кварцевую ампулу так, что на одном конце ампулы находится кристалл, а на другом — источник паров кадмия. Ампулу вакуумируют до остаточного давления 10з мм

:, рт.ст.. запаивают и помещают в печь так, что температура обрабатываемого кристалла составляет 940 С. Ампулу выдерживают в печи 65 час, после чего извлекают и вскры- 10 вают, Получен кристалл CdTe со светопропусканием 65 $/см на длине волны 10,6 мкм (см.таблицу, строка 6).

Примеры с другими значениями темпе",., ратуры и временитермообработки приведе- 15 .:..;,:; ны втаблице, строки 5 и 7.

Таким образом, применение предлагаемого способа, по сравнению со способомпрототипом, позволяет получать кристаллы

СбТе для инфракрасной оптики со светопропусканием на длине волны 10;6 мкм 65 glñì.

Формула изобретения

Способ получения кристаллов теллурида кадмия, включающий выращивание кристаллов из расплава и их последующую термообработку в парах кадмия, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью получения кристаллов для инфракрасной оптики со светопропусканием на длине волны 10,6 мкм не менее 65 /см, термообработку проводят при 930 — 950 С в течение 60 — 70 ч.