Способ отбраковки биполярных транзисторов, включающий приложение напряжения питания между коллектором и эмиттером транзистора, измерение тока и сравнение его с допустимым значением, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности способа, между коллектором и эмиттером прикладывают высокочастотное напряжение и увеличивают его амплитуду до лавинообразного открывания транзистора, после чего уменьшают амплитуду высокочастотного напряжения между коллектором и эмиттером транзистора до его лавинообразного выключения, при этом фиксируют амплитуду высокочастотного напряжения между коллектором и эмиттером транзистора, постоянные составляющие тока и напряжения эмиттера и амплитуду высокочастотного тока базы в моменты предшествующий и последующий лавинообразному открыванию и лавинообразному включению транзистора и все зафиксированные параметры сравнивают с допустимыми значениями.
Похожие патенты:
Изобретение относится к электроизмерениям и контролю качества полупроводниковых приборов и интегральных схем
Изобретение относится к технике измерения параметров и характеристик полупроводниковых приборов и, в частности, к измерениям полупроводниковых диодов как нелинейных управлениях емкостей
Изобретение относится к электрооптическим измерениям и предназначено для проведения, внутрисхемных бесконтактных измерений электрических напряжений в интегральных микросхемах (ИМС) на пластинах
Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах
Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения
Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров
Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)
Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов
Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
