Способ определения критической плотности тока тиристора

 

Сущность изобретения: повышение точности способа достигается тем, что точка на BAX, в которой производится измерение тока, определяется путем сравнения двух участков BAX. BAX снимается на постоянном токе сначала при его увеличении от нуля, а затем при уменьшении. Точка, начиная с которой участки BAХ, снятые при увеличении и уменьшении тока, расходятся, и является искомой, соответствующей окончанию процесса распространения включенного состояния. 2 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при измерении параметров процесса распространения включенного состояния тиристора. Цель изобретения повышение точности измерения критической плотности тока тиристора, необходимой для распространения включенного состояния. Ближайшим аналогом к предлагаемому является способ, согласно которому измерение критической плотности тока тиристора осуществляют по BAX, получаемой при пропускании через тиристор импульса полусинусоидного тока в точке перегиба BAX на гладком участке (см. фиг. 1). Предлагаемый способ отличается от известного тем, что точка, соответствующая окончанию процесса PBC тиристора определяется при сравнении ветвей BAX, снятой на постоянном токе сначала при увеличении тока от нуля до предельно допустимой величины для данного типа тиристора, а затем при уменьшении тока, что обеспечивает распространение включенного состояния на всю площадь полупроводниковой структуры и позволяет более точно определять точку на BAX, соответствующую окончанию процесса PBC в тиристоре. Таким образом, предлагаемый способ отличается от известного существенным признаком, а именно последовательностью операций, приводящих к более точному измерению критической плотности тока тиристора, необходимой для PBC. На фиг. 1 приведена вольт-амперная характеристика тиристора, поясняющая способ ближайший аналог к предлагаемому. На фиг. 2 приведена вольт-амперная характеристика тиристора, получаемая при реализации предлагаемого способа. Способ осуществляется следующим образом. С помощью геометрических измерений определяется площадь n-эмиттера тиристора, S, относящегося к тому же типу, что и тиристор, для которого необходимо измерить критическую плотность тока. Эти данные могут быть получены либо у предприятия изготовления, либо путем измерения, например, у неисправного тиристора, который может быть вынут из корпуса. Затем испытуемый тиристор включает в контур с регулируемым источником постоянного тока и токоизмерительным шунтом. На его управляющий электрод подается ток управления, соответствующий техническим условиям. К шунту и выводам тиристора подключают приборы для снятия BAX (например, осциллограф или милливольтметр и вольтметр). Включают источник тока и снимают BAX тиристора на постоянном токе сначала при увеличении тока от нуля до предельно допустимой величины для данного сначала при увеличении тока от нуля до предельно допустимой величины для данного типа тиристора, а затем при уменьшении тока (фиг. 2). Снятие BAX на постоянном токе при его увеличении от нуля обеспечивает протекание процесса PBC при плотности тока во включенной области полупроводниковой структуры, равной критической. Поэтому и в точке BAX, начиная с которой ветви BAX, снятые при увеличении и уменьшении тока, расходятся, плотность тока также равна критической, а включенная область полупроводниковой структуры занимает всю площадь n-эмиттера (процесс PBC закончился). Измеряют величину тока Ik в точке BAX, где ее ветви расходятся, а искомую критическую плотность тока тиристора, необходимую для распространения включенного состояния, определяют по формуле Jкр iк/S. Применение предлагаемого способа обеспечивает довольно простое и точное измерение критической плотности тока тиристора, являющейся одним из основных параметров процесса распространения включенного состояния, что способствует доступности измерения этого параметра с целью анализа работы тиристора в электрических схемах, когда процесс PBC играет существенную роль.

Формула изобретения

Способ определения критической плотности тока тиристора, включающий пропускание через тиристор постоянного тока при номинальном токе управления, снятие вольт-амперной характеристики тиристора и определение величины постоянного тока в точке вольт-амперной характеристики, соответствующей окончанию процесса распространения включенного состояния, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, сначала увеличивают величину постоянного тока от нуля до предельно допустимой величины, а затем уменьшают величину постоянного тока до момента расхождения ветвей вольт-амперной характеристики, снятых при увеличении и уменьшении постоянного тока, за величину постоянного тока в точке вольт-амперной характеристики, соответствующей окончанию процесса распространения включенного состояния, принимают значения тока в точке расхождения ветвей вольт-амперной характеристики, а критическую плотность тока тиристора определяют из соотношения jкр iкр/S, где jкр критическая плотность тока тиристора; iкр значение тока в точке расхождения ветвей вольт-амперной характеристики; S площадь n-эмиттера тиристора.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электроизмерениям и контролю качества полупроводниковых приборов и интегральных схем

Изобретение относится к технике измерения параметров и характеристик полупроводниковых приборов и, в частности, к измерениям полупроводниковых диодов как нелинейных управлениях емкостей

Изобретение относится к электрооптическим измерениям и предназначено для проведения, внутрисхемных бесконтактных измерений электрических напряжений в интегральных микросхемах (ИМС) на пластинах

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх