Способ изготовления дифракционной решетки на поверхности монокристалла, включающий формирование на поверхности монокристалла фоторезистивной решетчатой маски с равной шириной полосы и промежутка голографическим методом, анизотропное вытравливание через маску канавок трапециевидного или треугольного профиля и удаление маски, отличающийся тем, что, с целью получения дифракционной решетки с удвоенной пространственной частотой, перед удалением фотомаски на структуру напыляют металлическую маскирующую пленку толщиной не более полуширины полосы фоторезистивной решетчатой маски, после удаления маски проводят повторное анизотропное вытравливание канавок аналогичного профиля в открытых от маскирующей пленки участках поверхности монокристалла, а затем удаляют металлическую маскирующую пленку.
Похожие патенты:
Изобретение относится к технологии микроэлектроники
Изобретение относится к технологии производства электронной техники и касается нанесения активного диэлектрика на полупроводниковые подложки
Изобретение относится к электронной технике, более конкретно к технологии производства интегральных схем (ИС), и может быть использовано для повышения воспроизводимости (или стабилизации) технологических процессов, связанных с взаимодействием излучения с М-слойной (М 1, 2,) структурой тонкопленочных покрытий
Изобретение относится к технологии производства электронной техники и касается нанесения активного диэлектрика на полупроводниковые подложки
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых интеградьных микросхем с помощью фотолитографии
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при создании устройств на основе сверхпроводящих материалов
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано на завершающей стадии фотолитографии при удалении задубленного слоя фоторезиста с поверхности полупроводниковых пластин и фотошаблонных заготовок
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в литографических процессах при изготовлении полупроводниковых приборов, интегральных схем и печатных плат
Изобретение относится к устройствам нанесения покрытий посредством центрифугирования и может быть использовано, в частности, для создания светочувствительного слоя на полупроводниковых пластинах и фотошаблонах
Изобретение относится к полупроводниковому производству, в частности к процессам фотолитографии при нанесении фоторезиста на пластины, а также может использоваться при получении других полимерных покрытий центрифугированием
Изобретение относится к чувствительным к излучению композициям с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, обеспечивающим модель диэлектрической проницаемости, используемой в качестве изоляционных материалов или конденсатора для схемных плат
Изобретение относится к технологии тонкопленочных приборов
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при создании современных полупроводниковых приборов и структур для микро- и наноэлектроники, в частности, при разработке наноразмерных приборов на основе кремния или структур Si/SiGe/Si с целью обеспечения проводимости тонких (субмикронных) полупроводниковых слоев
