Электролит для анодного окисления антимонида индия

Авторы патента:

H01L21/306 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105)

Изобретение относится к области микроэлектроники и может найти широкое применение в технологии МДП-приборов. Сущность: электролит содержит аммоний надсернокислый, глицерин, углерод четыреххлористый и диметилформамид. Кроме того, электролит дополнительно содержит воду при следующих соотношениях ингредиентов вес.%: вода 0,1-1,0, аммоний надсернокислый 0,3-3,0, углерод четыреххлористый 5,0-15,0, глицерин 55,0-70,0, диметилформамид - остальное. Технический результат: повышение воспроизводимости электрофизических параметров границы раздела антимонид индия - анодный окисел. 1 табл.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может найти широкое применение в технологии МДП-приборов. Современные требования многоэлементных МДП-фотоприемников диктуют необходимость создания совершенной границы раздела полупроводник-диэлектрик с определенным комплексом электрофизических свойств: с плотностью поверхностных состояний N_ss1·10¹¹ см^-2; временем релаксации неравновесной емкости _рел30-40 мс напряженностью пробоя диэлектрика Епр.1.10⁶ В/см; зарядов в диэлектрике V_FB <3-5 B и высокой воспроизводимостью этих параметров на площади полупроводниковой пластины не менее 1 см².

В настоящее время наиболее приемлемым методом получения диэлектрических пленок на поверхности полупроводников А^IIIВ^V является анодное окисление. При этом электрофизические параметры анодных пленок, а также границы раздела диэлектрик - полупроводник в большой степени определяются составом и свойствами применяемого электролита [1, 2]. Наиболее перспективными электролитами для анодирования антимонида индия в МДП-технологии являются электролиты на основе диметилформамида и электропроводной составляющей [2]. В качестве электропроводной составляющей можно использовать, например, аммоний надсернокислый, кислоту пирофосфорную. Известен и широко подменяется электролит [2] состава, вес.%:

Аммоний надсернокислый 1-3Глицерин 55-70Углерод четыреххлористый 5-15Диметилоформид остальное

В течение длительного срока работы с этим электролитом и другими электролитами на основе диметилформамида авторами обнаружено, что свойства анодного окисла и его границы с полупроводником, а также выход годных МДП-структур по площади полупроводниковой пластины с достаточной воспроизводимостью электрофизических параметров зависят от степени чистоты промышленных органических растворителей, срока их хранения. Стабилизация процесса анодирования, а следовательно, и электрофизических параметров изготавливаемых МДП-структур велась по пути очистки органических растворителей от сопутствующих основному веществу примесей и воды. С этой целью авторами использованы диметилформамид (ТУ 6-09-20-12-78) и глицерин особой чистоты с содержанием воды менее 0,05% и муравьиной кислоты в диметилформамиде менее 0,005%. При использовании этих реактивов для составления электролита качество анодирования, характеризуемое воспроизводимостью электрофизических параметров границы раздела анодный окисел - полупроводник зависит от времени хранения приготовленного электролита и влажности воздуха. Замечено, что анодирование антимонида индия в свежеприготовленном электролите из реактивов особой чистоты не позволяет формовать структуры с воспроизводимыми параметрами границы раздела анодный окисел - полупроводник. Процент выхода годных МДП-структур с комплексов электрофизических параметров, перечисленных выше, в этом случае составляет 15-20%. Таким образом, полное отсутствие воды или присутствие ее в электролите анодирования в количестве менее 0,1 вес.% приводит к невоспроизводимости электрофизических параметров границы раздела анодный окисел - полупроводник, а значит и изготавливаемых МДП-структур. При выдержке на воздухе не менее 1-5 суток в силу гигроскопичности диметилформамида и глицерина электролит адсорбирует воду и процент выхода годных МДП-структур с анодным диэлектриком увеличивается. Изменение влажности воздуха приводит к изменению временного интервала хранения электролита, т.е. процесс анодирования в известном электролите становится технологически неуправляемым.

Целью данного изобретения является повышение воспроизводимости электрофизических параметров границы раздела полупроводник - анодный окисел. Поставленная цель достигается тем, что в электролит на основе особо чистых диметилформамида и электропроводной составляющей вводят дополнительно определенное количество деионизованной воды (g 16 мом), при этом содержание ингредиентов должно быть в следующих пределах, вес.%:

Вода0,1-1,0 Электропроводная составляющая 0,3-3,0диметилформамид остальное

Для выбора оптимальной концентрации воды в электролите было приготовлено 6 электролитов с разным содержанием воды. Использован электролит, вес.%:

Аммоний надсернокислый 1,0Углерод четыреххлористый 5,0Глицерин 50Вода 0-1,5Диметилформамид остальное

Данные по проценту выхода МДП-структур на антимониде индия с электрофизическими параметрами, приведенными выше, в зависимости от концентрации воды приведены в таблице.

Содержание воды, вес.%0-0,1 0,20,51,0 1,5% годных МДП-структур 15-2030-4060-75 40-5020-25

Таким образом, оптимальной концентрацией воды в электролитах на основе диметилформамида является 0,1-1,0 вес.%. Присутствие воды в электролите позволяет стабилизировать технологический процесс анодирования и увеличить процент выхода годных МДП-структур до 75%; при этом процент выхода многоэлементных приборов также увеличивается.

Формула изобретения

Электролит для анодного окисления антимонида индия, содержащий аммоний надсернокислый, глицерин, углерод четыреххлористый и диметилформамид, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости электрофизических параметров границы раздела антимонид индия - анодный окисел, он дополнительно содержит воду при следующих соотношениях ингредиентов, вес.%:

Вода0,1-1,0 Аммоний надсернокислый 0,3-3,0Углерод четыреххлористый 5,0-15,0Глицерин 55,0-70,0Диметилформамид остальное

Изобретение относится к области микроэлектроники и может найти широкое применение в технологии МДП-интегральных схем

Способ плазменного травления алюминия // 1829774

Изобретение относится к электронной технике и, в частности, к технологии изготовления приборов твердотельной электроники и может быть использовано в электронной, радиотехнической промышленности при создании интегральных схем или при обработке пластин, на которых нанесена алюминиевая пленка, а также при обработке поверхности алюминиевых деталей

Щелочной травитель для утонения кремния // 1829773

Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии утонения кремниевых пластин с готовыми структурами, и решает проблему улучшения экологической безопасности по сравнению с кислотными травителями для аналогичных целей

Газовая смесь для селективного сухого травления диэлектрических слоев // 1823714

Способ травления кремниевых изделий // 1822299

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении кремниевых приборов с применением техники жидкостного травления

Способ плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковой подложки // 1820787

Способ изготовления полупроводниковых диодов // 1817867

Способ сухого травления слоев на поверхности полупроводниковых структур // 1817617

Изобретение относится к обработке материалов и может быть использовано в производстве СБИС на операциях формирования микрорисунка в рабочих слоях

Способ обработки поверхности арсенида индия // 1814442

Способ очистки поверхности кремния // 1814439

Процесс плазмохимического травления поликремния до кремния // 2110114

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния

Способ непрерывной жидкостной химической очистки поверхности, преимущественно полупроводниковых пластин // 2118013

Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности

Устройство для микроволновой вакуумно-плазменной с электронно-циклотронным резонансом обработки конденсированных сред // 2120681

Состав разбавителя для смывания ненужного фоторезиста на пластине в процессе изготовления полупроводниковых устройств (варианты) и способ смывания ненужного фоторезиста (варианты) // 2126567

Устройство для шлюзования // 2133521

Способ электрохимической обработки полупроводниковых пластин // 2133997

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур // 2133998

Способ непрерывного жидкостного химического снятия слоев полимеров с поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139593

Установка для химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139594

Способ просушивания кремния // 2141700

Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости