Способ плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковой подложки
Способ плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковой подложки, включающий ее размещение в рабочей камере на термостатированном подложкодержателе на расстоянии свыше 100 мм от зоны активации плазмы, активацию низкотемпературной плазмы в газовой среде, содержащей кислород, транспортирование активных радикалов из зоны активации в зону обработки и обработку подложки со слоем фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности удаления фоторезиста относительно нижележащего слоя и снижения окисления нижележащих материалов при сохранении высокой скорости процесса, в газовую среду дополнительно вводят аргон, при этом содержание аргона в смеси составляет 20-95 об.%.
Похожие патенты:
Способ изготовления полупроводниковых диодов // 1817867
Изобретение относится к обработке материалов и может быть использовано в производстве СБИС на операциях формирования микрорисунка в рабочих слоях
Способ обработки поверхности арсенида индия // 1814442
Способ очистки поверхности кремния // 1814439
Способ сухого травления структур с проводящим слоем на поверхности в двухкамерных установках // 1805788
Изобретение относится к обработке материалов и может быть использовано в производстве СБИС на операциях сухого травления проводящих слоев
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к способу сглаживания рельефа в интегральных схемах
Способ регенерации травителя для кремния // 1759183
Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении кремниевых приборов с применением техники жидкостного травления
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния
Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности
Устройство для шлюзования // 2133521
Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)
Способ просушивания кремния // 2141700
Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости