Способ обработки поверхности арсенида индия

Авторы патента:

H01L21/306 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105)

Способ обработки поверхности арсенида индия, включающий обезжиривание, травление в растворе, промывку, сушку и термообработку в условиях сверхвысокого вакуума, отличающийся тем, что, с целью повышения степени совершенства структуры поверхности за счет снижения температуры термообработки, травление осуществляют в насыщенном растворе паров соляной кислоты в изопропиловом спирте в течение 5 - 10 мин, а термообработку проводят при равномерном подъеме температуры до 200 - 230^oC за время 1,5 - 2 ч и последующей выдержке при этой температуре в течение 20 - 30 мин.

Способ плазменного травления арсенида галлия с собственным окисным слоем // 1807533

Способ сухого травления структур с проводящим слоем на поверхности в двухкамерных установках // 1805788

Изобретение относится к обработке материалов и может быть использовано в производстве СБИС на операциях сухого травления проводящих слоев

Способ создания сглаженного рельефа в интегральных схемах // 1766214

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к способу сглаживания рельефа в интегральных схемах

Способ регенерации травителя для кремния // 1759183

Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении кремниевых приборов с применением техники жидкостного травления

Способ контролируемого растворения эпоксидных корпусов // 1755334

Способ локального полирующего растворения кремниевых структур n+-n- или p-n-типа // 1752133

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 1748505

Способ плазмохимического травления пленок алюминия // 1739802

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектроники, предназначено для изготовления полупроводниковых приборов, в частности интегральных микросхем, и касается плазмохимической обработки структур с нанесенными на них пленками алюминия

Способ для лазерно-стимулированного травления фосфида индия // 1715136

Процесс плазмохимического травления поликремния до кремния // 2110114

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния

Способ непрерывной жидкостной химической очистки поверхности, преимущественно полупроводниковых пластин // 2118013

Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности

Устройство для микроволновой вакуумно-плазменной с электронно-циклотронным резонансом обработки конденсированных сред // 2120681

Состав разбавителя для смывания ненужного фоторезиста на пластине в процессе изготовления полупроводниковых устройств (варианты) и способ смывания ненужного фоторезиста (варианты) // 2126567

Устройство для шлюзования // 2133521

Способ электрохимической обработки полупроводниковых пластин // 2133997

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур // 2133998

Способ непрерывного жидкостного химического снятия слоев полимеров с поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139593

Установка для химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139594

Способ просушивания кремния // 2141700

Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости