Всесоюзная : 1|| яашгшо- ,«|' тпхкйчгс'ая ^^ iе^{:>& л}!07т!г;,iк. а. короташ

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

l98I34

Союз Советских

Социалистических

Реслублик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 57с1, 2/01

576, 8/02

Заявлено 18.Х1.1965 (№ 1037956/26-10) с присоединением заявки №

Комитет ло лелем изобретеиий и открытий при Совете Министров

СССР

МПК G 03f

G 03f

УД1 778.155.4(088,8) Приоритет

Опубликовано 09.VI.1967, Бюллетень ¹ 13

Дата опубликования описания 14ХП.19б7

Автор изобретения

К. А. Короташ

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ PACTPOBblX ИЗОБРАЖЕНИЙ

Йзвестен способ получения растровых изображений, заключающийся,в том, что с .полутонового оригинала съемкой в фоторепродукционном аппарате получают растровый негатив, затем градационную маску и совмещают полученные изображения по крестам-меткам.

Предложенный способ позволяет, повысить качество изображения на фотоформе, сократить время корректирования и расход фотоматериала. Это достигается тем, что градационную маску изготавливают фотографированием через проекционный растр, установленный под тем же углом поворота, что и при фотографировании растрового негатива, изменяя при этом растровое расстояние и действующее отверстие объектива.

Способ заключается в следующем. После изготовления основного растрового негатива, не вынимая, растра, изготавливают градационную маску, размеры и оптические плотности растровых точек которой регулируются в за висимости от характера требуемых исправлений на основном негативе.

Регулируют параметры растровых точек на маске,подбором исходного фотослоя и диафрагмы, изменением растрового расстояния и времени экспонирования, а также широким варьированием состава проявителя и,времени проявления маски. Устанавливают требуемые режимы изготовления маски после .просмотра основного растрового негатива, Например, основной растровый негатив имеет требуемые размеры растровых точек в

«светах» и полутонах, а в «тенях» размеры непрозрачных точек меньше требуемых. Снимают маску с диафрагмой 32 и 22. Растр отодвигают от первоначального положения на 2 лтлт, выдержку уменьшают по отношению к выдержке с основной диафрагмой на рисунок в 8—

9 раз. Обрабатывают маску в любом мягко работающем проявителе, например в разба вленном в четыре раза штриховом проявителе

15 ФТ-2, Время проявления берут в два раза ,меньше, чем время проявления основного растрового негатива. При совмещении маски и основного негатива по крестам-меткам размеры непрозрачных растровых точек в тенях будут увеличены.

Аналогичным образом подбирают режимы изготовления масо|к при исправлении «светов» и светлых полутонов основного негатива. Для более точного совмещения «точка в точку» при съемке негатива и маски помимо позитивных крестов-меток используют негативные крестыметки с четкими белыми перекрещивающимися под прямым углом штрихами на черном

ЗО фоне.

198134

Предмет изобретения

Составитель С. Т. Коврина

Редактор В. Н. Торопова Техред Т. П. Курилко Корректоры: M. П. Ромашова и Н. И. Бысгрова

Заказ 2155jI4 Тиран . 535 Подпис ro

1111ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Способ получения растровых изображений, заключающийся в получении с полутонового оригинала в фоторепродукционном аппарате ,последовательно растрового негатива и градацион ной маски и в совмещении полученных изображений по меткам, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изображения на фотоформе, сокращения времени .корректирования и расхода фотоматериала, градационную маску изготавливают фотографированием через проекционный растр, установленный под тем же углом поворота, что и .при фотографирова|нии растрового негатива, изменяя при этом растровое расстояние и действующее отверстие объектива.

Всесоюзная : 1|| яашгшо- ,«| тпхкйчгсая ^^ iе^{:>& л}!07т!г;,iк. а. короташ Всесоюзная : 1|| яашгшо- ,«| тпхкйчгсая ^^ iе^{:>& л}!07т!г;,iк. а. короташ 

 

Похожие патенты:

Способ определения энергетического порога чувствительности ядерной эмульсиипри известных способах оценки значения энергетического порога чувствительности фотоэмульсий по средней плотности проявленных зерен на следе частицы с определенной ионизирующей снособиостью онираются на 5 произвольные предложения о величине флюктуации в передаче энергии частицей мнкро- 'кристаллу agbr. это не дает возможности быть уверенным в достоверности способов.по предлагаемому способу можно прямо 10 'получить кривую распределения лппфокрнсталлов agbr ядерной эмульсии по их чувствительности.способ основан на изучении фотографической эффективности результата попадания в 15 микрокристалл отдельного электрона известной энергии, тормозяи1.егося внутри мнкрокристалла до остановки. при этом миниг^итльная энергия электро]1а, которая сообщает микрокристаллу способность к проявлению может 20 быть отождествлена с чувствительностью микрокристалла.заключается способ в том, что на однослойном препарате исследуемой эмульсии экспонируют под электронным пучком последова- 25 тельность полей, отличающихся энергией электронов, но при постоянстве экспозиций. после нроявления препарата определяют плотность проявленных зерен в полях облучения и строят зависимость выхода нроявлен- 30 ных зерен от энергии электронов.нов выбирают такими, чтобы можно было пренебречь вероятностью кратных попаданий электронов в микрокристалл и выходом электронов за пределы микрокристаллов. этим условиям соответствуют экспозиции 0,1—0,2 электрона на микрокристалл и эпергия электронов при экспозиции, не превыщающая 2000 эв (максимальиый пробег в agbr~ -^10^0 см).тогда нолучеииая зависимость выхода проявленных зерен от энергии электронного пучка будет показывать долю микрокристаллов с норого>&.! чувствнтельности не выще заданного значення энергии, а дифференцированная кривая — распределенне микрокристаллов по чувствительности.предмет изобретенияспособ онределення энергетического порога чувствительности ядерной эмульсни по плотности проявленных зерен, находящихся в ноле облучення, отличающийся тем, что, с целью нолучення сведеннй о распределепи'и мнкрокрнсталлов agbr по чувствительности, изучают выход проявленных зерен на последовательности полей однослойного препарата, экспонированных npii постоянной экспозиции электронами с различной энергней в условнях эксноннровання, когда вероятность кратных попаданнй электронов в микрокристалл и выход электронов за нределы микрокристалла нренебрежимо малы. // 172407
Наверх