Способ герметизации полупроводникового прибора

 

Сущность изобретения: при размещении прибора в пресс-форме плоскость радиатора совмещают с плоскостью среза пресс-формы, накладывают на поверхность радиатора пленку, не смачиваемую герметизирующей пластмассой и с низкой адгезией к металлу пресс-формы, при этом температуру T1 прессования определяют из выражения: T1 0.9T2 , где T2 - температура размягчения пленки, кроме того, в качестве пленки используют фторопласт. 4 ил.

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при герметизации их в пластмассу.

Известны способы герметизации полупроводниковых приборов в пластмассу литьем под давлением с помощью пресс-формы, состоящей из двух половин. Смыкание их образует формы корпусов полупроводниковых приборов, в которые загружают собранные элементы и впрыскивают расплавленную пластмассу.

Недостатком этих способов является образование облоя, удаление которого требует дополнительных затрат. Особенно нежелателен облой на поверхности радиатора, находящейся в одной плоскости с гранью корпуса полупроводникового прибора, удаление которого снижает процент выхода годных из-за механических повреждений приборов.

Известен способ герметизации полупроводниковых приборов, который предусматривает прижатие радиатора к поверхности формы.

Данный способ, как и другие, не уменьшает вероятность образования облоя на поверхности радиатора из-за наличия микронеровностей и деформаций соприкасающихся поверхностей.

Целью изобретения является уменьшение вероятности образования облоя на поверхности радиатора прибора.

Это достигается тем, что при размещении прибора в пресс-форме плоскость радиатора совмещают с плоскостью среза пресс-формы, накладывают на поверхность радиатора пленку, не смачиваемую герметизирующей пластмассой и с низкой адгезией к металлу пресс-формы, при этом температуру Т1 прессования определяют из выражения Т1 0,9 Т2, где Т2 - температура размягчения пленки.

Кроме того, в качестве пленки используют фторопласт.

Процесс герметизации поясняется фиг. 1-4, где на фиг. 1 - изображена загрузка п/п прибора в пресс-форму; на фиг. 2 - накладывание пленки; на фиг. 3 - герметизация; на фиг. 4 - размыкание пресс-формы, снятие прибора и пленки.

При смыкании пресс-формы 1 знак 3 прижимает радиатор 2 п/п прибора к пленке 4, которая уплотняет зазоры, образуемые шероховатостью поверхностей и препятствует проникновению расплавленной пластмассы 6 на вскрываемую поверхность 5. Кроме того, пластичная пленка 4 устраняет зазор между смыкаемыми поверхностями пресс-формы, возникающий из-за погрешности изготовления, износа и температурного влияния и препятствует проникновению пластмассы 6 на поверхности радиатора и среза, чем уменьшает износ пресс-формы.

Из испытанных пленок наиболее удовлетворительные результаты были получены при использовании таких пленок, в составе которых используется фторопласт. При этом температура прессования корректировалась в зависимости от температуры размягчения пленки, но не ниже обеспечения необходимой текучести герметизирующей пластмассы.

При использовании данного способа уменьшается или вообще отпадает необходимость механического удаления облоя и повышается в результате этого процента выхода годных приборов. (56) Заявка Японии N 60-76130, кл. Н 01 L 21/48, 1985.

Заявка Японии N 58-54498, кл. Н 01 L 22/48, 1983.

Формула изобретения

1. СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий размещение прибора в пресс-форме, смыкание пресс-формы и подачу под давлением герметизирующей пластмассы в пресс-форму, отличающийся тем, что, с целью уменьшения вероятности образования облоя на поверхности радиатора прибора, при размещении прибора в пресс-форме плоскость радиатора совмещают с плоскостью среза пресс-формы, накладывают на поверхность радиатора пленку, не смачиваемую герметизирующей пластмассой и с низкой адгезией к металлу пресс-формы, при этом температуру T1 прессования определяют из выражения T1 0,9 T2, где T2 - температура размягчения пленки.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве пленки используют фторопласт.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может найти широкое применение в технологии полупроводниковых приборов при изготовлении структур диэлектрик полупроводник

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к способам создания кремниевых структур с заданными электрофизическими и структурными свойствами, и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления интегральных схем, имеющих элемент памяти с затвором из поликристаллического кремния

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к технике, связанной с процессами легирования и диффузии примесей в полупроводники и металлы, а именно к способам диффузионного перераспределения примеси с поверхности по глубине полупроводниковых пластин путем обработки в потоке электронного пучка, и может быть использовано в пространстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к устройствам для удаления нежелательных поверхностных примесей с плоской или имеющей нерегулярную форму поверхности подложки 12 высокоэнергетическим излучением

Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур с помощью потока заряженных частиц и может быть использовано в микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем, запоминающих устройств и оптических элементов

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки (геттерирования) исходных подложек и структур на основе монокристаллического кремния от фоновых примесей и дефектов

Изобретение относится к методам формирования твердотельных наноструктур, в частности полупроводниковых и оптических, и может быть использовано при создании приборов нового поколения в микроэлектронике, а также в оптическом приборостроении
Наверх