Органический сверхпроводник братьев нуруллиных

 

Использование: для создания органических веществ, обладающих свойством сверхпроводимости. Органический сверхпроводник имеет кристаллическую структуру, сформированную из слоев пары органических соединений, в котором слои кристалла связаны отрицательно заряженными ионами. Пары органических соединений состоят из производных пиримидина и пурина. В качестве отрицательного заряженного иона, связывающего слои кристалла, применено химическое образование или на основе фосфата, или перхлората, или гексафлуорофосфата, или фосфата с сахаром. Описанную структуру органического сверхпроводника получают путем синтеза известными способами. 4 з.п.ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к органическим веществам, обладающим свойством сверхпроводимости, в частности к органическим сверхпроводящим кристаллам.

Известны органические сверхпроводники, состоящие из стопок солей (TMTSF)2X, где Х обозначает отрицательно заряженный ион, например гексафлуорофосфат (PF6) или перхлорат (Cl0-4) [1]. Указанные кристаллы переходят в сверхпроводящее состояние при температуре не выше 1,2 К.

Известен также органический сверхпроводник из серии ион-радикальных солей, состоящий из иодидов сложной органической молекулы BEDT-TTF (бис/этилен-дитиоло/тетратиофульвален) [2] . Кристаллы иодидов BEDT-TTF образованы из слоев молекул BEDT и TTF. Температура перехода в сверхпpоводящее состояние известного органического сверхпроводника при нормальном давлении не превышает 7 К.

Однако класс известных органический сверхпроводников является малочисленным.

Целью изобретения является получение органического соединения, обладающего сверхпроводящим свойством, и расширение класса органических сверхпроводников.

Цель достигается тем, что в органическом сверхпроводнике, имеющем кристаллическую структуру, сформированную из слоев пары органических соединений, в котором слои кристалла связаны отрицательно заряженными ионами, пары органических соединений состоят из производных пурина и пиримидина. В качестве отрицательно заряженного иона, связывающего слои кристалла органического сверхпроводника, использовано химического образование на основе или фосфата, или перхлората, или гексафлуорофосфата, или фосфата с сахаром.

На фиг. 1 схематически изображен пурин; на фиг.2 - пиримидин; на фиг.3 приведено схематическое изображение пурин-пиримидиновой пары с двойными водородными связями; на фиг.4 - изображение пурин-пиримидиновой пары с тройными водородными связями; на фиг.5 приведено схематическое плоское изображение структуры органического сверхпроводника из пурин-пиримидиновых пар с двойными водородными связями; на фиг.6 - схематическое плоское изображение структуры органического сверхпроводника из пурин-пиримидиновых пар с тройными водородными связями; на фиг. 7 - схематическое плоское изображение структуры сверхпроводника одновременно из пурин-пиримидиновых пар с двойными и с тройными водородными связями; на фиг.8 - общая пространственная схема предложенного органического сверхпроводника; на фиг.9 - пример органического сверхпроводника с радикалом на основе фосфата; на фиг.10 - пример органического сверхпроводника с радикалом на основе перхлората; на фиг.11 - пример органического сверхпроводника с радикалом на основе гексафлуорофосфата; на фиг.12 - пример органического сверхпроводника с радикалом на основе фосфата с молекулой сахара.

Органический сверхпроводник состоит из производных пурина и пиримидина, которые образуют между собой пару 1 с двойными водородными связями или пару 2 с тройными водородными связями. Органический сверхпpоводник образован из комбинаций пар 1 и (или) пар 2 друг с другом, причем они связаны между собой отрицательно заряженными ионами Х. В формировании органического сверхпроводника могут быть использованы только пары 1 с двойными водородными связями (фиг.5), только пары 2 с тройными водородными связями (фиг.6), а в общем случае структура формируется по смешанному расположению пар 1 и 2 (фиг. 7). Указанные пары 1 и 2 расположены в виде слоев друг на друге и образуют пространственную структуру кристалла органического сверхпроводника, то есть слои органического сверхпроводника расположены друг над другом и сочетание слоев пар 1 со слоями пар 2 может быть различным. Слои эти связаны между собой отрицательно заряженными ионами Х. Таким образом, отрицательно заряженный ион Х находится между слоями пар 1 и 2.

В частном случае, в качестве отрицательно заряженного иона Х, связывающего слои органического сверхпроводника, применено химическое образование на основе фосфата (РО3), или на основе перхлората (ClO4), или на основе гексафлуорофосфата (PF6), или на основе фосфата РО3 с сахаром.

Предложенный органический сверхпроводник может быть получен как классически известными способами, так и способами, которые могут быть разработаны в перспективе. Предложенное вещество по известному способу получают при пропускании тока через раствор исходных молекул пурина и пиримидина и отрицательных ионов Х, перечисленных в описании. Способ классически известен из журнала "Успехи физических наук", 1983, т. 140, вып.4, с.682 и 683.

Предложенное вещество принадлежит к новой группе органических соединений, обладающих сверхпроводящими свойствами, что расширяет существующий класс органических сверхпроводников.

Формула изобретения

1. Органический сверхпроводник с кристаллической структурой, образованной связанными отрицательно заряженными ионами слоями из пары органических соединений, отличающийся тем, что пары органических соединений состоят из производных пиримидина и пурина.

2. Сверхпроводник по п.1, отличающийся тем, что в качестве отрицательно заряженного иона он содержит химическое образование на основе фосфатов.

3. Сверхпроводник по п.1, отличающийся тем, что в качестве отрицательно заряженного иона он содержит химическое образование на основе перхлората.

4. Сверхпроводник по п.1, отличающийся тем, что в качестве отрицательно заряженного иона он содержит химическое образование на основе гесафлуорофосфата.

5. Сверхпроводник по п.1, отличающийся тем, что в качестве отрицательно заряженного иона он содержит химическое образование на основе фосфата с сахаром.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7, Рисунок 8, Рисунок 9, Рисунок 10, Рисунок 11, Рисунок 12



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к созданию высокотемпературных сверхпроводящих материалов и связано с контролем их свойств, в частности с контролем теплопроводности

Изобретение относится к области металлоорганической химии, а именно к летучим комплексам бария, которые могут быть использованы для газофазного осаждения пленок высокотемпературных сверхпроводников

Изобретение относится к области сверхпроводимости

Изобретение относится к области технической сверхпроводимости, в частности, для создания длинномерных изделий из металлооксидных материалов, обладающих высокотемпературной сверхпроводимостью и эксплуатируемых при температурах жидкого азота в сильных магнитных полях

Изобретение относится к способу изготовления высокотемпературного сверхпроводника и сформированных из него фасонных тел, состоящего из окислов висмута, стронция, кальция, меди и при необходимости свинца, а также сульфатов стронция и/или бария

Изобретение относится к сверхпроводящему проволочному материалу, предназначенному для сильноточных устройств, применяемых в термоядерных реакторах, накопителях энергии и иных подобных устройствах

Изобретение относится к способам изготовления сверхпроводящего провода, более конкретно, к способу изготовления сверхпроводящего провода из Nb3Al, использующегося в качестве сверхпроводящих материалов для создания сильных магнитных полей в сверхпроводящих магнитах, которые применяются в ядерном синтезе или в подобных установках

Изобретение относится к способам изготовления сверхпроводящего провода, более конкретно, к способу изготовления сверхпроводящего провода из Nb3Al, использующегося в качестве сверхпроводящих материалов для создания сильных магнитных полей в сверхпроводящих магнитах, которые применяются в ядерном синтезе или в подобных установках

Изобретение относится к сверхпроводящим материалам и может быть использовано в таких областях, как энергетика (системы генерирования, хранения и передачи энергии на расстояния), транспорт (авиа- и космические аппараты, поезда на магнитной подушке), электроника и вычислительная техника (сверхпроводящие квантовые интерферометры, сверхпроводящие элементы памяти), физика элементарных частиц (сверхпроводящие ускорители), горнодобывающая промышленность (магнитные сепараторы) и медицина (сверхпроводящие томографы)

Изобретение относится к электротехнике, в частности к технической сверхпроводимости
Наверх