Травитель для арсенида галлия

Авторы патента:

H01L21/306 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105)

Использование: микроэлектроника, для создания матированной поверхности арсенида галлия, позволяющей увеличить внешнюю квантовую эффективность излучения светодиодов и адгезию металлических контактных слоев. Сущность изобретения: травитель для арсенида галлия содержит азотную кислоту 712 - 1000 г/л, нитрит натрия или нитрит калия 1 - 20 г/л и воду. 1 табл.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для создания матированной (шероховатой) поверхности арсенида галлия, позволяющей увеличить внешнюю квантовую эффективность излучения светодиодов и адгезию металлических контактных слоев. Известные травители для GaAs на основе перекиси водорода и смеси кислот (1 2) являются полирующими и не дают матированной (шероховатой) поверхности.

Наиболее близким техническим решением является травитель для арсенида галлия на основе азотной кислоты, в состав которого введена перекись водорода (3).

Данный травитель пригоден для получения зеркально гладкой плоско-параллельной поверхности GaAs, но не дает матированной (шероховатой) поверхности. Технический результат изобретения получение матированной (шероховатой) поверхности.

Технический результат достигается тем, что травитель для арсенида галлия на основе азотной кислоты содержит нитрид натрия или нитрит калия и воду при следующем соотношение компонентов, г/л: азотная кислота 712-1000 нитрит натрия или нитрит калия 1 20 вода до 1 л Сопоставительный анализ заявляемого решения с прототипом показывает, что заявляемый травитель отличается от известного тем, что к азотной кислоте добавляется нитрид щелочного металла. Решение со сходным признаком нам неизвестно, что позволяет судить о соответствии нашего решения критерию "существенного отличия".

Примеры составов травителя приведены в таблице В качестве исходных растворов рекомендуется использовать 10%-ный раствор нитрида щелочного металла и концентрированную (68-72%-ную) азотную кислоту, выдерживать травитель перед использованием не менее 5 мин, время травления 0,5 1 мин.

Травление проводили при комнатной температуре, без перемешивания. Время травления 1 мин. Образующийся в некоторых составах осадок на поверхности растворяли в растворе NH₄OH:H₂O(1:10).

Во всех травителях поверхность получается матовая серая. Шероховатость образуется за счет микровыступов. Высота образующихся микровыступов указана в таблице.

Проводилось матирование поверхности GaAs при изготовлении кристаллов светоизлучающих диодов. Получено увеличение на 30% внешней квантовой эффективности излучения по сравнению с полированной поверхностью.

В настоящее время для травления кристаллов светодиодов используют смесь H₂O₂+H₂SO₄, которая дает полированную поверхность.

Применение заявленного травителя позволяет повысить квантовую эффективность излучения светодиодов.

Источники информации, использованные при составлении описания.

1. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников. /Под ред. Б.Д.Луфт. 1982.

2. Известия АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1988, N 7, с 1206-1207.

3. Сборник "Арсенид галлия", Томск 1970, вып. N 3 с.210-216.

Формула изобретения

Травитель для арсенида галлия на основе азотной кислоты и воды, отличающийся тем, что травитель дополнительно содержит нитрид натрия или нитрид калия при следующем соотношении компонентов, г/л: Азотная кислота 712 1000 Нитрид натрия или нитрид калия 1 20 Вода До 1 л

РИСУНКИ

Рисунок 1

Изобретение относится к технологии приборостроения, а именно к способам изготовления анизотропным травлением упругих элементов приборов (балок, мембран, струн и так далее) из пластины монокристаллического кремния с ориентацией плоскости (100)

Способ текстурирования поверхности кремниевых пластин для солнечных элементов // 2056672

Способ изготовления i-области // 2054746

Способ формирования топологического рисунка пленки диоксида олова // 2053584

Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам формирования топологического рисунка чувствительных слоев газовых датчиков плазмохимическим травлением, и может быть использовано в оптике, радиоэлектронике и других областях техники

Состав раствора для очистки поверхности (типа "полифункционал") // 2052868

Устройство для плазмохимической обработки обратной стороны полупроводниковой пластины с одновременной защитой лицевой // 2051442

Травильный раствор для слоев сульфида индия // 2046451

Изобретение относится к составам растворов для травления полупроводниковых и диэлектрических слоев и применяется в оптико-электронном приборостроении в процессе формирования многослойных тонкопленочных структур при изготовлении матричных фотоприемников для инфракрасной области спектра

Способ химико-динамической обработки пластин арсенида галлия // 2045108

Травитель для химического полирования подложек из теллурида кадмия // 2033658

Изобретение относится к обработке полупроводниковых приборов или их деталей, в частности к химическому полированию полупроводниковых подложек теллурида кадмия различной кристаллографической ориентации

Способ плазмохимического травления // 2031480

Процесс плазмохимического травления поликремния до кремния // 2110114

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния

Способ непрерывной жидкостной химической очистки поверхности, преимущественно полупроводниковых пластин // 2118013

Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности

Устройство для микроволновой вакуумно-плазменной с электронно-циклотронным резонансом обработки конденсированных сред // 2120681

Состав разбавителя для смывания ненужного фоторезиста на пластине в процессе изготовления полупроводниковых устройств (варианты) и способ смывания ненужного фоторезиста (варианты) // 2126567

Устройство для шлюзования // 2133521

Способ электрохимической обработки полупроводниковых пластин // 2133997

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур // 2133998

Способ непрерывного жидкостного химического снятия слоев полимеров с поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139593

Установка для химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139594

Способ просушивания кремния // 2141700

Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости