Травитель для химического полирования подложек из теллурида кадмия
Авторы патента:
Использование: при обработке полупроводниковых приборов или их деталей, в частности химическом полировании подложек теллурида кадмия различной ориентации. Сущность изобретения: травитель содержит следующие компоненты, мас.%: оксид хрома 2 - 15, сульфаминовую кислоту 10 - 20 и воду остальное.
Изобретение относится к обработке полупроводниковых приборов или их деталей, в частности к химическому полированию полупроводниковых подложек теллурида кадмия различной кристаллографической ориентации.
Известен травитель для химического полирования подложек соединений AIIBVI состава HNO3:H2O:K2Cr2O7=10 мл:20 мл:4 г [1] Недостатком данного травителя является образование ямок травления и окислов на рабочей стороне подложек. Наиболее близким к изобретению является травитель для обработки подложек соединений теллурида кадмия состава CrO3:HCl:H2O=1:1:3-1:3:6 [2] Основными недостатками данного травителя являются образование окислов и растравливание поверхности подложек. Технический результат изобретения получение бездефектной поверхности подложек теллурида кадмия различной кристаллографической ориентации. Технический результат достигается тем, что травитель содержит компоненты в следующем соотношении, мас. CrO3 2-15 Сульфаминовая кислота 10-20 Вода Остальное В данном составе оксид хрома выполняет функцию окислителя, сульфаминовая кислота создает необходимый рН раствора и является комплексообразователем, вода является растворителем. При содержании оксида хрома менее 2 мас. сильно снижается скорость травления и на поверхности подложек появляются окислы. При концентрации оксида хрома более 15 мас. из-за увеличения скорости травления происходит растравливание поверхности подложек. При содержании сульфаминовой кислоты менее 10 мас. сильно снижается скорость травления и процесс становится нетехнологичным. При концентрации сульфаминовой кислоты 20 мас% раствор становится насыщенным и более высокую концентрацию получить не удается. Разработанный травитель при указанных концентрациях компонентов позволяет получить бездефектную поверхность теллурида кадмия с хорошей воспроизводимостью результатов обработки и высоким выходом годного. Травитель готовят следующим образом. В 100 мл нагретой до 80оС деионизованной воды растворяют при перемешивании сначала сульфаминовую кислоту, а затем оксид хрома, доводят температуру травителя до 70оС и проводят химическое полирование подложек. Затем подложки в течение 2-4 мин промывают проточной деионизованной водой и сушат. Существенными отличиями предлагаемого травителя от прототипа являются использование сульфаминовой кислоты при соотношении компонентов, мас. CrO3 2-15 Сульфаминовая кислота 10-20 Вода Остальное П р и м е р 1. Подложки CdZnSeTe ориентации (III) A, (211) A перед эпитаксией обрабатывают в 100 мл травителя состава 2 мас. оксида хрома, 10 мас. сульфаминовой кислоты в течение 2 мин при температуре 70оС. Качество поверхности подложек соответствует требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек отсутствуют дефекты травления и окисные пленки. П р и м е р 2. Подложки CdZnSeTe ориентации (III) A, (211) A перед эпитаксией обрабатывают в 100 мл травителя состава 15 мас. оксида хрома, 20 мас. сульфаминовой кислоты в течение 2 мин при температуре 70оС. Качество поверхности подложек соответствует требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек отсутствуют дефекты травления и окисные пленки. П р и м ер 3. Подложки CdZnSeTe ориентации (III) A, (211) A перед эпитаксией обрабатывают в 100 мл травителя состава 2 мас. оксида хрома, 7 мас. сульфаминовой кислоты в течение 2 мин при температуре 70оС. Поверхность пластин покрыта окислами. П р и м е р 4. Подложки CdZnSeTe ориентации (III) A, (211) A перед эпитаксией обрабатывают в 100 мл травителя состава 16 мас. оксида хрома, 15 мас. сульфаминовой кислоты в течение 1 мин при 70оС. Поверхность пластин перетравлена. П р и м е р 5. Подложки CdZnSeTe ориентации (III) A, (211) A перед эпитаксией обрабатывают в 100 мл травителя состава 4 мас. оксида хрома, 12 мас. сульфаминовой кислоты в течение 2 мин при температуре 70оС. На поверхности подложек отсутствуют окисные пленки, дефекты травления. Морфология подложек сохраняется первоначальной. П р и м е р 6. Подложки CdZnSeTe ориентации (III) A, (211) A перед эпитаксией обрабатывают в 100 мл травителя состава 1,5 мас. оксида хрома, 15 мас. сульфаминовой кислоты в течение 1 мин при температуре 70оС. Поверхность пластин покрыта окислами. П р и м е р 7. Подложки CdZnSeTe ориентации (III) A, (211) A перед эпитаксией обрабатывают в 100 мл травителя состава 10 мас. оксида хрома, 21 мас. сульфаминовой кислоты в течение 2 мин при температуре 70оС. В травителе имеется осадок нерастворенной сульфаминовой кислоты. Качество поверхности подложек соответствует требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек отсутствуют дефекты травления и окисные пленки. Данный травитель для химического полирования подложек теллурида кадмия по сравнению с известными химическими травителями позволяет получать поверхность подложек теллурида кадмия без окисных пленок и дефектов травления, что повышает выход годного на операции химической обработки подложек.Формула изобретения
ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ХИМИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПОДЛОЖЕК ИЗ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ, содержащий оксид хрома, кислоту и воду, отличающийся тем, что в качестве кислоты он содержит сульфаминовую кислоту при следующем содержании компонентов, мас. Оксид хрома 2 15 Сульфаминовая кислота 10 20 Вода Остальное
Похожие патенты:
Способ плазмохимического травления // 2031480
Изобретение относится к обработке твердых тел, а именно к устройству плазменной обработки поверхности твердого тела, и может быть использовано, например, в электротехнике, машиностроении, электронике
Изобретение относится к процессам плазмохимического травления кремния с целью создания топологического рисунка в кремнии и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Изобретение относится к лазерной технике, в частности к технологии изготовления лазеров, и может быть использовано при создании мощных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком большого сечения
Изобретение относится к лазерной технике, в частности к технологии изготовления лазеров, и может быть использовано при создании мощных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком большого сечения
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковой структуры
Способ формирования микроструктур с полостью // 2006980
Изобретение относится к области микроэлектроники и может найти широкое применение в технологии МДП-приборов
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния
Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности
Устройство для шлюзования // 2133521
Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)
Способ просушивания кремния // 2141700
Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости