Катодный узел для ионно-плазменного нанесения тонких пленок в вакууме

 

Изобретение относится к нанесению тонких пленок путем ионного распыления материала в вакууме. В основу изобретения положена задача создать магнитную систему, у которой напряженность и индукция в межполюсной области изменяются во времени и пространстве. Эта задача решается тем, что магнитная система выполнена в виде основных электромагнитов с замкнутыми сердечниками в форме швеллера, установленных друг относительно друга одноименными полюсами, а внутри основных электромагнитов расположены дополнительные электромагниты также с загнутыми сердечниками в форме швеллера и установленные друг относительно друга также одноименными полюсами, причем магнитное поле основных и дополнительных электромагнитов пересекаются под углом 90o, а их количестве не менее, чем по два каждого. 2 ил.

Изобретение относится к нанесению тонких пленок путем ионного распыления материала в вакууме.

Известен катодный узел [1] преимущественно для ионно-плазменного нанесения пленок в вакуумсодеpжащий катод, мишень, анод, магнитную систему, нагреватель, расположенный со стороны анода, противолежащей рабочей поверхности катода.

Недостатком аналога является то, что магнитное поле, создаваемое постоянным магнитом, имеет непостоянную напряженность от центра к периферии магнита, в центре оно больше, а на периферии меньше. Это приводит к неравномерной бомбардировке мишени и неравномерному распределению распыленного материала по подложке.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является катодный узел, преимущественно для ионно-плазменного нанесения тонких пленок в вакууме, содержащий катод-мишень, конструктивно с ним взаимосвязанную магнитную систему, экраны и элементы охлаждения и напуска газа. Магнитная система выполнена в виде постоянных магнитов в форме швеллеров, установленных друг относительно друга одноименными полюсами, а внутри швеллеров расположены другие постоянные магниты с загнутыми краями, установленные друг относительно друга также одноименными полюсами.

Недостатком прототипа является то, что напряженность и индукция магнитного поля в межполюсной области не изменяется во времени и в пространстве, что не позволяет оперативно управлять этими величинами при проведении технологического процесса.

В основу изобретения положена задача создать магнитную систему, у которой напряженность и индукция в межполюсной области изменяется во времени и пространстве.

Эта задача решается тем, что магнитная система выполнена в виде основных электромагнитов с загнутыми сердечниками в форме швеллеров, установленных друг относительно друга одноименными полюсами, а внутри основных электромагнитов расположены дополнительные электромагниты также с загнутыми сердечниками в форме швеллеров и установленные друг относительно друга также одноименными полюсами, причем магнитное поле основных и дополнительных электромагнитов пересекаются под углом 90o, а их количество не менее, чем по два каждого.

Введение в катодный узел основных и дополнительных электромагнитов обеспечивает создание магнитной системы, в которой индукция и напряженность изменяются как во времени, так и в пространстве, что позволяет оперативно управлять этими величинами при проведении технологического процесса для создания как равномерного поля, так и поля с заданной силовой конфигурацией.

На фиг.1 показан общий вид катодного узла, на фиг.2 общий вид магнитной системы.

Катодный узел (фиг. 1) содержит катод 1, мишень 2, анод 3, магнитную систему 4, нагреватель 5, расположенный со стороны 6 анода 3, противолежащей рабочей поверхности 7 катода 1. Магнитная система 4 (фиг.2) выполнена в виде основных 8 и дополнительных 9 электромагнитов с загнутыми сердечниками 10 и 11 в форме швеллеров соответственно. Основные электромагниты 8 установлены друг относительно друга одноименными полюсами. Внутри основных электромагнитов 8 расположены дополнительные электромагниты 9 с загнутыми сердечниками 11, установленные друг относительно друга также одноименными полюсами, причем магнитное поле основных 8 и дополнительных 9 электромагнитов пересекаются под углом 90o, а их количество не менее, чем по два каждого (фиг.2). Катодный узел установлен в вакуумной камере 12 с элементами охлаждения 13, напуска газа 14 и экранами 15 (фиг.1). Подложкодеpжатель 16 установлен в камере 12, а источник питания 17 установлен вне камеры 12.

Катодный узел работает следующим образом.

При проведении ионно-плазменного нанесения тонких пленок в вакууме в соответствии с заданным технологическим процессом в откаченную камеру 12 напускается рабочий газ, например аргон, через натекатель 14. Подложкодержатель 16 и анод 3 прогреваются. К катоду 1 прикладывается отрицательный потенциал и в камере 12 зажигается разряд. Ионы рабочего газа бомбардируют и распыляют материал мишени 2, который тонким слоем осаждается на подложке, закрепленной на подложкодержателе 16. Напряженность магнитного поля магнитной системы задается от источника питания 17, который выполняет двойную функцию регулирует разность потенциалов между катодом 1 и анодом 3 и регулирует величины токов в электромагнитах 8 и 9, что и обеспечивает в процессе проведения технологического процесса поддержание напряженности и индукции магнитного поля в заданном диапазоне допустимых значений.

При этом за счет того, что напряженность и индукция магнитного поля в межполюсной области имеют возможности изменяться во времени и в пространстве, появляется возможность оперативно управлять этими величинами при проведении технологического процесса с целью обеспечения равномерности покрытия при равномерной бомбардировке мишени 2 ионизированным рабочим газом.

Формула изобретения

Катодный узел для ионно-плазменного нанесения тонких пленок в вакууме, содержащий катод, мишень, магнитную систему с расположенными в два ряда электромагнитами, с направленными друг к другу одинаковыми полюсами в каждом ряду магнитами, отличающийся тем, что магнитная система выполнена в виде электромагнитов с загнутыми сердечниками в форме швеллеров, причем второй ряд электромагнитов установлен внутри первого, электромагниты установлены с возможностью образования магнитных полей первого и второго ряда, перекрещивающихся под углом 90o, и их количество не менее чем по два каждого.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к установкам для нанесения покрытия в вакууме

Изобретение относится к микроэлектронной промышленности, стремительное развитие которой требует резкого увеличения производства полуфабрикатов из алюминия особой чистоты (АОЧ) в виде распыляемых мишеней

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано для изготовления магнитного носителя информации (магнитные ленты и диски)

Изобретение относится к области технологии нанесения покрытий в вакууме и может быть использовано в производстве электрофотографических носителей изображения

Изобретение относится к вакуумной плазменной технологии, предназначено для чистки и напыления на поверхность изделий тонкопленочных защитных или декоративных покрытий и может использоваться в машиностроении, микроэлектронике, легкой и других отраслях промышленности

Изобретение относится к технике нанесения тонкопленочных покрытий в вакууме и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов, поверхностного легирования материалов, нанесения защитных и декоративных покрытий, получения различных пленочных структур

Изобретение относится к плазменной технике и вакуумной технологии нанесения покрытий и направлено на расширение технологических возможностей устройства и улучшение качества наносимых покрытий

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для изготовления интегральных схем

Изобретение относится к технологии получения вакуумных покрытий и может быть использовано при нанесении защитных, износостойких и декоративных покрытий, в частности на керамические и стеклянные облицовочные плитки

Изобретение относится к области покрытия металлических материалов, а также других материалов металлическими и диэлектрическими материалами и может быть использовано при разработке устройств для вакуумного нанесения покрытий методом магнетронного распыления, а более конкретно магнитных систем планарного магнетрона в установках вакуумного нанесения покрытия на различные подложки, в том числе на полимерные пленки

Изобретение относится к рентгеновской оптике, в частности, к устройствам для отражения, поворота, деления, фокусировки и монохроматизации потока рентгеновского излучения и может быть использовано для проведения процессов рентгеновкой литографии, рентгеновской микроскопии, рентгеновской спектроскопии, а также в астрономии, физике, биологии, медицине и других областях технике, где используется рентгеновское излучение
Изобретение относится к области нанесения покрытий, в частности к магнетронному распылению электропроводящих покрытий в среде реактивных газов, и может быть использовано для получения прозрачных электродов и прозрачных электрообогревательных элементов

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к электрофизике, в частности к системам, служащим для получения потоков частиц, используемых, например, для вакуумного нанесения тонких пленок
Наверх