Способ получения окрашенных кристаллов берилла

 

Изобретение относится к способу получения окрашенных кристаллов берилла для использования в ювелирной промышленности. Цель изобретения - повышение выхода кристаллов ювелирного качества. Поставленная цель достигается тем, что в способе получения окрашенных кристаллов берилла используют шихту состава, мас.%: фторид магния, кальция 52,5-65,0, фторид алюминия 3,0-10,0, оксиды металла - хромофора 0,5-2,0, берилл остальное, которую расплавляют, выдерживают при 1220-1250oC в течение 12-24 ч, создают прямой температурный перепад между зоной растворения берилла при 1170-1250oC и зоной роста кристаллов со скоростью 1,0-3,0oC/сутки до температуры 950-1000oC. 1 табл.

Изобретение относится к способам получения окрашенных кристаллов берилла, которые могут быть использованы в ювелирной промышленности.

Известен способ синтеза окрашенных кристаллов берилла (патент США N 3473935, C 04 B 35/44, 1969) путем воздействия давления 7,5 15,0 кбар и температуры выше плавления на шихту, содержащую порошок берилла с добавками воды, фторида для снижения температуры плавления и до 2 вес. оксида хрома в качестве хромофора.

Недостатком известного способа является невозможность получения кристаллов ювелирного качества.

Известно использование для получения зеленого берилла (изумруда) шихты, содержащей природный берилл и окрашивающие добавки оксида хрома, ванадия, железа [1] В качестве флюса использовались оксиды ванадия молибдена, вольфрама, фтор-оксида свинца. При синтезе способом температурного перепада осуществлялся перенос берилла из зоны растворения в зону кристаллизации. Выход кристаллов зависит от величины переноса, которая определяется растворимостью берилла во флюсе и температурным перепадом между зонами роста и растворения.

Недостатком выше описанного способа является низкий выход окрашенных кристаллов берилла ювелирного качества (первые проценты ), вследствие малой растворимости берилла.

Целью предлагаемого изобретения является увеличение выхода кристаллов берилла ювелирного качества.

Поставленная цель достигается тем, что в способе получения окрашенных кристаллов берилла, включающем нагрев шихты, содержащей природный берилл, флюс из галогенидов металлов, окрашивающую добавку из оксида металла хромофора, плавление, выдержку и последующую кристаллизацию в системе с температурным перепадом, состоящей из зоны растворения берилла, зоны переноса и зоны роста кристаллов, используют шихту эвтектического состава (мас.); Фториды магния, кальция 52,5 65,0 Фторид алюминия 3,0 10,0 Оксид металла хромофора 0,5 2,0 Берилл остальное, которую помещают в зону переноса, выдерживают расплав при температуре 1220 1250oC в течение 12 24 ч, создают прямой температурный перепад между зоной растворения при 1170 1250oC и зоной роста при 1040 - 1100oC и охлаждают зону роста со скоростью 1,0 3,0oC/сутки до температуры 950 1000oC.

В отличие от известного способа по прототипу в предложенном техническом решении используют шихту, содержащую фториды магния, кальция, алюминия, в концентрации, обеспечивающей низкую температуру плавления (эвтектику) смеси с бериллом. Использование указанных фторидов обеспечивает высокую растворимость берилла (30-40 мас.). Пределы содержания компонентов определены опытным путем. При содержании фторидов магния и кальция больше 65% происходит ликвидация расплава, при содержании менее 52,5 мас. температура плавления смеси превышает температуру разложения берилла (1250oC). Фторид алюминия используется в концентрации, обеспечивающей поддержание в расплаве стехиометрического состава берилла (Be3Al2Si6O18) и препятствует образованию примеси фенакита (Be2SiO4 При содержании более 10 мас. AlF3 появляется примесь хризоберилла (BeAl2O4). Оксид металла хромофора (Cr, V, Fe) добавляется в количестве, обеспечивающем появление необходимого цвета кристаллов. При содержании более 2,0 мас. хромофора происходит снижение скорости роста кристаллов и ухудшение их качества (включения, трещины).

Предлагаемый способ характеризуется новой совокупностью технологических параметров, установленных экспериментально. Расплав шихты эвтектического состава выдерживают при 1220 1250oC в течение 12 24 ч. При температуре выше 1250oC начинается необратимое разложение расплава, приводящее к кристаллизации высокотемпературных примесей. Ниже 1220oC увеличивается время гомогенизации расплава. Время выдержки 12 24 ч при указанной температуре достаточно для полного расплавления шихты и гомогенизации расплава. После этого создают прямой температурный перепад с температурой в нижней зоне (зона растворения берилла) 1170 1250oC и верхней зоной (зона роста кристаллов) 1040 1100oC. Выбранные диапазоны температуры связаны с составами шихты и обеспечивают кристаллизацию берилла ювелирного качества. С целью обеспечения постоянной скорости роста производят охлаждение зоны роста со скоростью 1,0 -3,0 oC/сутки до температуры солидуса 950 1000oC. При охлаждении со скоростью менее 1oC/сутки из-за колебаний температуры рост кристаллов происходит метастабильно, т. е. чередуясь с периодами растворения. При скоростях выше 3,0oC/сут. происходит массовая кристаллизация и поликристаллический рост множества мелких кристаллов. Температура затвердевания 950-1000oC зависит от состава исходной шихты.

Примеры конкретного выполнения способа и характеристика полученных кристаллов представлены в таблице.

Пример. Шихту состава, мас. фторид магния 29, фторид кальция 29, фторид алюминия 5, оксид хрома 0,5, оксид железа 0,5, природный берилл - 36, загружают в тигель, на дно которого предварительно помещают кусковой берилл (1 3 см в поперечнике) в количестве 20% от массы шихты. Заполненный тигель герметизируют крышкой и нагревают в электропечи до 1235oC, затем выдерживают в течение 18 ч, снижают температуру верха расплава со скоростью 3 5oC/ч до 1070oC, а низа до 1200oC, после чего охлаждают верх расплава со скоростью 2,0oC/сутки до 980oC и печь отключают. Полученный слиток выгружают из тигля, кристаллы разбраковывают.

В таблице приведены составы шихты и условия получения кристаллов по предлагаемому способу, характеристика синтезируемого берилла, составы и условия, выходящие за граничные.

Использование заявленного способа обеспечивает по сравнению с известным техническим решением увеличения выхода кристаллов ювелирного качества на 50 100%

Формула изобретения

Способ получения окрашенных кристаллов берилла, включающий нагрев шихты, содержащей природный берилл, флюс из галогенидов металлов, окрашивающую добавку из оксида металла-хромофора, плавление, выдержку, последующую кристаллизацию в системе с температурным перепадом, состоящей из зоны растворения берилла, зоны переноса и зоны роста кристаллов, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода кристаллов ювелирного качества, в зону переноса помещают шихту эвтектического состава, мас.

Фториды магния, кальция 52,2 65,0 Фторид алюминия 3 10 Оксиды металлов-хромофоров 0,5 2,0
Берилл Остальное
выдерживают расплав при 1220 1250 oС в течение 12 24 ч, создают прямой температурный перепад между зоной растворения при 1170 1250oС и зоной роста при 1040 1100oС и охлаждают зону роста со скоростью 1,0 - 3,0oC/сутки до 950 1000oС.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области химической промышленности и может быть использовано для получения тонкодисперсных кристаллических материалов, в частности, модифицирующих наполнителей полимеров, бумаги, красок, лаков, резин, функциональной керамики и других композиционных материалов

Изобретение относится к способам выращивания высокочистых монокристаллов изумруда флюсовым методом на затравку, используемым как для ювелирных целей, так и для создания твердотельных лазеров

Изобретение относится к составам шихты и способам получения методом твердофазного синтеза игольчатых и нитевидных кристаллов муллита, которые могут быть использованы в качестве армирующего материала в различных композициях или наполнителях в неорганических фильтрах и в качестве матрицы для нанесения катализаторов
Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающего возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов лангасита, используемых в электронной технике

Изобретение относится к облагораживанию бесцветных или слабоокрашенных кристаллов турмалина, которые могут быть использованы в ювелирной промышленности

Изобретение относится к производству монокристаллов лантан-галлиевого силиката (лангасита), может найти применение для изготовления пьезоэлектрических резонаторов и монолитных фильтров системы радиосвязи и других устройств на объемных и поверхностных акустических волнах и обеспечивает улучшение пьезоэлектрических параметров, уменьшение индуктивности, а также повышение термостабильности и обеспечение работоспособности в области комнатных температур для прямых срезов

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллических образцов со структурой беррила и может быть использовано в электронной и ювелирной промышленности

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников YВа2С3О7-б из высокотемпературных растворов, включающий нагрев исходной смеси оксидов Y2О3, ВаО2 и СuО до плавления, гомогенизацию раствора-расплава, охлаждение до температуры роста и выращивание при постоянной температуре
Изобретение относится к области химической технологии, в частности к технологии высокотемпературных сверхпроводников

Изобретение относится к новым химическим соединениям на основе купратов лантана, а именно: к купарату лантана состава LaCu1-xNixO3- где 0,15 x 0,40 0,25 0,35 Материал обладает переходом "металл-полупроводник" при 273K со скачкообразным изменением электросопротивления в 44 - 51 раз

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при изготовлении лазерных стержней из высокотемпературного сложнооксидного материала

Изобретение относится к новым высокотемпературным сверхпроводникам (ВТСП) и может найти применение в областях техники, использующих сверхпроводники

Изобретение относится к технологии тонкопленочных материалов и может быть использовано для получения сверхпроводящих, каталитических материалов, в магнитооптике, лазерной технике, интегральной оптике, СВЧ-технике

Изобретение относится к неорганической химии, и может быть использовано для получения монокристаллов тугоплавких материалов методом направленной кристаллизации

Изобретение относится к области получения крупных монокристаллов сверхпроводников из расплава системы Bi Sr Ca Cu O и может быть использовано в качестве оптических линий задержки в видимом и инфракрасном диапазонах, как электрические контакты и прерыватели для работы при низких температурах

Изобретение относится к области получения монокристаллических материалов методом Бриджмена для электронной техники, в частности монокристаллов марганец-цинкового феррита для магнитных головок
Наверх