Свч-прибор о-типа

 

Использование: в мощных электровакуумных приборах "0" типа с магнитной фокусирующей системой на постоянных магнитах. Сущность изобретения: СВЧ прибор "0" типа содержит электронную пушку 1, электродинамическую систему 2, магниты 3 с пушечным 4 и коллекторным 5 наконечниками, коллекторную систему с коллектором 6, устройство преобразования магнитного поля 7, расположенное соосно электронному пучку на участке между коллектором 6 и коллекторным наконечником 5. Устройство преобразования выполнено преобразующим исходно колокообразное магнитное поле рассеяния 8 в значительно изрезанное распределение поля 9 с тремя зонами повышенного уровня поля, разделенные друг от друга двумя зонами малого уровня поля. Чтобы получить распределение магнитного поля, устройство преобразования может быть выполнено с помощью введения в участок между коллектором 6 и ближайшим к нему полюсным наконечником 5 двух или более магнитных элементов 7, расположенных соосно прибору последовательно друг за другом с немагнитными интервалами между ними. За счет повышения степени фокусировки электронных пучков в коллекторной области обеспечивается улучшение эксплуатационных параметров прибора с высоким электронным КПД. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к СВЧ электронике, а более конкретно к мощным электровакуумным приборам "0" типа с магнитной форсирующей системой /МФС/ на постоянных магнитах. Наличие магнитных полей рассеяния в коллекторной области таких приборов приводит к возникновению значительных пульсаций электронных пучков на выходе из пространства взаимодействия в предколлекторной части и в коллекторе.

Известены СВЧ приборы "0" типа с МФС /Патент США N 3153743, кл. 315-5.33, опубл. 1964; патент США N 3368102, кл. 315-3, опубл. 1968/, в которых для предотвращения значительных пульсаций в электронных пусках и обеспечения равномерного токооседания на поверхности коллектора применяются дополнительные магниты и магнитные экраны, охватывающие коллектор прибора.

Недостатком таких конструкций являются их большие размеры и вес, а значит и вес всего прибора.

Известен прибор "0" типа /Патент США N 3450930, кл. 315-3,5, опубл. 1969/, в котором с помощью дополнительного магнита весом равным 25% веса основного магнита удается осуществить реверс поля рассеивания величиной до 0,05 Тл. Однако в ряде мощных приборов "0" типа с рабочими полями в пространстве взаимодействия величиной 0,6-0,7 Тл и полями рассеяния в коллекторной области 0,25-0,35 Тл и более осуществить хороший реверс поля не удается. В частности, это обусловлено эффектами насыщения в полюсных наконечниках, которые не дают возможности обеспечить резкий переход от поля в рабочей области одной полярности к полю рассеяния той же величины, но противоположной полярности в области коллектора. Более того, если бы даже реверос в принципе был бы осуществим, то практически для этой цели пришлось бы использовать большие дополнительные магниты /ввиду больших уровней и протяженности магнитных полей рассеяния/.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к изобретению является СВЧ прибор "0" типа /А.С. СССР N 972971, МКИ H 01 J 25/00/, содержащий магнитную фокусирующую систему с полюсными наконечниками, коллекторную систему, устройство преобразования магнитного поля рассеяния, расположенное соосно пучку на участке между коллекторной системой и ближайшим к ней полюсным наконечником. В приведенной конструкции устройство преобразования поля выполнено формирующим магнитное поле рассеяния по следующему закону: B= /0,15^oC0,3/B_o на краях участка преобразования и протяженностью 10-30% указанного участка; B=/0,05-0,15/B_o в остальной части участка преобразования где B_o величина магнитного поля в рабочем зазоре прибора; b величина магнитного поля рассеяния.

В СВЧ приборе с таким устройством преобразования магнитного поля электронный пучок по выходе из области взаимодействия с СВЧ полем проходит переходной участок /на котором происходит быстрое спадание магнитного фокусирующего поля от B=B_o до нуля и затем медленное нарастание уровня поля рассеяния обратной полярности/. Возникновение резких пульсаций пучка на этом переходном участке /предколлекторная области/ и в коллекторе в данной конструкции предотвращается тем, что на начальном участке устройства преобразования поля создается узкая зона с уровнем поля большим, чем в остальной части указанного участка /"всплеск" поля/. Величина "всплеска" поля /протяженность и уровень поля/ подбирается такой, чтобы расширяющийся электронный пучок в этой зоне фокусировался и обеспечивался бы его параллельный ввод /или слегка сходящийся/ в остальную часть участка преобразования поля рассеяния и, тем самым, предотвращалось бы возникновение резких пульсаций /жгутирование/ пучка. В конце устройства преобразования поля рассеяния имеется примерно такой же по величине "всплеск" поля, который обеспечивает фокусировку и ввод пучка в коллектор прибора. Для каждого электронного пучка с заданными характеристиками /величина тока, диаметр пучка и скорость электронов/ оптимальная фокусировка достигается при определенных параметрах узкой зоны с большим значением магнитного поля /"всплеска" поля/ на начальном участке устройства, а именно при определенной осевой протяженности и величины поля, а также осевого расстояния этой зоны от места переполюсовки поля /точка перехода величины поля через нулевое значение/. При отклонении параметров пучка от заданных изменяется степень фокусировки пучка в указанной зоне. Пучок либо меньше фокусируется и на выходе из зоны будет несколько расходящимся, либо больше фокусируется и на выходе будет несколько более сходящимся. При относительно небольших изменениях параметров пучка, например, скорости электронов, это не сказывается существенно на транспортировке пучка в зоне с малыми полями, фокусировку во втором "всплеске" поля на выходном участке устройства и ввод пучка в коллектор. Однако в ряде мощных СВЧ приборов "0" типа в различных режимах работы параметры пучка могут отличаться значительно. Например, в двух режимных ЛБВ в режиме "большой" мощности ток пучка /а значит и пространственный заряд в нем/ может значительно /в несколько раз/ превосходить величину тока прибора работающего в режиме малой мощности /усиленный режим/. В малых клистронах и "прозрачных ЛБВ, работающих при высоких значениях электронного КПД /20% и более/ скорости электронов в пучке в "статистическом" и динамическом режимах также отличаются существенно. В таких приборах трудно осуществить достаточно хорошую фокусировку пучка с помощью указанного устройства. Особенно значительные трудности возникают в приборах с большими величинами электронного КПД. В этих приборах на выходе из пространства взаимодействия в электронных пучках одновременно присутствуют большие группы электронов значительно отличающиеся по величине скорости друг относительно друга и от скорости в статистическом режиме работы прибора. Если в устройстве распределение магнитного фокусирующего поля подобрано оптимальным для фокусировки электронов "статического" пучка, то в динамическом режиме электроны имеющие скорости большие, чем в статическом режиме после прохождений 1-го всплеска поля почти не фокусируются и будут продолжать удаляться от оси. Такие электроны попадают во вторую рефокусирующую линзу, находясь на значительном расстоянии от оси и, следовательно, сильно фокусируются. В пучке возникают резкие пульсации. Еще большие возмущения в "динамических" электронных пучках связаны с наличием в них больших групп электронов со скоростями значительно меньшими, чем в статическом режиме, т. к. такие электроны сильно фокусируются уже на начальном участке устройства преобразования поля при прохождении 1-го "всплеска" поля. Сильные пульсации /жгутирование/ таких пучков происходит даже до попадания во вторую зону повышенного уровня поля /второй "всплеск" поля/. Указанные возмущения в электронных пучках могут приводить к преждевременному токооседанию в предколлекторной части коллекторной системы, на входной части коллектора, а также к неравномерному токооседанию на внутренней поверхности коллектора. Это существенно снижает возможности повышения технического КПД прибора за счет рекуперации, а также приводит к неравномерному тепловыделению на коллекторе.

Целью изобретения является улучшение эксплуатационных параметров прибора с высоким электронным КПД, путем повышения степени фокусировки электронных пучков в коллекторной области.

Указанная цель достигается тем, что в СВЧ приборе "0" типа, содержащим электронную пушку, электродинамическую систему, магниты с полюсными наконечниками, коллекторную систему, устройство преобразования магнитного поля рассеяния, расположенное соосно пучку на участке между коллектором и ближайшим к нему полюсным наконечником и формирующее магнитное поле, изменяющееся по величине вдоль оси прибора с зонами повышенного уровня поля, устройство преобразования выполнено формирующим магнитное поле рассеяния с тремя зонами повышенного уровня поля разделенными друг от друга зонами пониженного уровня поля по следующему закону: B=/0,15-0,25/B_o в двух зонах повышенного уровня магнитного поля, одна из которых расположена на краю участка преобразования со стороны коллекторного полюсного наконечника, вторая в средней части участка, с протяженностью каждой зоны, составляющей 10-15% всего участка преобразования; B= /0,25-0,5/B_o в третьей зоне повышенного уровня поля магнитного поля, расположенный на краю участка преобразования со стороны коллектора, с протяженностью зоны составляющей 20-30% протяженности всего участка, где B_o величина магнитного поля в рабочем зазоре прибора;
B величина магнитного поля рассеяния.

Устройство преобразования формирующее магнитное поле с тремя зонами повышенного уровня поля по приведенному закону может быть выполнено в виде магнитных элементов, например, профилированных экранов, установленных с интервалами последовательно друг за другом на участке между коллектором и коллекторным полюсным наконечником.

Признаки, сходные с заявленными в известной авторами патентной и научно-технической литературе не встречаются. Выполнение устройства преобразования магнитного поля рассеивания формирующим магнитное поле с тремя зонами повышенного уровня поля разделенными друг от друга зонами пониженного уровня поля по указанному выше закону:
B= /0,15-0,25/B_o в первых зонах повышенного уровня поля протяженностью 10-15% протяженностью участка преобразования;
B= /0,25-0,15/B_o в третьей зоне повышенного уровня поля, протяженностью 20-30% протяженности всего участка
где
B_o величина поля в рабочей области прибора; B наличие поля в области преобразования поля рассеивания.

Позволяет осуществлять фокусировку электронных пучков в предколлекторной части коллекторной системы СВЧ прибора "0" типа, ввод электронов в коллектор с последующим плавным расширением пучка и равномерным токооседанием на внутренней поверхности коллектора в широком интервале изменений параметров пучка, /тока пучка, скорости электронов и т.д./, а также пучков с большим "динамическим" разбросом электронов по скоростям /для приборов с большим значением электронного КПД/.

В связи с изложенным можно считать заявленную совокупность признаков обладающей существенными отличиями.

На фиг. 1 представлено схематическое изображение СВЧ прибора "0" типа, где 1 электронная пушка, 2 электродинамическая система, 3 магниты, 4, 5 пушечный и коллекторный полюсные наконечники, 6 коллектор, 7 устройство преобразования магнитного поля рассеяния. На фиг. 2 представлено распределение магнитного поля вдоль оси прибора от пушки до коллектора, где кривая 8 поле создаваемое магнитами с полюсными наконечниками без устройства преобразования, кривая 9 поле, сформированное заявленным устройством преобразования, кривая 10 поле, сформированное в устройстве прототипе. На фиг. 3 представлено несколько вариантов магнитных элементов устройства преобразования.

На фиг. 4 изображено распределение магнитного поля в коллекторной части прибора соответствующее кривой 9, на фиг. 2 заявленного устройства, а также траектории электронов пучка в предколлектортной части и в коллекторе прибора для случая U_п=U_о /где U_п потенциал пучка в коллекторной системе и U_о потенциал пучка в пролетном канале электродинамической системы прибора/. На фиг. 5 изображено распределение магнитного поля, соответствующее кривой 9 заявленного устройства на фиг. 2, а также траектории электронов пучка в предколлекторной части прибора и коллекторе для случая U_п=0.5U_о.

На фиг. 6 изображено распределение магнитного поля, соответствующее кривой 10 на фиг. 2 устройства прототипа, а также траектории электронов пучка в предколлекторной части прибора и коллекторе для случая U_п=U_о.

На фиг. 7 изображено распределение магнитного поля, соответствующее кривой 10 на фиг. 2 устройства прототипа, а также траектории электронов пучка в предколлекторе и коллекторе прибора для случая U_п=0,5.U_о. СВЧ прибор "0" типа содержит /фиг. 1/ электронную пушку 1, электродинамическую систему 2, магниты 3 с пушечным и коллекторным полюсными наконечниками 4, 5, коллекторную систему с коллектором 6, устройство преобразования магнитного поля 7, расположенное соосно пучку на участке между коллектором 6 и коллекторным наконечником 5. Как видно из фиг. 2 предложенное устройство выполнено преобразующим исходное колоколообразное магнитное поле рассеяния 8 в значительно изрезанное распределение поля 9 с тремя зонами повышенного уровня поля /"всплесками" поля/, разделенными друг от друга двумя зонами малого уровня поля.

Чтобы получить распределение магнитного поля /кривая 9 фиг. 2/ предложенное устройство преобразования может быть выполнено с помощью введения в участок между коллектором 6 и ближайшим к нему полюсным наконечником 5 двух или более магнитных элементов 7, расположенных соосно прибору последовательно друг за другом с немагнитными интервалами между ними. Ряд возможных вариантов конфигураций магнитных элементов 7 в виде профилированных экранов, а также в виде профилированных экранов в комбинации с кольцевым аксиально намагниченным магнитом и экранирующим диском представлена на /фиг. 3/. Первый "всплеск" поля /фиг. 2 кривая 9/ сного наконечника 5 /ближе к месту перехода рабочего поля в поле рассеяния обратной полярности/. Второй "всплеск" поля расположен в средней части участка преобразования. Третья зона повышенного уровня поля расположена на краю участка преобразования со стороны коллектора 6. Для сравнения на фиг. 2 изображено распределение поля 10 создаваемое устройством прототипа. Как видно из кривой 10 в этом случае имеется лишь две зоны повышенного уровня поля на краях участка преобразования. Как видно из фиг. 2 при использовании предложенного устройства магнитное поле в области коллекторного полюсного наконечника прибора резко уменьшается от значений B_о-0,6-0,7 тл в рабочей области прибора до нуля и затем увеличивается в обратной полярности, достигая в 1-м и 2-м "всплесках" поля величины 0,1-0,15 тл, а в 2-ей зоне повышенного уровня поля максимальная величина поля достигает значений B_о=0,15-0,3 тл. В первых двух узких зонах повышенного уровня поля протяженность каждой зоны /по уровню ≥ тл/ составляет -10-15% от протяженности участка преобразования. Протяженность 3-ей зоны повышенного уровня поля соответственно составляет -20-30% протяженности участка преобразования. Протяженность зоны малого уровня поля /по уровню <0,07 тл/, разделяющая 1-ю и 2-ю зоны повышенного уровня поля составляет -10% а зона малых полей, разделяющая 2-й "всплеск" поля от 3-й зоны повышенного уровня поля, соответственно составляет -25% от протяженности участка преобразования. Изображенные на фиг. 2 величины максимального магнитного поля во "всплесках" и протяженность узких зон установлены экспериментально. Верхние пределы достигаемых максимальных величин магнитного поля в зонах повышенного поля и протяженностью зон определяются в основном уровнем и протяженностью исходного колоколообразного поля рассеяния. Поскольку максимальный уровень колоколообразного поля рассеяния B макс составляет -50% от величины магнитного фокусирующего поля B_о в рабочей области, то в 3-й зоне /расположенной вблизи к вершине исходного поля/ верхний предел может достигать в максимуме величины B=0,5 B_о. Нижний предел максимума поля в этой зоне, как показал эксперимент, не целесообразно снижать менее чем B=0,25 B_о, т.к. при этом неизбежно значительно увеличивается протяженность 3-й зоны, что приводит к необходимости увеличения осевой длины коллектора /и, следовательно, его веса/. Первый и второй "всплески" поля расположены соответственно в начальной и средней части нарастающего от 0 до максимального уровня колоколообразного поля рассеяния /кривая 2 на фиг. 2/, где уровень поля составляет 20-25% рабочего поля. Ввиду этого верхний предел в максимумах 1-го и 2-го "всплесках" может достигать значений B= 0,25B_о. Нижний предел максимальных значений поля во "всплесках", как показал анализ и эксперимент менее, чем B=0,15B_о брать не следует, т.к. при этом не обеспечивается достаточная фокусировка электронного пучка. Протяженность 1-й и 2-й зон повышенного уровня поля берется не более 15% протяженности участка преобразования для предотвращения повторной фокусировки /особенно "медленных"/ электронов внутри этих зон, т.к. это затруднит обеспечение необходимого встрела в поле 3-й зоны повышенного уровня поля. Уменьшать протяженность 1-й и 2-й зон менее 10% не следует, т. к. уменьшается их фокусирующее действие. Уменьшить протяженность 3-й зоны менее 20% не целесообразно, т.к. с одной стороны это потребует применение дополнительного экрана, а с другой стороны повторная фокусировка внутри этой зоны не опасна, т.к. электронный пучок совершив в этой зоне одну-две небольшие пульсации проходит в область медленно спадающего поля в котором плавно расширяется и равномерно оседает на внутренней поверхности коллектора. Увеличение протяженности 3-й зоны повышенного уровня поля не целесообразно, т. к. это связано с увеличением длины и, следовательно, веса коллектора. Величина магнитного поля в 3-х зонах малого уровня поля, разделяющих 1-ю, 2-ю и 3-ю зоны повышенного уровня поля выбираются в каждом конкретном случае в зависимости от параметров электронного пучка и характеристик магнитного поля в указанных "всплесках" поля. Практически величины полей в зонах малого уровня поля лежат в пределах B=/0,05-0,15/B_о.

Устройство работает следующим образом. Электронный пучок, сформированный электронной пушкой 1 фокусируется рабочим фокусирующим полем B=0,7 л, проходит через пролетный канал электродинамической системы 2, где взаимодействует с высокочастотным полем прибора. После выхода из пространства взаимодействия пучок проходит участок, где магнитное поле уменьшается до нуля и затем в обратной полярности снова увеличивается /участок внутри коллекторного полюсного наконечника 5/. На этом участке диаметр пучка значительно увеличивается /примерно в 10 и более раз/. Значительно расширившийся пучок проходит последовательно 1-ю и 2-ю зоны повышенного поля /кривая 9 на фиг. 2/, где фокусируется, а в последующей за 2-й зоной повышенного поля зоне малого уровня поля плавно сжимается до диаметра несколько большего диаметра пучка в области пространства взаимодействия. Затем пучок поступает в 3-ю зону /большей протяженности, чем 2-я зона повышенного уровня поля, где совершив одну-две небольших пульсации начинает плавно расширяться в спадающем по величине поле и равномерно оседать на внутренней поверхности коллектора. При этом группы "быстрых" электронов, соответствующих потенциалу пучка U_п=U_о /где U_о потенциал пучка в области взаимодействия/ и группы "медленных" электронов соответствующих, например, потенциалу пучка U_п=0,5U_о подвергаются различному фокусирующему воздействию в 1-й и 2-й узких зонах повышенного уровня поля. "Быстрые электроны" /скорости которых соответствуют потенциалу пучка U_п=U_о/ после прохождения первого "всплеска" поля /фиг. 4 кривая 9/ движутся почти параллельно /кривые 11-15 на фиг. 4/ оси коллекторной системы в области предколлектора /фиг. 4/. После прохождения 2-го "всплеска" поля электроны дополнительно фокусируются и пучок сжимается до диаметра несколько большего диаметра пучка в пролетном канале рабочей области. Затем, совершив одну-две небольших пульсации в 3-й зоне повышенного уровня поля, пучок плавно расширяется в спадающем магнитном поле и равномерно оседает на внутренней поверхности коллектора /кривая 11-15 на фиг. 4/. "Медленные" электроны /скорости которых соответствуют потенциалу пучка U_п= 0,5U_о /после прохождения 1-го "всплеска" поля /кривая 9 на фиг. 2 и фиг. 5/ фокусируются значительно сильнее, чем быстрее. Пучок /кривая 11-15 фиг. 5/ сжимается и при вхождении в зону второго "всплеска" поля имеет настолько малый диаметр, что испытывает лишь небольшое фокусирующее воздействие магнитного поля. Затем пучок повторно расширяется во 2-й зоне малого уровня поля /между 2-м "всплеском" и 3-й зоной повышенного уровня поля/. При прохождении 3-й зоны повышенного уровня поля пучок снова фокусируется и совершив одну-две небольших пульсации плавно расширяется в спадающем магнитном поле и равномерно оседает на внутренней поверхности коллектора. Иной характер фокусировки "быстрых" и "медленных" электронов в коллекторной системе обеспечивается в магнитном поле рассеяния /кривая 10 на фиг. 2/, создаваемом устройством преобразования, выполненным в соответствии с прототипом. Например, если параметры 1-го "всплеске" поля /кривая 10 фиг. 2, и фиг. 6/ подобраны для оптимальной фокусировки пучка "быстрых" электронов /U_п= U_о/, что после прохождения пучка через зону 1-го "всплеска" поля эти электроны /кривые 11-15 на фиг. 6/ фокусируются аналогично фокусировки в поле предложенного устройства /кривая 11-15 на фиг. 4/. При этом пучок плавно сжимается до диаметра несколько большего диаметра пучка в рабочей области прибора. Затем во 2-й зоне повышенного уровня поля /кривая 10 на фиг. 6/ совершив одну-две небольших пульсаций пучок плавно расширяется /кривые 11-15 на фиг. 6/ в спадающем магнитном поле и равномерно оседает на внутренней поверхности коллектора. В то же время пучок "медленных" электронов /U_п= 0,5U_о/ в этом же магнитном поле /кривая 10 на фиг. 2 и фиг. 7/ настолько сильно расширяется /кривые 11-15 на фиг. 7/, что часть периферийных электронов /кривая 15 на фиг. 7/ оседает на внутренней поверхности предколлектора, а остальные электроны резко фокусируются /кривые 11-14 на фиг. 7/. При этом пучок после прохождения 1-го "всплеска" поля сжимается настолько сильно, что его диаметр становится значительно меньше диаметра пучка в рабочей области прибора. В пучке возрастают силы пространственного заряда, в следствии чего он повторно резко расширяется, часть переферийных электронов /кривая 14 на фиг. 7/ оседает на поверхности предколлектора. Оставшаяся часть пучка /кривые 11-13 на фиг. 7/ резко фокусируется во 2-й зоне повышенного уровня поля. В пучке возникают резкие пульсации /пучок "жгутируется"/ приводящие к неравномерному токооседанию пучка на коллекторе.

Таким образом предложенное устройство преобразования магнитного поля рассеяния позволяет существенно повысить по сравнению с прототипом эффективность фокусировки электронных пучков в коллекторной системе СВЧ приборов "0" типа. Последнее имеет большое значение в мощных СВЧ приборах "0" типа с большим уровнем электронного КПД и, следовательно, с большим разбросом скоростей электронов в пучке на выходе из области взаимодействия. Улучшение степени фокусировки пучков в коллекторной области таких приборов позволяет повысить технический КПД приборов за счет использования рекуперации уменьшить мощность источников питания прибора, обеспечить равномерное токооседание и, следовательно, равномерную тепловую нагрузку коллекторов мощных приборов, уменьшить энгергозатраты на охлаждение коллектора и тем самым улучшить эксплуатационные параметры прибора.

Формула изобретения

1. СВЧ-прибор О-типа, содержащий размещенные соосно электронную пушку, электродинамическую систему, магниты с полюсными наконечниками, коллекторную систему, устройство преобразования магнитного поля рассеяния, расположенное соосно с электронным пучком на участке между коллектором и ближайшим к нему полюсным наконечником и формирующее магнитное поле, изменяющееся по величине вдоль оси прибора с зонами повышенного уровня поля, отличающийся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных параметров прибора с высоким электродным КПД путем повышения степени фокусировки электронных пучков в коллекторной области, устройство преобразования выполнено формирующим магнитное поле рассеяния с тремя зонами повышенного уровня магнитного поля, разделенными друг от друга зонами пониженного уровня поля по следующему закону: В (0,15 0,25) В₀ в двух зонах повышенного уровня магнитного поля, одна из которых расположена на краю участка преобразования со стороны коллекторного полюсного наконечника, вторая в средней части участка, с протяженностью каждой зоны 10 15% всего участка преобразования; В (0,25 0,5) В₀ в третьей зоне повышенного уровня магнитного поля, расположенной на краю участка преобразования со стороны коллектора, с протяженностью зоны 20 30% всего участка, где В₀ величина магнитного поля в рабочем зазоре прибора; В величина магнитного поля рассеяния.

2. Прибор по п. 1, отличающийся тем, что устройство преобразования выполнено в виде магнитных элементов, например профилированных экранов, установленных соосно с прибором с интервалами последовательно друг за другом на участке между коллектором и коллекторным полюсным наконечником.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7