Патент ссср 221485

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

22I485

Союз Советских

Социалистических

Республик

".-ависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 20.1.1967 (№ 1127110/26-10) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 01.Ч11.1968. Бюллетень ¹ 21

Дата опубликования описания 8.Х.1968

Кл. 57с, 4. 1ПК C 081

УДЫ, 771.534.531.5(088.8) Комитет по делам изобретений н открытий при Совете 1йинистрое

СССР

Авторы изобретения

К. В. Вендровский, 1О. С. Андреев и А. И. Вейцман

Заявители

Всесоюзный научно-исследовательский кинофтоинститут и Всесоюзный научно-исследовательский институт химикофотографической промышленности

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОТНОСИТЕЛЬНЫХ ВЕЛИЧИН

ЭКСПОЗИЦИЙ, ДЕЙСТВОВАВШИХ НА ФОТОМАТЕРИАЛ

Известные способы определения величин экспозиций, действовавших на фотоматериал, ocHoBBHbI на фотометрировании почернений негатива, требуют дополнительных графических построений с использованием характеристической кривой фотоматериала.

Предлагаемый способ позволяет автоматизировать процесс определения. Он заключается в том, что, с помощью двух фотоэлектрических устройств одновременно фотометрирует исследуемый негатив и сенситометрический клин, изготовленный на той же пленке и обработанный в тех же условиях, что и негатив.

Частота считывания клина должна быть не менее, чем в 10 раз выше максимальной частоты изменения сигнала на выходе фотометра, сканирующего негатив. Этого можно достичь, например, установив клин перед экраном кинескопа с тем, чтобы при движении луча по экрану фотоумножитель, расположенный за клином, фиксировал изменения его коэффициентов пропускания.

Если закон распределения экспозиции вдоль оси клина во время его экспонирования линеен, то при движении луча по экрану кинескопа в любой момент времени напряжение на пластинах отклоняющей системы пропорционально экспозиции, подействовавшей на клин в точке, просматриваемой лучом кинескопа в данный момент времени.

Зависимость тока фотоэлемента от напряжения, управляющего движением луча, будет аналогична зависимости коэффициента пропускания пленки от экспозиции, наложенной на нее при съемке. Фотсэлектрические устройства согласуют таким образом, что сигналы .на их выходе равны в моменты равенства коэффициентов пропускания негатива и клина.

Если в эти моменты снимать мгновенные величины напряжения, управляющего лучом, считывающим клин, то при постоянной скорости фотометрирования негатива на выходе системы мы получим последовательность импульсов, огибающая которой соответствует распределению экспозиций на негативе во времч съемки.

На чертеже приведена схема устройства для осуществления предлагаемого способа.

Свет от источника 1, пройдя исследуемый

®О негатив 2, попадает на фотоэлемент основного фотометра 3. На экране кинескопа 4 генератором 5 развертывается вдоль оси клина световая точка. Закон изменения экспозиции вдоль клина 6 при его изготовлении линеен, а закон движения точки может быть произвольным. Свет, прошедший клин, воспринимается фотоэлементом вспомогательного фотометра 7. Сигналы с фотометров 8 и 7 подаются на нуль-индикатор 8, который при30 равенстве сигналов выдает управляющие им221485

Предмет изобретения !п|г; !! !

Редактор П. Шлайн Техред A. А. Камыгпникова Корректор Л. В. Наделяева

Заказ 2849!5 Тираж 530 Подписное

ЦНИИПИ Комигста по дслам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 пульсы. В,момент прохождения управляющих импульсов через параметрический модулятор

9 снимаются мгновенные значения напряжений на отклоняющих пластинах кинескопа. Огибающая модулированного сигнала, пропорциональная действовавшим экспозициям, детектируется амплитудным детектором 10, откуда может быть подана на регистрирующий прибор.

Описанный способ позволяет по распределению почернений фотоматериала получить распределение освещенностей на фотографируемом объекте и может быть и спользован в спектрографии, аэрофотографии, микробиологических и рентгенографических исследованиях.

Способ определения относительных величин экспозиц|ий, действовавших на фотоматериал, 5 путем поэлементного фотометрирования негатива, отличшощийся тем, что, с целью а втоматизации процесса, одновременно с фото|метрированием изображения на негативе производят сканирование изображения линей ного фоТ0 тогметричеакого клина, полученного на том же фотоматериале и обработанного в тех же условиях, с частотой, не менее чем на порядок превышающей ча|стоту развертки негатива, в момент равенства сигналов регистри15 руют мгновенные значения напряжений и выделяют огибающую полученных импульсов.

Патент ссср 221485 Патент ссср 221485 

 

Похожие патенты:

Способ определения энергетического порога чувствительности ядерной эмульсиипри известных способах оценки значения энергетического порога чувствительности фотоэмульсий по средней плотности проявленных зерен на следе частицы с определенной ионизирующей снособиостью онираются на 5 произвольные предложения о величине флюктуации в передаче энергии частицей мнкро- 'кристаллу agbr. это не дает возможности быть уверенным в достоверности способов.по предлагаемому способу можно прямо 10 'получить кривую распределения лппфокрнсталлов agbr ядерной эмульсии по их чувствительности.способ основан на изучении фотографической эффективности результата попадания в 15 микрокристалл отдельного электрона известной энергии, тормозяи1.егося внутри мнкрокристалла до остановки. при этом миниг^итльная энергия электро]1а, которая сообщает микрокристаллу способность к проявлению может 20 быть отождествлена с чувствительностью микрокристалла.заключается способ в том, что на однослойном препарате исследуемой эмульсии экспонируют под электронным пучком последова- 25 тельность полей, отличающихся энергией электронов, но при постоянстве экспозиций. после нроявления препарата определяют плотность проявленных зерен в полях облучения и строят зависимость выхода нроявлен- 30 ных зерен от энергии электронов.нов выбирают такими, чтобы можно было пренебречь вероятностью кратных попаданий электронов в микрокристалл и выходом электронов за пределы микрокристаллов. этим условиям соответствуют экспозиции 0,1—0,2 электрона на микрокристалл и эпергия электронов при экспозиции, не превыщающая 2000 эв (максимальиый пробег в agbr~ -^10^0 см).тогда нолучеииая зависимость выхода проявленных зерен от энергии электронного пучка будет показывать долю микрокристаллов с норого>&.! чувствнтельности не выще заданного значення энергии, а дифференцированная кривая — распределенне микрокристаллов по чувствительности.предмет изобретенияспособ онределення энергетического порога чувствительности ядерной эмульсни по плотности проявленных зерен, находящихся в ноле облучення, отличающийся тем, что, с целью нолучення сведеннй о распределепи'и мнкрокрнсталлов agbr по чувствительности, изучают выход проявленных зерен на последовательности полей однослойного препарата, экспонированных npii постоянной экспозиции электронами с различной энергней в условнях эксноннровання, когда вероятность кратных попаданнй электронов в микрокристалл и выход электронов за нределы микрокристалла нренебрежимо малы. // 172407

Изобретение относится к измерительной технике в части создания эталонных устройств для передачи размера единицы средней мощности оптического излучения, поверки и калибровки средств измерений средней мощности оптического излучения, оптических аттенюаторов и источников оптического излучения в волонно-оптических системах передачи (ВОСП) и может быть использовано в ранге рабочего эталона средней мощности в ВОСП в рамках "Государственной поверочной схемы для средств измерений средней мощности оптического излучения в ВОСП" - МИ 2558-99
Наверх