Устройство для измерения тепловых параметров двухполюсников методом сравнения

 

Использование: для определения температурных запасов, контроля качества и отбраковки дефектных двухполюсников. Технический результат - повышение производительности устройства. Устройство для измерения тепловых параметров двухполюсников методом сравнения содержит источник тока, образцовый двухполюсник, клеммы для подключения контролируемого двухполюсника, амперметр, вольтметр для измерения напряжения на контролируемом двухполюснике, причем выход источника тока соединен с одной из клемм для подключения контролируемого двухполюсника, один из полюсов амперметра соединен с соответствующим выводом образцового двухполюсника, а второй полюс амперметра и вторая клемма для подключения контролируемого двухполюсника соединены с общей шиной, отличающееся тем, что в него введены дополнительно k-1 образцовых двухполюсников с известным и одинаковым тепловым сопротивлением и однополюсный k-позиционный переключатель, при этом соответствующие выводы дополнительных k-1 образцовых двухполюсников соединены с соответствующим полюсом амперметра, а вторые выводы всех образцовых двухполюсников, каждый по отдельности, соединены с соответствующими контактами однополюсного k-позиционного переключателя, общий полюс которого соединен с выходом источником тока. 1 ил.

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров электрорадиоэлементов и может быть использовано для определения температурных запасов и контроля качества двухполюсников.

Известно устройство для измерения теплового сопротивления двухполюсников методом сравнения (см. Патент РФ № 2166764, Способ измерения теплового сопротивления двухполюсников с известным температурным коэффициентом тока // Сергеев В.А. - 2001. - Бюл. №13), содержащее источник тока, образцовый двухполюсник с известным тепловым сопротивлением, амперметр, включенный последовательно с образцовым двухполюсником, клеммы для подключения контролируемого двухполюсника и вольтметр.

Недостатком известного устройства является низкая производительность, обусловленная медленным процессом восстановления исходного теплового состояния образцового двухполюсника. Время между измерениями не может быть меньше этого времени восстановления (охлаждения) образцового двухполюсника до исходной температуры. В противном случае будет возрастать погрешность измерения.

Технический результат - повышение производительности устройства.

Технический результат достигается тем, что в известное устройство, содержащее источник тока, образцовый двухполюсник, клеммы для подключения контролируемого двухполюсника, амперметр и вольтметр, причем выход источника тока соединен с одной из клемм для подключения контролируемого двухполюсника и входом вольтметра, один из полюсов амперметра соединен с соответствующим выводом образцового двухполюсника, а второй полюс амперметра и вторая клемма для подключения контролируемого двухполюсника соединены с общей шиной, введены дополнительно k-1 образцовых двухполюсников с известным и одинаковым тепловым сопротивлением и однополюсный k-позиционный переключатель, при этом дополнительные k-1 образцовые двухполюсники соответствующими выводами соединены с соответствующим полюсом амперметра, а вторые выводы всех образцовых двухполюсников, каждый по отдельности, соединен с контактами однополюсного k-позиционного переключателя, общий полюс которого соединен с выходом источника тока.

Структурная схема устройства показана на чертеже.

Устройство содержит источник тока 1, клеммы 2 и 3 для подключения образцового двухполюсника, однополюсный k-позиционный переключатель 4, набор 5 из k образцовых двухполюсников с известным тепловым сопротивлением, амперметр 6 и вольтметр 7.

Устройство работает следующим образом. При нахождении однополюсного k-позиционного переключателя в первой позиции к источнику тока (параллельно контролируемому двухполюснику) подключается первый образцовый двухполюсник. Измерение теплового сопротивления осуществляется известным способом: при включении источника тока 1 на контролируемый и образцовый двухполюсники поступает греющий ток, после установления стационарного теплового режима снимают показания амперметра и вольтметра, по которым и определяют искомую величину теплового сопротивления. После проведения первого измерения однополюсный k-позиционный переключатель 4 переводится во вторую позицию, и к источнику тока подключится второй образцовый двуполюсник, температура которого практически равна температуре окружающей среды, и устройство готово к проведению измерения тепловых параметров следующего контролируемого двухполюсника.

В известном устройстве для остывания образцового двухполюсника от температуры ТДП до температуры окружающей среды Т0 (с заданной погрешностью <3%) потребуется некоторое время tост 3т, где т - тепловая постоянная времени образцового двухполюсника. В предлагаемом устройстве измерение тепловых параметров следующего контролируемого двухполюсника можно проводить сразу после окончания предыдущего измерения и переключения однополюсного k-позиционного переключателя в следующее положение. В это время первый образцовый двухполюсник будет остывать по закону

где ТДП - максимальная температура, которой может достигнуть образцовый двухполюсник в результате разогрева греющим током; т - тепловая постоянная времени образцового двухполюсника.

После проведения измерения тепловых параметров второго контролируемого двухполюсника однополюсный k-позиционный переключатель переводится в 3-е положение и т.д. Через k измерений однополюсный k-позиционный переключатель возвращается в 1-е (исходное) положение, к этому времени температура первого образцового двухполюсника согласно (1) будет равна

где tизм - время единичного измерения, которое для обеспечения приемлемой погрешности <3% согласно известному способу (см. Патент РФ № 2166764, Способ измерения теплового сопротивления двухполюсников с известным температурным коэффициентом тока // В.А.Сергеев - 2001. - Бюл.№13) выбирается равным tизм 3т.

Число k одинаковых образцовых двухполюсников может быть определено исходя из заданной допустимой величины Т остаточной температуры ТДП<Т образцового двухполюсника перед измерением по формуле

Так, например, при заданной остаточной температуре нагрева образцового двухполюсника величиной не более 3% от максимальной температуры нагрева образцового двухполюсника из (3) следует k2, то есть достаточно всего двух образцовых двухполюсников для обеспечения заданной точности.

Формула изобретения

Устройство для измерения тепловых параметров двухполюсников методом сравнения, содержащее источник тока, образцовый двухполюсник, амперметр, клеммы для подключения контролируемого двухполюсника и вольтметр для измерения напряжения на контролируемом двухполюснике, причем выход источника тока соединен с одной из клемм для подключения контролируемого двухполюсника, один из полюсов амперметра соединен с соответствующим выводом образцового двухполюсника, а второй полюс амперметра и вторая клемма для подключения контролируемого двухполюсника соединены с общей шиной, отличающееся тем, что в него введены дополнительно k-1 образцовых двухполюсников с известным и одинаковым тепловым сопротивлением и однополюсный k-позиционный переключатель, при этом соответствующие выводы дополнительных k-1 образцовых двухполюсников соединены с соответствующим полюсом амперметра, а вторые выводы всех образцовых двухполюсников, каждый по отдельности, соединены с соответствующими контактами однополюсного k-позиционного переключателя, общий полюс которого соединен с выходом источника тока.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к определению высоты потенциального барьера диода с барьером Шоттки

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров электрорадиоэлементов

Изобретение относится к области тестирования и измерения параметров полупроводниковых приборов и может быть использовано для контроля надежности транзисторов по критериям: стойкость к электростатическому разряду (ЭСР) и температурному отжигу, а также для повышения достоверности других способов контроля и отбраковки как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-производителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для измерения параметров полупроводниковых приборов

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов, в частности диодов, и может быть использовано для контроля качества диодов и оценки их температурных запасов
Изобретение относится к способам испытаний полупроводниковых приборов на устойчивость к воздействию таких внешних дестабилизирующих факторов, как радиационные излучения и длительные повышенные температуры

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем и может быть использовано для контроля качества изготовления цифровых интегральных микросхем и оценки их температурных запасов

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации интегральных схем (ИС), и может быть использовано для разделения партии на три, имеющих различную надежность, с выделением партии ИС повышенной надежности, с высоким уровнем достоверности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях производителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к электротехнике, в частности к способам определения потенциально ненадежных полупроводниковых приборов

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых приборов за счет определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов, и может быть использовано как на этапе производства, так и применения

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению надежности партий транзисторов за счет определения потенциально ненадежных приборов и может быть использовано как на этапе производства, так и применения

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых изделий электронной техники, а именно к способам отбраковки внутренних микросоединений полупроводниковых приборов

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к технике измерения тепловых параметров компонентов силовой электроники, и может быть использовано для контроля качества силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых приборов, и может быть использовано для разделения партии биполярных транзисторов как на этапе производства, так и применения
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности транзисторов за счет определения потенциально нестабильных транзисторов

Изобретение относится к электрофизическим методам контроля параметров тонких подзатворных диэлектриков, в частности к методам контроля электрической прочности и долговечности подзатворного оксида МОП-транзистора
Наверх