Способ отбраковки потенциально ненадежных интегральных схем

Изобретение относится к электротехнике, в частности к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС). Сущность: измеряют динамический ток потребления до, после воздействия электростатическим разрядом (ЭСР) и после температурного отжига. Воздействие 5-10 импульсами ЭСР обоих знаков проводят предельно допустимым по техническим условиям (ТУ) напряжением. Температурный отжиг проводят при максимально допустимой по ТУ температуре в течение 1-8 часов. Отбраковываются ИС одновременно по двум критериям:

IДнач, ΔIДэср>А,

где IДнач, IДэср и IДотж - динамические токи потребления соответственно начальные, после ЭСР и после отжига. Значения величин динамического тока потребления (А) и разности динамических токов потребления (Δ) устанавливаются на представительной выборке для каждого типа схем. Технический результат: расширение функциональных возможностей, повышение достоверности. 1 табл., 2 ил.

 

Изобретение относится к электротехнике, а именно к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС). Изобретение может быть использовано на этапе серийного производства ИС, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры.

Известно [1], что способом анализа форм (параметров) динамического тока потребления могут отбраковываться дефектные и потенциально ненадежные, как правило, цифровые ИС малой, средней и большой степени интеграции, изготовленные по различным технологиям. Наличие аномалий в форме динамического тока потребления или его величины при обращении к заданному логическому элементу (или группе элементов) указывает на наличие дефектов ИС, что снижает потенциальную надежность данной схемы.

Наиболее близким по технической сущности является способ отбраковки ненадежных КМОП ИС [2], по которому ИС устанавливают в термокамеру и измеряют токи потребления при двух фиксированных значениях повышенной температуры, а отбраковывают схемы с наибольшим отношением второго тока к первому.

Недостатком данного способа является сложность измерения тока потребления при повышенных температурах, отсюда появляется большая погрешность в измерениях.

Изобретение направлено на расширение функциональных возможностей диагностических способов и повышение достоверности.

Это достигается тем, что на представительной выборке конкретного типа ИС набирается статистика значений измеряемого динамического тока потребления до и после воздействия электростатическим разрядом, напряжением, равным предельно допустимому потенциалу, указанному в технических условиях (ТУ), и после термического отжига при предельно допустимой температуре, указанной в ТУ, в течение 1-8 часов. По полученным данным строятся поля корреляции по динамическому току потребления: первоначальное значение IДнач - значение после воздействия ЭСР IДэср и первоначальное значение IДнач - значение после температурного отжига IДотж, по которым определяют два критерия для отбраковки потенциально ненадежных ИС:

первый критерий: IДнач, IДэср>А;

второй критерий: |IДотж-IДнач|>Δ.

ИС считается потенциально ненадежной, если она удовлетворяет обоим критериям одновременно.

Пример осуществления способа. На произвольно выбранных десяти ИС типа К561ЛН2 (шесть логических элементов "НЕ") измерили амплитуду динамических токов потребления с помощью стробоскопического осциллографа С7-8 для каждого из шести инверторов каждой схемы в момент его выключения. Результаты измерения для каждого инвертора каждой ИС представлены в таблице.

Таблица
№ схемыВремя измеренияДинамические токи потребления IД, мА по инверторам
123456
начальное606363606558
1после ЭСР697170627368
после отжига636565606765
начальное635960636060
2после ЭСР686361696670
после отжига666060646162
начальное676360605763
3после ЭСР806869636168
после отжига706563616060
начальное586862595857
4после ЭСР688873626970
после отжига627563606064
начальное547663586156
5после ЭСР607869636265
после отжига617066636360
начальное575960586263
6после ЭСР637072687373
после отжига606464626367
начальное615668625856
7после ЭСР676573706867
после отжига625973696260
начальное655860585661
8после ЭСР656868656466
после отжига656363595962
начальное667069696880
9после ЭСР758873867991
после отжига708373777084'
начальное605460655958
10после ЭСР636469736965
после отжига615962676262

Затем подаем по 5 электростатических разрядов амплитудой 500 В на каждый вход и соответствующий вывод каждого инвертора, меняя полярность, после чего измеряем динамический ток потребления. Отжиг ИС проводили при температуре 100°С в течение 1 часа. Затем строим графики - поля корреляции для значений динамических токов потребления: IДнач-IДэср (фиг.1) и IДнач-IДотж (фиг.2). По данным полям корреляции установим критерии для потенциально ненадежных ИС:

IДнач, IДэср>80 мА;

|IДотж-IДнач|>7 мА.

По первому критерию потенциально ненадежными будут ИС №4, 9, по второму критерию №9. Таким образом схема №9 будет потенциально ненадежной.

Источники информации

1. РД 11 0682-89. Микросхемы интегральные. Методы неразрушающего контроля динамических параметров.

2. А.С. СССР 1239658. МПК 4 G 01 R 31/26. Опубл. 1986 г.

Способ отбраковки потенциально ненадежных интегральных схем, включающий измерение динамического тока потребления до, после воздействия электростатическим разрядом (ЭСР) и после температурного отжига, отличающийся тем, что проводят воздействие 5-10 импульсами ЭСР обоих знаков предельно допустимым по техническим условиям (ТУ) напряжением, а температурный отжиг при максимально допустимой по ТУ температуре в течение 1-8 ч, после чего ИС отбраковываются одновременно по двум критериям:

IДнач, IДэср>А,

где IДнач, IДэср и IДотж - динамические токи потребления соответственно начальные, после ЭСР и после отжига,

а значения величин динамического тока потребления (А) и разности динамических токов потребления (Δ) устанавливаются на представительной выборке для каждого типа схем.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации интегральных схем (ИС), и может быть использовано для выделения из партии ИС повышенной надежности с высоким уровнем достоверности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых приборов, и может быть использовано как на этапе производства, так и применения.

Изобретение относится к области электронной техники, в частности предназначено для разделения интегральных микросхем по уровням радиационной стойкости и надежности.

Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано для разбраковки (классификации) полупроводниковых приборов по радиационной стойкости и для определения радиационной стойкости полупроводниковых приборов при входном контроле на предприятиях - изготовителях радиационно-стойкой аппаратуры, например бортовой аппаратуры космических аппаратов.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области испытаний и контроля полупроводниковых приборов (ПП (диодов и транзисторов)), и может быть использовано для их разбраковки по потенциальной надежности, а также для повышения достоверности других способов разбраковки как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности транзисторов за счет определения потенциально нестабильных транзисторов. .

Изобретение относится к области испытаний и контроля полупроводниковых приборов (ПП) и может быть использовано для их разбраковки по критерию потенциальной надежности как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых приборов, и может быть использовано как на этапе производства, так и применения.

Изобретение относится к электрофизическим методам контроля параметров тонких подзатворных диэлектриков, в частности к методам контроля электрической прочности и долговечности подзатворного оксида МОП-транзистора.
Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано для отбора из партии полупроводниковых приборов повышенной надежности

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в процессе отбраковки партий интегральных схем
Изобретение относится к электротехнике, в частности к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС)

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам определения в партии потенциально ненадежных интегральных схем (ИС)

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС) в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к области испытаний и контроля полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов, интегральных схем) и может быть использовано для разбраковки по критерию потенциальной надежности как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры
Изобретение относится к электротехнике, а именно к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС), в том числе по стойкости к электростатическим разрядам (ЭСР), и может быть использовано на этапе серийного производства ИС, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых изделий (ППИ), и может быть использовано как на этапе производства, так и на этапе применения

Изобретение относится к измерению шумов полупроводниковых изделий

Изобретение относится к контролю изоляции блока питания
Наверх