Способ разделения интегральных схем по надежности

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам определения в партии потенциально ненадежных интегральных схем (ИС). Сущность: измеряют интенсивность шума без подачи питания на частоте 1 кГц при прямом токе при трех температурах: нормальной (25°С), минимальной (0°С) и максимальной (100°С) температуре. По относительному изменению интенсивности шума по выводам "вход - общая точка", измеренного при нормальной, минимальной и максимальной температуре, разделяют партию ИС на надежные и потенциально ненадежные по значению коэффициента

где , , - значения интенсивности шума при температурах: нормальной, нулевой и 100°С соответственно. Технический результат: упрощение и снижение трудоемкости. 1 табл.

 

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам разделения партии интегральных схем (ИС) на надежные и потенциально ненадежные схемы, и может быть использован как на этапе производства, так и на этапе применения.

Известен способ [1], применимый для оценки надежности партии ИС, состоящий в том, что ИС тестируют специальными сигналами, воздействуя при этом термоциклами с подачей питания 110% от номинального значения.

Недостатками данного является применение дорогостоящей аппаратуры и сложность вычисления информативного параметра.

Наиболее близким аналогом является способ [2], применяемый для контроля ИС и включающий в себя циклическое воздействие высоких и низких температур, а также расчет информативного параметра (площади петли гистерезиса), получаемого на основе критических напряжений.

Недостатки данного способа: большая трудоемкость, применение более одного информативного параметра, сложность автоматизации процесса.

Изобретение направлено на устранение указанных недостатков, а именно: в предлагаемом способе нет дорогостоящей аппаратуры, отсутствует термоциклирование и сложность в вычислении единственного информативного параметра, небольшая трудоемкость и простота автоматизации измерений.

Это достигается тем, что в предлагаемом способе разделения интегральных схем по надежности проводится контроль интенсивности шума по выводам "вход - общая точка" при трех разных температурах: пониженной, номинальной и повышенной, указанных в технических условиях на данные ИС. По относительному изменению интенсивности шума от температуры вычисляется коэффициент, определяющий принадлежность ИС к надежным и потенциально ненадежным. Критерий определяется априори (заранее) на достоверной выборке ИС данного типа.

Пример осуществления способа.

Методом случайной выборки было отобрано 5 интегральных схем типа К137ЛЕ2 (схемы эмиттерно-связанной логики), у которых измерялась интенсивность шума методом прямого измерения [3] по выводам "вход - общая точка" на частоте 1 кГц при прямом токе 6 мА. Измерения производились без подачи питания при нормальной температуре, при 0°С и 100°С. Прямой рабочий ток, проходя по структуре ИС, позволяет регистрировать , порожденный дефектами структуры, имеющими температурную зависимость [3]. Для каждой ИС по результатам измерений подсчитали коэффициент К по формуле:

где , , - значения интенсивности шума при температурах, соответствующих нормальной, нулевой и 100°С.

Данные измерений и рассчитанного коэффициента К представлены в таблице. Если выбрать критерий для надежных схем К≤0,7, то схемы №2, 5 будут потенциально ненадежными.

Таблица 1
№ ИС№вывода при токе 6 мА и температуреК
0°С25°С100°С
32722280,5
142622290,5
52521260,43
34334560,91
244535590,97
54233540,91
33631400,45
343430380,4
53530370,4
3171520047
441715200,47
51615180,27
32820270,75
542821290,71
53022300,73

Источники информации

1. Jakubowska K. Determination of IC reliability by accelerating // 8th Symp. Reliabil. Electron. Budapest. 1991. №2. С.1046-1053.

2. Пат. России №2018148, G 01 R 31/28, опубл. 1994.

3. Ван дер Зил А. Шум. - М.: Советское радио, 1973, 178 с.

Способ разделения интегральных схем по надежности, в соответствии с которым у интегральных схем измеряют интенсивность шума при разных температурах, отличающийся тем, что измеряют интенсивность шума без подачи питания на частоте 1 кГц при прямом токе при трех температурах: нормальной - 25°С, минимальной - 0°С и максимальной - 100°С температуре, по относительному изменению интенсивности шума по выводам "вход - общая точка", измеренного при нормальной, минимальной и максимальной температуре, разделяют партию интегральных схем на надежные и потенциально ненадежные по значению коэффициента

где - значения интенсивности шума при температурах: нормальной, нулевой и 100°С соответственно.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к электротехнике, в частности к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС). .

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в процессе отбраковки партий интегральных схем. .
Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано для отбора из партии полупроводниковых приборов повышенной надежности. .

Изобретение относится к электротехнике, в частности к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС). .

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации интегральных схем (ИС), и может быть использовано для выделения из партии ИС повышенной надежности с высоким уровнем достоверности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых приборов, и может быть использовано как на этапе производства, так и применения.

Изобретение относится к области электронной техники, в частности предназначено для разделения интегральных микросхем по уровням радиационной стойкости и надежности.

Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано для разбраковки (классификации) полупроводниковых приборов по радиационной стойкости и для определения радиационной стойкости полупроводниковых приборов при входном контроле на предприятиях - изготовителях радиационно-стойкой аппаратуры, например бортовой аппаратуры космических аппаратов.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области испытаний и контроля полупроводниковых приборов (ПП (диодов и транзисторов)), и может быть использовано для их разбраковки по потенциальной надежности, а также для повышения достоверности других способов разбраковки как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС) в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к области испытаний и контроля полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов, интегральных схем) и может быть использовано для разбраковки по критерию потенциальной надежности как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры
Изобретение относится к электротехнике, а именно к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС), в том числе по стойкости к электростатическим разрядам (ЭСР), и может быть использовано на этапе серийного производства ИС, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых изделий (ППИ), и может быть использовано как на этапе производства, так и на этапе применения

Изобретение относится к измерению шумов полупроводниковых изделий

Изобретение относится к контролю изоляции блока питания

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении и может быть использовано для контроля их качества

Изобретение относится к методам диагностики шумовых и динамических параметров сверхбыстродействующих полевых СВЧ- и КВЧ-транзисторов

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности варикапов, и может быть использовано для отбраковки потенциально ненадежных приборов, а также для выделения приборов повышенной надежности как на этапе производства, так и на этапе применения

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых приборов
Наверх