Способ отбраковки потенциально ненадежных интегральных схем

Изобретение относится к электротехнике, в частности к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС). Сущность: проводят измерения амплитуды динамического тока потребления для каждого инвертора схемы в цепи питания и земли при включении и выключении инверторов до и после воздействия электростатического разряда (ЭСР). Определяют коэффициенты К=IДвыкл/IДвкл для каждого инвертора схемы до и после воздействия ЭСР, где IДвкл>IДвыкл - амплитуда динамического тока потребления схемы соответственно при включении и выключении. Определяют максимальное KMAX и минимальное KMIN значения коэффициента для каждой схемы. Отбраковывают схемы, если они не удовлетворяют любому из двух критериев

Анач>1,3 и

АЭСР>1,3,

где Анач и АЭСР - коэффициенты соответственно до и после воздействия ЭСР, определяемые для каждой схемы как A=KMAX/KMIN. Технический результат: повышение достоверности и расширение функциональных возможностей. 4 табл.

 

Изобретение относится к электротехнике, а именно к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС). Изобретение может быть использовано на этапе серийного производства ИС, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры.

Известно [1], что способом анализа форм (параметров) динамического тока потребления могут отбраковываться дефектные и потенциально ненадежные, как правило, цифровые ИС малой, средней и большой степени интеграции, изготовленные по различным технологиям. Наличие аномалий в форме динамического тока потребления или его величины при обращении к заданному логическому элементу (или группе элементов) указывает на наличие дефектов ИС, что снижает потенциальную надежность данной схемы.

Наиболее близким по технической сущности является способ отбраковки ненадежных КМОП ИС [2], по которому ИС устанавливают в термокамеру и измеряют токи потребления при двух фиксированных значениях повышенной температуры, а отбраковывают схемы с наибольшим отношением второго тока к первому.

Недостатком данного способа является сложность измерения тока потребления при повышенных температурах, отсюда большая погрешность в измерениях.

Изобретение направлено на расширение функциональных возможностей диагностических способов и повышение достоверности.

Это достигается тем, что на представительной выборке конкретного типа ИС набирается статистика значений измеряемого динамического тока потребления в цепи питания и земли при выключении и включении инверторов схемы до и после воздействия электростатическим разрядом, напряжением, равным предельно допустимому потенциалу, указанному в технических условиях (ТУ). По полученным данным определяют диапазон допустимых значений коэффициента К=IДвыкл/IДвкл, где IДвыкл - динамический ток потребления при выключении, а IДвкл - динамический ток при включении схемы, находят коэффициент А=KMAX/KMIN (KMAX - максимальное значение К для одной ИС, KMIN - минимальное значение К для той же ИС) для каждой схемы до и после воздействия ЭСР и определяют критерии для отбраковки потенциально ненадежных ИС:

первый критерий: Анач>1,3;

второй критерий: АЭСР>1,3,

т.е. KMAX не должно превышать KMIN более чем на 30% как до воздействия (Анач), так и после воздействия ЭСР (АЭСР) для каждой схемы. ИС считается потенциально ненадежной, если она не удовлетворяет любому из этих двух критериев.

Пример осуществления способа. На произвольно выбранных пяти ИС типа КР1533ЛН1 (шесть логических элементов НЕ) измерили амплитуду динамических токов потребления с помощью стробоскопического осциллографа С7-8 для каждого из шести инверторов каждой схемы в момент его включения и в момент выключения до и после воздействия ЭСР. Результаты измерения до воздействия ЭСР для каждого инвертора каждой ИС представлены в таблице 1, а рассчитанные значения К и Анач - в таблице 2. Минимальные и максимальные значения К в таблице 2 отмечены шрифтом.

Таблица 1
№ схемыМомент измеренияДинамические токи потребления IД, мА, по инверторам до ЭСР
123456
1Включение988898
Выключение535153505251
2Включение88108109
Выключение525253515252
3Включение889878
Выключение535352535353
4Включение10109989
Выключение535052515252
5Включение9999109
Выключение525053535253

Таблица 2
№ схемыЗначение К=IДвыкл/IДвкл по инверторам до ЭСРАнач
123456
15,8896,3756,6256,255,7786,3751,14
26,56,55,36,3755,25,7781,25
36,6256,6255,7756,6257,5716,6251,31
45,355,7785,6676,55,7781,3
55,7785,5565,8895,8895,25,8891,13

Затем подаем по 5 электростатических разрядов амплитудой 200 В (допустимого значения по техническим условиям) на каждый вход и соответствующий выход каждого инвертора, меняя полярность, после чего измеряем динамический ток потребления.

Результаты измерения после воздействия ЭСР для каждого инвертора каждой ИС представлены в таблице 3, а рассчитанные значения К и АЭСР - в таблице 4. Минимальные и максимальные значения К в таблице 4 отмечены шрифтом.

Таблица 3
№ схемыМомент измеренияДинамические ток и потребления IД, мА, по инверторам после ЭСР
123456
1Включение1099888
Выключение525454525252
2Включение999101010
Выключение505255525353
3Включение9911977
Выключение525453525250
4Включение101110101110
Выключение525253505453
5Включение10101181010
Выключение505054515154

Таблица 4
№ схемыЗначение К=IДвыкл/IДвкл, по инверторам после ЭСРАЭСР
123456
15,2666,56,56,51,25
25,5565,7786,1115,25,35,31,17
35,77864,8185,7787,4297,1431,54
45,24,7285,354,9095,31.12
5554,9096,3755,15,41,27

По первому критерию потенциально ненадежной будет ИС №3, по второму критерию потенциально ненадежной будет также ИС №3. Таким образом схема №3 будет потенциально ненадежной.

Источники информации

1. РД 11 0682-89. Микросхемы интегральные. Методы неразрушающего контроля динамических параметров.

2. А.С. СССР 1239658. МПК 4 G 01 R 31/26. Опубл.1986 г.

Способ отбраковки потенциально ненадежных схем, включающий измерение тока потребления, отличающийся тем, что проводят измерения амплитуды динамического тока потребления для каждого инвертора схемы в цепи питания и земли при включении и выключении инверторов до и после воздействия электростатического разряда (ЭСР) допустимого по техническим условиям потенциала на вход и соответствующий выход каждого инвертора, меняя полярность, определяют коэффициенты К=IДвыкл/IДвкл для каждого инвертора схемы до и после воздействия ЭСР, где IДвкл, IДвыкл - амплитуда динамического тока потребления схемы соответственно при включении и выключении, определяют максимальное KMAX и минимальное KMIN значение коэффициента для каждой схемы до и после воздействия ЭРС и отбраковывают схемы, если они не удовлетворяют любому из двух критериев

Анач>1,3 и

АЭСР>1,3,

где Анач и АЭСР коэффициенты соответственно до и после воздействия ЭСР, определяемые для каждой схемы как A=КMAXMIN.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в процессе отбраковки партий интегральных схем. .
Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано для отбора из партии полупроводниковых приборов повышенной надежности. .

Изобретение относится к электротехнике, в частности к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС). .

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации интегральных схем (ИС), и может быть использовано для выделения из партии ИС повышенной надежности с высоким уровнем достоверности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых приборов, и может быть использовано как на этапе производства, так и применения.

Изобретение относится к области электронной техники, в частности предназначено для разделения интегральных микросхем по уровням радиационной стойкости и надежности.

Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано для разбраковки (классификации) полупроводниковых приборов по радиационной стойкости и для определения радиационной стойкости полупроводниковых приборов при входном контроле на предприятиях - изготовителях радиационно-стойкой аппаратуры, например бортовой аппаратуры космических аппаратов.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области испытаний и контроля полупроводниковых приборов (ПП (диодов и транзисторов)), и может быть использовано для их разбраковки по потенциальной надежности, а также для повышения достоверности других способов разбраковки как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности транзисторов за счет определения потенциально нестабильных транзисторов. .

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам определения в партии потенциально ненадежных интегральных схем (ИС)

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС) в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к области испытаний и контроля полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов, интегральных схем) и может быть использовано для разбраковки по критерию потенциальной надежности как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры
Изобретение относится к электротехнике, а именно к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС), в том числе по стойкости к электростатическим разрядам (ЭСР), и может быть использовано на этапе серийного производства ИС, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых изделий (ППИ), и может быть использовано как на этапе производства, так и на этапе применения

Изобретение относится к измерению шумов полупроводниковых изделий

Изобретение относится к контролю изоляции блока питания

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении и может быть использовано для контроля их качества

Изобретение относится к методам диагностики шумовых и динамических параметров сверхбыстродействующих полевых СВЧ- и КВЧ-транзисторов

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности варикапов, и может быть использовано для отбраковки потенциально ненадежных приборов, а также для выделения приборов повышенной надежности как на этапе производства, так и на этапе применения
Наверх