Многоотверстная ферритовая пластина памяти

 

О П И С А Н И Е 237200

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт, свидетельства !е

Кс!. 21а1, 37/04

Заявлено 03.1.1968 (№ 1207672/26-24) с присоединением заявки ¹

М11К G 11с

; ;! K 681.327.66(088.8) Приоритет

Опубликовано 12.11.1969. Бюллетень ¹ 8

Дата опубликования описания ЗОХ1.1969

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

4> .I

Авторы изобретения

Я. М. Беккер и С. А. Майоров

Заявитель

МНОГООТВЕРСТНАЯ ФЕРРИТОВАЯ ПЛАСТИНА ПАМЯТИ

Предмет изобретения

Изобретение относится к области з=-поминающих устройств.

Известны многоотверстные ферритозые пластины, в которых наблюдается взаимодействие между ячейками памяти через илентичиую магнитную среду. Объемы феррита между ячейками перемагничиваются по частным циклам, поскольку коэрцитивная сила материала пластины одинакова в любой ее части, а перемагничивающее поле убывает обратно пропорционально расстоянию.

Целью !настоящего изобретения является создание такой пластины памяти, в которой взаимодействие между отдельными ячейками памяти было полностью устранено, либо резко уменьшено. Эта цель достигается созданием ,конструкции ферритовой пластины, в которой ячейки памяти разделены .такими областями феррита, где коэрцити!вная сила в несколько раз выше, чем в перемагничиваемых областях ячеек.

Вследствие этого создается энергетический барьер между ячейками, существенно уменьтпа!ощий,их взаимодействие.

На фиг. 1 показана часть ферритовой пластины; на фиг. 2 — распределение перемагничивающего поля и коэрцити вной силы B мнотоотверстной пластине в зависимости от расстоян и я.

В ферритовой пластине прохолят сквозные отверстия 1, участки 2 пластины имекп. высокое значение коэрцитивной силы.

На фиг. 2 приведены следу!ощие обозначения: Н вЂ” перемагничивающее поле, Н, коэрцитивная сила, г — расстояние, п -- обласги ячеек памяти, перемагиичиваемые по пре !ельной петле гистерезиса, б — области, перемагиичиваемые по частным циклам. Линия Н тп показывает олинаковую величину коэрцитивной силы расстоянию г: линии Н вЂ” изменение перемагни гивающего поля в зависимости от расстояния г; кривая Н, — изменение коэрцитивной силы в пластине в зависимости от расстояния, Такая форма кривой Н, соответствует конструкции предлагаемой пластины.

Вонp> Ã отверстий 1 расположены т частк!т .пластины с низкой коэрцитивной силой. Эти участки образуют:магиитопроволы ячеек памяти. Ячейки разлелены участками 2 пластины, имеющими высокую коэрцитивную силу

Многоотверстная ферритовая пластина памяти, от.!ичп/ошпяся тем, что, с целью умень30 шения взаимодействия между ячейками. она

237200

Состави .ель A. A. Соколов

Редактор Е. Семанова Тскрсд 1. A. Камышникова Коррскlop A. П. Васильева

Заказ 13!5, 5 I ираки 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по ислам изоорстсиии и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типографии, Ilp. Сапун тва, 2 выполнена в виде черсду|ощи.:ся участков с низкой коэрцнтивной силой вокруг отверстий и участков с,высокой коэрцитивной силой ме>кду ячейками памяти.